| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SKD62/08 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKD62/08 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 800 V, 86 A, Modul, 5 Pin(s), 1.8 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 500A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.8V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Drei Phasen Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: SKD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
товар відсутній |
|||||||
 |
SKD82/12 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKD82/12 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.2 kV, 80 A, Modul, 5 Pin(s), 1.6 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 750A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.6V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Drei Phasen Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: SKD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKD 110/16 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKD 110/16 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.6 kV, 151 A, Modul, 5 Pin(s), 1.9 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 1.2kA rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.9V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Drei Phasen Durchschnittlicher Durchlassstrom: 151A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: SKD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKD6008 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKD6008 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 800 V, 92 A, Modul, 5 Pin(s), 1.6 V tariffCode: 85411000 hazardous: false Durchlassspannung, max.: 1.6 Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Drei Phasen Durchschnittlicher Durchlassstrom: 92 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: SKD Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
товар відсутній |
|||||||
| SKKE 301F12 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKKE 301F12 - RECTIFIER DIODE,1.2KV V(RRM),M:HL080HD6.5 83F4958 tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
 |
SKKT27B16E | SEMIKRON |
 Description: SEMIKRON - SKKT27B16E - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 25A, 1.6kVtariffCode: 85413000 Haltestrom, max.: 200 hazardous: false Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 550 usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 25 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25 euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 50 Zündspannung, max.: 3 Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6 SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150 Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6 SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
товар відсутній |
|||||||
 |
SKN45/12 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKN45/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 50 A, 1.6 V, Einfach, E12, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: E12 Durchlassstoßstrom: 700A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Bolzen hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.6V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SKN productTraceability: No Konfiguration Diodenmodul: Einfach Betriebstemperatur, max.: 180°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKKT 42/16E | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKKT 42/16E - Thyristor- / Diodenmodul, Reihenschaltung, 40A, 1.6kV tariffCode: 85413000 rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 150 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 1 usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 40 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40 euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 75 Zündspannung, max.: 3 Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6 SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150 productTraceability: No Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Betriebstemperatur, max.: 125 Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6 SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKKE 380/12 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKKE 380/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 380 A, 1.25 V, Einfach, Modul, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 11kA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.25V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 380A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: SKKE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Konfiguration Diodenmodul: Einfach Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM150GB12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM150GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 232 A, 1.8 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 232A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 232A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
товар відсутній |
|||||||
 |
SEMIX501D17FS | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SEMIX501D17FS - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.7 kV, Modul, 1.9 V tariffCode: 85412900 Durchlassstoßstrom: 0 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.9V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage Anzahl der Phasen: Drei Phasen Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: - Produktpalette: SEMiX 13 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM50GB12T4 | SEMIKRON |
 Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 81A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: SEMITRANS 2 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 81A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM100GB12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM100GB125DN | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GB125DN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM150GAL12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM150GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 232A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 232A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM400GB12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 616A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 616A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM75GB12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 115A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 115A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SKM75GB12V | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM75GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: V-IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 114A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 114A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
товар відсутній |
|||||||
 |
SKM300GB12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM300GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 422 A, 1.85 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 422A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 422A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SKM200GB12E4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM200GB12E4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 313A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 313A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM800GA176D | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM800GA176D - IGBT-Modul, Grabentransistor, Einfach, 830 A, 2 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 830A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: SEMITRANS 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 830A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SKM400GA12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM400GA12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 616A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: SEMITRANS 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 616A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM100GAL12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKKE 162/12 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKKE 162/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 195 A, 1.5 V, Einfach, Modul, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 6kA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.5V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 195A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SKKE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Konfiguration Diodenmodul: Einfach Betriebstemperatur, max.: 135°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM200GB125D | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SKM150GB12T4G | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM150GB12T4G - IGBT-Modul, Halbbrücke, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 223A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 223A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SKM300GB12V | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM300GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 420 A, 1.85 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: V-IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 420A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 420A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SKM200GB12T4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM200GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 313A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 313A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKT100/16 E | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKT100/16 E - Thyristor-Modul, 74A, 1600V tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 74A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 100A Zündspannung, max.: 3V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV SCR-Modul: SCR einfach Anzahl der Pins: - Produktpalette: - Zündstrom, max.: 150mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Bolzenbefestigung Bauform - Thyristor: Modul Betriebstemperatur, max.: 130°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SEMIX453GB12E4S | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SEMIX453GB12E4S - IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S tariffCode: 85412900 Transistormontage: Panel rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 683A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stud Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: SEMiX 3s Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dual productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 683A Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM300GB12F4 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM300GB12F4 - IGBT-Modul, 380 A, 2.06 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V Dauer-Kollektorstrom: 380A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 380A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKKE 81/12 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKKE 81/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 82 A, 1.55 V, Einfach, Modul, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 2kA rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.55V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 82A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SKKE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Konfiguration Diodenmodul: Einfach Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKM195GB066D | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 265A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 265A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SKM400GB12V | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM400GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 612 A, 1.75 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: V-IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 612A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 612A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
P3/300B | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - P3/300B - Kühlkörper, für isolierte Leistungsmodule, 0.33 °C/W, IGBT-Leistungsmodul, 125 mm, 135 mm, 300 mm tariffCode: 76041090 rohsCompliant: YES Außenhöhe - imperial: 5.31" hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Außenhöhe - metrisch: 135mm euEccn: NLR Außenbreite - metrisch: 125mm Wärmewiderstand: 0.33°C/W Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Gekühlte Bauformen/Gehäuse: IGBT-Leistungsmodul productTraceability: No Außendurchmesser - metrisch: - Außendurchmesser - imperial: - Kühlkörpermaterial: Aluminium Außenlänge - metrisch: 300mm Außenbreite - Zoll: 4.92" Außenlänge - imperial: 11.81" SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SK85MH10T | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SK85MH10T - MOSFET-Transistor, Anreicherungstyp, n-Kanal, 80 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 3.3 V tariffCode: 85359000 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: - Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SKM150GB12V | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM150GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 231 A, 1.75 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: V-IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 231A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 231A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SKIIP 13AC126V1,M21 | SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKIIP 13AC126V1,M21 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 41 A, 1.7 V, 150 °C, MiniSkiip-1 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 41A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: MiniSkiip-1 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SKKQ45/12E20491-1 | Semikron | 07905371 |
товар відсутній |
||||||||
 |
SEMIX171KH16S | Semikron |
SCR Module 1600V 5400A Case KH |
товар відсутній |
|||||||
 |
SKKT92/16E | Semikron |
SCR Module 1600V 2000A 7-Pin Case A-46 |
товар відсутній |
|||||||
 |
SKKT250/16E | Semikron |
SCR Module 1600V 9000A 7-Pin Case A-73b |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SEMITOP 3 SK 20 GD 123 | Semikron |
24608601 |
товар відсутній |
||||||||
 |
SKT551/16E | Semikron |
Thyristor SCR 1.6KV 9KA 3-Pin Case B-11 |
товар відсутній |
|||||||
 |
SKD160/12 | Semikron |
Rectifier Bridge Diode Single 1.2KV 205A 5-Pin Case G-37 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SK 3/10 | Semikron |
Rectifier Diode Schottky 100V 3A 2-Pin SMC T/R |
товар відсутній |
||||||||
| SKM40GD123D | Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 40A 12-Pin Case D-67 |
товар відсутній |
||||||||
| SKKT172/18E | Semikron |
SCR Module 1800V 5400A 7-Pin Case A-21 |
товар відсутній |
||||||||
 |
SKD 83/16 | Semikron |
Rectifier Bridge Diode Single 1.6KV 83A 7-Pin Case G-55 |
товар відсутній |
|||||||
| SKD 83/18 | Semikron |
Rectifier Bridge Diode Single 1.8KV 83A |
товар відсутній |
||||||||
| SKD 83/04 | Semikron |
Diode Rectifier Bridge Single 400V 83A |
товар відсутній |
||||||||
| SKD 83/12 | Semikron |
Rectifier Bridge Diode Single 1.2KV 83A |
товар відсутній |
||||||||
| SKD 83/08 | Semikron |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 83A |
товар відсутній |
||||||||
 |
SK 100 KQ 12 | Semikron |
SCR Module 1200V 1500A |
товар відсутній |
|||||||
 |
SK45UT08 | Semikron |
SCR Module 800V 450A 12-Pin Case T-13 |
товар відсутній |
|||||||
| SK 25 KQ 08 | Semikron |
SCR Module 800V 320A 4-Pin Case T-1 |
товар відсутній |
||||||||
| SK 25 KQ 16 | Semikron |
SCR Module 1600V 320A 4-Pin Case T-1 |
товар відсутній |
||||||||
| SK 25 WT 08 | Semikron |
SCR Module 800V 320A 8-Pin Case T-37 |
товар відсутній |
||||||||
 |
SK 25 UT 12 | Semikron |
Thyristor 1200V 320A 12-Pin Case T-13 |
товар відсутній |
|||||||
| SK 70 KQ 16 | Semikron |
SCR Module 1600V 1000A 4-Pin Case T-1 |
товар відсутній |
| SKD62/08 |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKD62/08 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 800 V, 86 A, Modul, 5 Pin(s), 1.8 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 500A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SKD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKD62/08 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 800 V, 86 A, Modul, 5 Pin(s), 1.8 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 500A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SKD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товар відсутній
| SKD82/12 |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKD82/12 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.2 kV, 80 A, Modul, 5 Pin(s), 1.6 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 750A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SKD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKD82/12 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.2 kV, 80 A, Modul, 5 Pin(s), 1.6 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 750A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SKD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4892.16 грн |
| 5+ | 4661.25 грн |
| 10+ | 4445.49 грн |
| SKD 110/16 |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKD 110/16 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.6 kV, 151 A, Modul, 5 Pin(s), 1.9 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 1.2kA
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.9V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 151A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SKD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKD 110/16 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.6 kV, 151 A, Modul, 5 Pin(s), 1.9 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 1.2kA
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.9V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 151A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: SKD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11718.61 грн |
| 5+ | 11165.2 грн |
| SKD6008 |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKD6008 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 800 V, 92 A, Modul, 5 Pin(s), 1.6 V
tariffCode: 85411000
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.6
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 92
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: SKD
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKD6008 - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 800 V, 92 A, Modul, 5 Pin(s), 1.6 V
tariffCode: 85411000
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.6
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 92
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: SKD
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товар відсутній
| SKKE 301F12 |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKKE 301F12 - RECTIFIER DIODE,1.2KV V(RRM),M:HL080HD6.5 83F4958
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: SEMIKRON - SKKE 301F12 - RECTIFIER DIODE,1.2KV V(RRM),M:HL080HD6.5 83F4958
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8926.56 грн |
| SKKT27B16E |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKKT27B16E - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 25A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
Haltestrom, max.: 200
hazardous: false
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 550
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 25
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 50
Zündspannung, max.: 3
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKKT27B16E - Thyristor-Modul, Reihenschaltung, 25A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
Haltestrom, max.: 200
hazardous: false
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 550
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 25
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 50
Zündspannung, max.: 3
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товар відсутній
| SKN45/12 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKN45/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 50 A, 1.6 V, Einfach, E12, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: E12
Durchlassstoßstrom: 700A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.6V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SKN
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 180°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKN45/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 50 A, 1.6 V, Einfach, E12, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: E12
Durchlassstoßstrom: 700A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.6V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SKN
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 180°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1614.82 грн |
| 5+ | 1433.88 грн |
| 10+ | 1261.27 грн |
| SKKT 42/16E |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKKT 42/16E - Thyristor- / Diodenmodul, Reihenschaltung, 40A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 1
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 40
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 75
Zündspannung, max.: 3
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKKT 42/16E - Thyristor- / Diodenmodul, Reihenschaltung, 40A, 1.6kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 1
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 40
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 75
Zündspannung, max.: 3
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150
productTraceability: No
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2200.79 грн |
| SKKE 380/12 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKKE 380/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 380 A, 1.25 V, Einfach, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 11kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.25V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 380A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: SKKE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKKE 380/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 380 A, 1.25 V, Einfach, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 11kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.25V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 380A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: SKKE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 12897.36 грн |
| SKM150GB12T4 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM150GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 232 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 232A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 232A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM150GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 232 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 232A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 232A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товар відсутній
| SEMIX501D17FS |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SEMIX501D17FS - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.7 kV, Modul, 1.9 V
tariffCode: 85412900
Durchlassstoßstrom: 0
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.9V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: SEMiX 13
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: SEMIKRON - SEMIX501D17FS - Brückengleichrichter, Drei Phasen, 1.7 kV, Modul, 1.9 V
tariffCode: 85412900
Durchlassstoßstrom: 0
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.9V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Panelmontage
Anzahl der Phasen: Drei Phasen
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: SEMiX 13
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11058.45 грн |
| 5+ | 10536.08 грн |
| SKM50GB12T4 | |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 81A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMITRANS 2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 81A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM50GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 81 A, 1.85 V, 175 °C, SEMITRANS 2
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 81A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMITRANS 2
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 81A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5098.08 грн |
| 5+ | 4843.7 грн |
| 10+ | 4487.88 грн |
| SKM100GB12T4 | |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM100GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6967.27 грн |
| 5+ | 6619.78 грн |
| 10+ | 6132.99 грн |
| SKM100GB125DN |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM100GB125DN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM100GB125DN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 3.3 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 12939 грн |
| SKM150GAL12T4 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM150GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 232A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 232A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM150GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 232A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 232A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6456.25 грн |
| 5+ | 6229.89 грн |
| 10+ | 5797.61 грн |
| SKM400GB12T4 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 616A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 616A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM400GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 616A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 616A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 18330.82 грн |
| SKM75GB12T4 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 115A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM75GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 115 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 115A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5855.14 грн |
| 5+ | 5649.98 грн |
| SKM75GB12V |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM75GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 114A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 114A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM75GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 114A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 114A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товар відсутній
| SKM300GB12T4 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM300GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 422 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 422A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 422A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM300GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 422 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 422A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 422A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15107.24 грн |
| 5+ | 14677.22 грн |
| SKM200GB12E4 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM200GB12E4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 313A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 313A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM200GB12E4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 313A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 313A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14313.08 грн |
| 5+ | 13598.41 грн |
| 10+ | 12599.08 грн |
| SKM800GA176D |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM800GA176D - IGBT-Modul, Grabentransistor, Einfach, 830 A, 2 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 830A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: SEMITRANS 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 830A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: SEMIKRON - SKM800GA176D - IGBT-Modul, Grabentransistor, Einfach, 830 A, 2 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 830A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: SEMITRANS 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 830A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 26071.81 грн |
| 5+ | 25099.74 грн |
| SKM400GA12T4 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM400GA12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 616A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: SEMITRANS 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 616A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: SEMIKRON - SKM400GA12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 616 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 616A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: SEMITRANS 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 616A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14443.29 грн |
| SKM100GAL12T4 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5228.29 грн |
| SKKE 162/12 |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKKE 162/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 195 A, 1.5 V, Einfach, Modul, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.5V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 195A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SKKE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKKE 162/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 195 A, 1.5 V, Einfach, Modul, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.5V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 195A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SKKE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3382.57 грн |
| 5+ | 3228.88 грн |
| 10+ | 3069.14 грн |
| SKM200GB125D |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM200GB125D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Ultrafast]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.3V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.3V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 21424.95 грн |
| SKM150GB12T4G |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM150GB12T4G - IGBT-Modul, Halbbrücke, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 223A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 223A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM150GB12T4G - IGBT-Modul, Halbbrücke, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 223A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 223A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 12383.32 грн |
| 5+ | 11765.55 грн |
| 10+ | 10900.22 грн |
| SKM300GB12V |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM300GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 420 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 420A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 420A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM300GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 420 A, 1.85 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 420A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 420A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 19553.48 грн |
| SKM200GB12T4 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM200GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 313A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 313A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM200GB12T4 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 313A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 313A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14435.72 грн |
| SKT100/16 E |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKT100/16 E - Thyristor-Modul, 74A, 1600V
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 74A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 100A
Zündspannung, max.: 3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Bolzenbefestigung
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKT100/16 E - Thyristor-Modul, 74A, 1600V
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 74A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 100A
Zündspannung, max.: 3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: SCR einfach
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 150mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Bolzenbefestigung
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 130°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4519.68 грн |
| 5+ | 4305.43 грн |
| 10+ | 4057.87 грн |
| SEMIX453GB12E4S |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SEMIX453GB12E4S - IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 683A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stud
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMiX 3s
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dual
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 683A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SEMIX453GB12E4S - IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 683A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stud
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SEMiX 3s
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dual
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 683A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 29527.06 грн |
| 5+ | 28361.18 грн |
| SKM300GB12F4 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM300GB12F4 - IGBT-Modul, 380 A, 2.06 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V
Dauer-Kollektorstrom: 380A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 380A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: SEMIKRON - SKM300GB12F4 - IGBT-Modul, 380 A, 2.06 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V
Dauer-Kollektorstrom: 380A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 380A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 16250.4 грн |
| 5+ | 15644.75 грн |
| SKKE 81/12 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKKE 81/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 82 A, 1.55 V, Einfach, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.55V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 82A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SKKE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKKE 81/12 - Diodenmodul, 1.2 kV, 82 A, 1.55 V, Einfach, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.55V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 82A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SKKE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2583.86 грн |
| SKM195GB066D |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 265A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 265A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 265A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 265A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8043.06 грн |
| 5+ | 7641.82 грн |
| 10+ | 7080.07 грн |
| SKM400GB12V |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM400GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 612 A, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 612A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 612A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM400GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 612 A, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 612A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 612A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22306.93 грн |
| 5+ | 21474.91 грн |
| P3/300B |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - P3/300B - Kühlkörper, für isolierte Leistungsmodule, 0.33 °C/W, IGBT-Leistungsmodul, 125 mm, 135 mm, 300 mm
tariffCode: 76041090
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 5.31"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 135mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 125mm
Wärmewiderstand: 0.33°C/W
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: IGBT-Leistungsmodul
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Aluminium
Außenlänge - metrisch: 300mm
Außenbreite - Zoll: 4.92"
Außenlänge - imperial: 11.81"
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - P3/300B - Kühlkörper, für isolierte Leistungsmodule, 0.33 °C/W, IGBT-Leistungsmodul, 125 mm, 135 mm, 300 mm
tariffCode: 76041090
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 5.31"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 135mm
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 125mm
Wärmewiderstand: 0.33°C/W
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Gekühlte Bauformen/Gehäuse: IGBT-Leistungsmodul
productTraceability: No
Außendurchmesser - metrisch: -
Außendurchmesser - imperial: -
Kühlkörpermaterial: Aluminium
Außenlänge - metrisch: 300mm
Außenbreite - Zoll: 4.92"
Außenlänge - imperial: 11.81"
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11842.01 грн |
| SK85MH10T |
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SK85MH10T - MOSFET-Transistor, Anreicherungstyp, n-Kanal, 80 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 3.3 V
tariffCode: 85359000
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SK85MH10T - MOSFET-Transistor, Anreicherungstyp, n-Kanal, 80 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 3.3 V
tariffCode: 85359000
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2402.92 грн |
| 5+ | 2314.35 грн |
| 10+ | 2187.92 грн |
| SKM150GB12V |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM150GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 231 A, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 231A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 231A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: SEMIKRON - SKM150GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 231 A, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 231A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 231A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9757.06 грн |
| SKIIP 13AC126V1,M21 |
|
Виробник: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKIIP 13AC126V1,M21 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 41 A, 1.7 V, 150 °C, MiniSkiip-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 41A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: MiniSkiip-1
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: SEMIKRON - SKIIP 13AC126V1,M21 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 41 A, 1.7 V, 150 °C, MiniSkiip-1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 41A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: MiniSkiip-1
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 3758.83 грн |
| 80+ | 3593.79 грн |
| SKKT250/16E |
|
Виробник: Semikron
SCR Module 1600V 9000A 7-Pin Case A-73b
SCR Module 1600V 9000A 7-Pin Case A-73b
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9683.59 грн |