Продукція > TRANSPHORM > Всі товари виробника TRANSPHORM (148) > Сторінка 1 з 3

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TDADP-USBC-65W-KIT Transphorm Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 25V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 65 W
товар відсутній
TDAIO250P200-KIT TDAIO250P200-KIT Transphorm tdaio250p200-quick-start-guide Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
товар відсутній
TDHB-65H070L-DC TDHB-65H070L-DC Transphorm datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARD
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11510.55 грн
TDHB-65H070L-DC TDHB-65H070L-DC Transphorm ser-guide-tdhbg1200dc100-2-5kw-half-bridge-evaluat-1595592.pdf Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10414 грн
TDHBG1200DC100-KIT TDHBG1200DC100-KIT Transphorm ser-guide-tdhbg1200dc100-2-5kw-half-bridge-evaluat-1595592.pdf Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+26586.33 грн
TDHBG1200DC100-KIT TDHBG1200DC100-KIT Transphorm qs009_v1-TDHBG1200DC100_0V1.pdf Description: 1.2KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 1.2 kW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22908.95 грн
TDHBG2500P100-KIT TDHBG2500P100-KIT Transphorm dhbg2500p100-user-guide-20171206-1539032.pdf Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TDINV1000P100-KIT TDINV1000P100-KIT Transphorm tdinv1000p100-user-guide Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
товар відсутній
TDINV1000P100-KIT TDINV1000P100-KIT Transphorm tdinv1000p100_user_guide_20200915-1539036.pdf Power Management IC Development Tools 1kW inverter
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TDINV3000W050B-KIT TDINV3000W050B-KIT Transphorm tdinv3000w050b-user-guide Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS
Packaging: Box
Voltage - Input: 400V
Frequency - Switching: 50kHz
Regulator Topology: Full-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4WS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/AC Inverter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 3 kW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+54868.61 грн
TDINV3000W050B-KIT TDINV3000W050B-KIT Transphorm TDINV3000W050_user_guide_0v5-1539037.pdf Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+64566.8 грн
TDINV3000W050-KIT TDINV3000W050-KIT Transphorm tdinv3000w050-user-guide Description: 3.0KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 22A
Frequency - Switching: 50kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Power - Output: 3 kW
товар відсутній
TDINV3000W050-KIT TDINV3000W050-KIT Transphorm TDINV3000W050_user_guide_0v5-1539037.pdf Power Management IC Development Tools 3kW inverter
на замовлення 12 шт:
термін постачання 246-255 дні (днів)
1+59012.67 грн
TDINV3000W50B-KIT Transphorm Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
товар відсутній
TDINV3500P100-KIT TDINV3500P100-KIT Transphorm tdinv3500p100_user_guide_20200821-1539034.pdf Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TDINV3500P100-KIT TDINV3500P100-KIT Transphorm tdinv3500p100-user-guide Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDPS1000E0E10-KIT TDPS1000E0E10-KIT Transphorm TDPS1000E0E10-KIT.pdf Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
товар відсутній
TDPV1000E0C1-KIT TDPV1000E0C1-KIT Transphorm TDPV1000E0C1-KIT_UG.pdf Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Output: 1 kW
товар відсутній
TDTTP2500B066B-KIT TDTTP2500B066B-KIT Transphorm Description: 2.5 KW BRIDGELESS TOTEM-POLE PFC
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4BS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 2.5 kW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+72297.91 грн
TDTTP2500B066B-KIT TDTTP2500B066B-KIT Transphorm TDTTP2500B066B_KIT_Firmware_Guide_0V1_1-2448772.pdf Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 167-176 дні (днів)
1+99698.74 грн
TDTTP2500P100-KIT TDTTP2500P100-KIT Transphorm tdttp2500p100-kit-user-guide-20171206-1661348.pdf Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TDTTP2500P100-KIT TDTTP2500P100-KIT Transphorm tdttp2500p100-kit-user-guide Description: 2.5KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5 kW
товар відсутній
TDTTP4000 Transphorm Transphorm
товар відсутній
TDTTP4000W065AN-KIT TDTTP4000W065AN-KIT Transphorm tdttp4000w065an-user-guide Description: 4 KW ANALOG BRIDGELESS TOTEM-POL
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 387V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Frequency - Switching: 65kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 4 kW
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+78544.35 грн
TDTTP4000W065AN-KIT TDTTP4000W065AN-KIT Transphorm tdttp4000w065an_user_guide_20210601-1892221.pdf Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
товар відсутній
TDTTP4000W066B-KIT TDTTP4000W066B-KIT Transphorm tdttp4000w066b-user-guide Description: 4KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 15A
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H035WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Power - Output: 4 kW
товар відсутній
TDTTP4000W066B-KIT TDTTP4000W066B-KIT Transphorm dttp4000w066b-user-guide-20171023-1539028.pdf Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TDTTP4000W066C-KIT TDTTP4000W066C-KIT Transphorm TDTTP4000W066C-KIT_UG.pdf Description: 4 KW TOTEM POLE EVAL BRD DSPIC
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 387V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H035WS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 4 kW
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+100634.81 грн
TDTTP4000W066C-KIT TDTTP4000W066C-KIT Transphorm tdttp4000w066c_user_guide_2_20210318-2320291.pdf Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+116789.95 грн
TP65H015G5WS TP65H015G5WS Transphorm TP65H015G5WS_2v0_1-2448878.pdf MOSFET GAN FET 650V 95A TO2 47
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2356.11 грн
10+ 2063.88 грн
30+ 1728.04 грн
60+ 1698.42 грн
120+ 1569.84 грн
270+ 1464.15 грн
510+ 1405.59 грн
TP65H015G5WS TRANSPHORM 4156603.pdf Description: TRANSPHORM - TP65H015G5WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 95 A, 0.018 ohm, 74 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 74nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1744.43 грн
5+ 1677.97 грн
10+ 1610.01 грн
TP65H015G5WS TP65H015G5WS Transphorm TP65H015G5WS_1v0-1.pdf Description: 650 V 95 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2169.29 грн
30+ 1731.74 грн
120+ 1623.52 грн
TP65H035G4QS TP65H035G4QS Transphorm datasheet-tp65h035g4qs-650v-gan-fet-2 Description: 650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товар відсутній
TP65H035G4QS TP65H035G4QS Transphorm datasheet-tp65h035g4qs-650v-gan-fet-2 Description: 650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товар відсутній
TP65H035G4QS-TR TP65H035G4QS-TR Transphorm TP65H035G4QS_1v1_1-3386028.pdf MOSFET GaN FET 650 V 46.5A TOLL
товар відсутній
TP65H035G4WS TRANSPHORM 4156845.pdf Description: TRANSPHORM - TP65H035G4WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1110.09 грн
5+ 983.98 грн
10+ 917.52 грн
50+ 819.73 грн
100+ 715.89 грн
250+ 665.41 грн
TP65H035G4WS TP65H035G4WS Transphorm TP65H035G4WS_v3_5-1838752.pdf MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1310 грн
10+ 1138 грн
30+ 974.76 грн
60+ 944.46 грн
120+ 854.93 грн
270+ 840.79 грн
510+ 774.82 грн
TP65H035G4WS TP65H035G4WS Transphorm TP65H035G4WS_v1.2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1223.36 грн
30+ 953.69 грн
120+ 897.6 грн
510+ 763.39 грн
TP65H035G4WSQA TP65H035G4WSQA Transphorm datasheet_tp65h035g4wsqa_650v_gan_fet_20211029-2604321.pdf MOSFET GAN FET 650V 46.5A TO247
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1411.31 грн
10+ 1226.25 грн
30+ 1050.15 грн
60+ 1017.17 грн
120+ 920.9 грн
270+ 905.42 грн
510+ 852.24 грн
TP65H035G4WSQA TP65H035G4WSQA Transphorm TP65H035G4WSQA_v1.2.pdf Description: 650 V 46.5 GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1299.1 грн
30+ 1012.82 грн
120+ 953.25 грн
TP65H035G4WSQA TRANSPHORM 4156846.pdf Description: TRANSPHORM - TP65H035G4WSQA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1776.9 грн
5+ 1575.27 грн
10+ 1468.79 грн
50+ 1312.69 грн
100+ 1145.69 грн
250+ 1065.43 грн
TP65H035WS TP65H035WS Transphorm TP65H035WS_v4-1842514.pdf MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1467.86 грн
10+ 1334.63 грн
120+ 990.91 грн
510+ 900.03 грн
1020+ 846.85 грн
TP65H035WS TP65H035WS Transphorm datasheet-tp65h035ws-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+958.3 грн
30+ 841.21 грн
TP65H035WSQA TP65H035WSQA Transphorm tp65h035wsqa_v1-1539039.pdf MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1565.24 грн
10+ 1423.66 грн
120+ 1056.88 грн
510+ 959.27 грн
1020+ 903.4 грн
TP65H035WSQA TP65H035WSQA Transphorm tp65h035wsqa_v1-1.pdf Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1433.08 грн
60+ 1143.68 грн
120+ 1072.2 грн
TP65H050G4BS TP65H050G4BS Transphorm datasheet-tp65h050g4bs-650v-gan-fet Description: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+843.25 грн
50+ 657.06 грн
100+ 618.41 грн
TP65H050G4BS TP65H050G4BS Transphorm TP65H050G4BS_1v2-3159416.pdf MOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+915.74 грн
10+ 805.89 грн
50+ 595.09 грн
250+ 578.93 грн
500+ 541.23 грн
1000+ 496.13 грн
2500+ 481.32 грн
TP65H050G4BS TRANSPHORM 4156847.pdf Description: TRANSPHORM - TP65H050G4BS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 16nC
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+922.05 грн
5+ 817.09 грн
10+ 761.96 грн
50+ 680.89 грн
100+ 594.21 грн
250+ 552.78 грн
TP65H050G4WS TP65H050G4WS Transphorm TP65H050G4WS_1v0_1-2580572.pdf MOSFET GAN FET 650V 34A TO247
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1048.47 грн
10+ 910.4 грн
30+ 770.78 грн
60+ 727.7 грн
120+ 683.94 грн
270+ 663.08 грн
510+ 620.67 грн
TP65H050G4WS TP65H050G4WS Transphorm datasheet-tp65h050g4ws-650v-gan-fet-2 Description: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.85 грн
30+ 745.66 грн
120+ 701.8 грн
TP65H050G4WS TRANSPHORM 4156849.pdf Description: TRANSPHORM - TP65H050G4WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 16nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1042.88 грн
5+ 924.32 грн
10+ 862.4 грн
50+ 770.64 грн
100+ 672.53 грн
250+ 625.28 грн
TP65H050G4YS TP65H050G4YS Transphorm TP65H050G4YS_1v3-3385973.pdf MOSFET GaN FET 650 V 35A TO-247-4
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1048.47 грн
10+ 910.4 грн
30+ 770.11 грн
60+ 727.7 грн
120+ 683.94 грн
270+ 663.08 грн
510+ 620.67 грн
TP65H050G4YS TRANSPHORM 4156850.pdf Description: TRANSPHORM - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 16nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.58 грн
5+ 788.39 грн
10+ 734.77 грн
50+ 657.05 грн
100+ 573.49 грн
250+ 533.36 грн
TP65H050WS TP65H050WS Transphorm tp65h050ws_v2-1539038.pdf MOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1298.22 грн
10+ 1175.93 грн
120+ 881.86 грн
510+ 768.09 грн
1020+ 732.41 грн
2520+ 714.24 грн
TP65H050WS TP65H050WS Transphorm datasheet-tp65h050ws-650v-gan-fet Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1204.43 грн
30+ 939.05 грн
120+ 883.8 грн
TP65H050WSQA TP65H050WSQA Transphorm datasheet-tp65h050wsqa Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1259.77 грн
10+ 1069.08 грн
TP65H050WSQA TP65H050WSQA Transphorm TP65H050WSQA_v3-1665088.pdf MOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1385.39 грн
10+ 1205.35 грн
30+ 961.29 грн
60+ 905.42 грн
120+ 904.75 грн
270+ 821.27 грн
510+ 819.93 грн
TP65H070G4LSGB-TR TP65H070G4LSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h070g4lsgb Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товар відсутній
TP65H070G4LSGB-TR TP65H070G4LSGB-TR Transphorm datasheet-tp65h070g4lsgb Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.47 грн
10+ 607.4 грн
100+ 506.16 грн
500+ 419.13 грн
1000+ 377.22 грн
TP65H070G4LSGB-TR TP65H070G4LSGB-TR Transphorm tp65h070g4lsgb_1v5_1-3179786.pdf MOSFET GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.51 грн
10+ 666.54 грн
25+ 525.08 грн
100+ 482.67 грн
250+ 454.39 грн
500+ 426.12 грн
1000+ 403.9 грн
TDADP-USBC-65W-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 65 W OPEN FRAME 65 W USB-C PD PO
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 25V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDADP-USBC-65W
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 65 W
товар відсутній
TDAIO250P200-KIT tdaio250p200-quick-start-guide
TDAIO250P200-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 250W PFC + LLC POWER SUPPLY KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 200kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3202PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 250 W
товар відсутній
TDHB-65H070L-DC datasheet-tp65h070l-650v-gan-fet
TDHB-65H070L-DC
Виробник: Transphorm
Description: TP65H070L HALF-BRIDGE BOARD
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11510.55 грн
TDHB-65H070L-DC ser-guide-tdhbg1200dc100-2-5kw-half-bridge-evaluat-1595592.pdf
TDHB-65H070L-DC
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched daughter card
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10414 грн
TDHBG1200DC100-KIT ser-guide-tdhbg1200dc100-2-5kw-half-bridge-evaluat-1595592.pdf
TDHBG1200DC100-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+26586.33 грн
TDHBG1200DC100-KIT qs009_v1-TDHBG1200DC100_0V1.pdf
TDHBG1200DC100-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 1.2KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 16A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H070L
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 1.2 kW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+22908.95 грн
TDHBG2500P100-KIT dhbg2500p100-user-guide-20171206-1539032.pdf
TDHBG2500P100-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW hard-switched Half-bridge, buck or boost
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TDINV1000P100-KIT tdinv1000p100-user-guide
TDINV1000P100-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVALUATION KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PSB
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
товар відсутній
TDINV1000P100-KIT tdinv1000p100_user_guide_20200915-1539036.pdf
TDINV1000P100-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 1kW inverter
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TDINV3000W050B-KIT tdinv3000w050b-user-guide
TDINV3000W050B-KIT
Виробник: Transphorm
Description: EVAL BOARD FOR TP65H050G4WS
Packaging: Box
Voltage - Input: 400V
Frequency - Switching: 50kHz
Regulator Topology: Full-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4WS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/AC Inverter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 3 kW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+54868.61 грн
TDINV3000W050B-KIT TDINV3000W050_user_guide_0v5-1539037.pdf
TDINV3000W050B-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+64566.8 грн
TDINV3000W050-KIT tdinv3000w050-user-guide
TDINV3000W050-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 3.0KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 22A
Frequency - Switching: 50kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Power - Output: 3 kW
товар відсутній
TDINV3000W050-KIT TDINV3000W050_user_guide_0v5-1539037.pdf
TDINV3000W050-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3kW inverter
на замовлення 12 шт:
термін постачання 246-255 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+59012.67 грн
TDINV3000W50B-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3 kW Inverter w/Microchip dsPIC
товар відсутній
TDINV3500P100-KIT tdinv3500p100_user_guide_20200821-1539034.pdf
TDINV3500P100-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 3.5kW inverter (900V)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TDINV3500P100-KIT tdinv3500p100-user-guide
TDINV3500P100-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 3.5KW INVERTER EVAL KIT
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TDPS1000E0E10-KIT TDPS1000E0E10-KIT.pdf
TDPS1000E0E10-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 1KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Boost, Buck, Half-Bridge
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 1 kW
товар відсутній
TDPV1000E0C1-KIT TDPV1000E0C1-KIT_UG.pdf
TDPV1000E0C1-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 1KW INVERTER EVAL KIT
Packaging: Bulk
Current - Output: 10A
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Inverting
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3206PS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: DC/AC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Output: 1 kW
товар відсутній
TDTTP2500B066B-KIT
TDTTP2500B066B-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 2.5 KW BRIDGELESS TOTEM-POLE PFC
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H050G4BS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 2.5 kW
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+72297.91 грн
TDTTP2500B066B-KIT TDTTP2500B066B_KIT_Firmware_Guide_0V1_1-2448772.pdf
TDTTP2500B066B-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 167-176 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+99698.74 грн
TDTTP2500P100-KIT tdttp2500p100-kit-user-guide-20171206-1661348.pdf
TDTTP2500P100-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 2.5kW Totem-pole PFC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TDTTP2500P100-KIT tdttp2500p100-kit-user-guide
TDTTP2500P100-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 2.5KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Frequency - Switching: 100kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPH3212PS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 2.5 kW
товар відсутній
TDTTP4000
Виробник: Transphorm
Transphorm
товар відсутній
TDTTP4000W065AN-KIT tdttp4000w065an-user-guide
TDTTP4000W065AN-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 4 KW ANALOG BRIDGELESS TOTEM-POL
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 387V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Frequency - Switching: 65kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TDTTP4000W065AN
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 4 kW
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+78544.35 грн
TDTTP4000W065AN-KIT tdttp4000w065an_user_guide_20210601-1892221.pdf
TDTTP4000W065AN-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Analog Totem-pole PFC
товар відсутній
TDTTP4000W066B-KIT tdttp4000w066b-user-guide
TDTTP4000W066B-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 4KW TOTEM-POLE PFC EVAL KIT
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 390V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 15A
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H035WS
Supplied Contents: Board(s), Power Supply
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Power - Output: 4 kW
товар відсутній
TDTTP4000W066B-KIT dttp4000w066b-user-guide-20171023-1539028.pdf
TDTTP4000W066B-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4kW Totem-pole PFC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TDTTP4000W066C-KIT TDTTP4000W066C-KIT_UG.pdf
TDTTP4000W066C-KIT
Виробник: Transphorm
Description: 4 KW TOTEM POLE EVAL BRD DSPIC
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 387V
Voltage - Input: 85 ~ 265 VAC
Frequency - Switching: 66kHz
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TP65H035WS
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary Side and PFC
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
Power - Output: 4 kW
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+100634.81 грн
TDTTP4000W066C-KIT tdttp4000w066c_user_guide_2_20210318-2320291.pdf
TDTTP4000W066C-KIT
Виробник: Transphorm
Power Management IC Development Tools 4 kW Totem-pole w/Microchip dsPIC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+116789.95 грн
TP65H015G5WS TP65H015G5WS_2v0_1-2448878.pdf
TP65H015G5WS
Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 95A TO2 47
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2356.11 грн
10+ 2063.88 грн
30+ 1728.04 грн
60+ 1698.42 грн
120+ 1569.84 грн
270+ 1464.15 грн
510+ 1405.59 грн
TP65H015G5WS 4156603.pdf
Виробник: TRANSPHORM
Description: TRANSPHORM - TP65H015G5WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 95 A, 0.018 ohm, 74 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 74nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1744.43 грн
5+ 1677.97 грн
10+ 1610.01 грн
TP65H015G5WS TP65H015G5WS_1v0-1.pdf
TP65H015G5WS
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 95 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5218 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2169.29 грн
30+ 1731.74 грн
120+ 1623.52 грн
TP65H035G4QS datasheet-tp65h035g4qs-650v-gan-fet-2
TP65H035G4QS
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товар відсутній
TP65H035G4QS datasheet-tp65h035g4qs-650v-gan-fet-2
TP65H035G4QS
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товар відсутній
TP65H035G4QS-TR TP65H035G4QS_1v1_1-3386028.pdf
TP65H035G4QS-TR
Виробник: Transphorm
MOSFET GaN FET 650 V 46.5A TOLL
товар відсутній
TP65H035G4WS 4156845.pdf
Виробник: TRANSPHORM
Description: TRANSPHORM - TP65H035G4WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1110.09 грн
5+ 983.98 грн
10+ 917.52 грн
50+ 819.73 грн
100+ 715.89 грн
250+ 665.41 грн
TP65H035G4WS TP65H035G4WS_v3_5-1838752.pdf
TP65H035G4WS
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1310 грн
10+ 1138 грн
30+ 974.76 грн
60+ 944.46 грн
120+ 854.93 грн
270+ 840.79 грн
510+ 774.82 грн
TP65H035G4WS TP65H035G4WS_v1.2.pdf
TP65H035G4WS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1223.36 грн
30+ 953.69 грн
120+ 897.6 грн
510+ 763.39 грн
TP65H035G4WSQA datasheet_tp65h035g4wsqa_650v_gan_fet_20211029-2604321.pdf
TP65H035G4WSQA
Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 46.5A TO247
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1411.31 грн
10+ 1226.25 грн
30+ 1050.15 грн
60+ 1017.17 грн
120+ 920.9 грн
270+ 905.42 грн
510+ 852.24 грн
TP65H035G4WSQA TP65H035G4WSQA_v1.2.pdf
TP65H035G4WSQA
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 46.5 GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1299.1 грн
30+ 1012.82 грн
120+ 953.25 грн
TP65H035G4WSQA 4156846.pdf
Виробник: TRANSPHORM
Description: TRANSPHORM - TP65H035G4WSQA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 22nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1776.9 грн
5+ 1575.27 грн
10+ 1468.79 грн
50+ 1312.69 грн
100+ 1145.69 грн
250+ 1065.43 грн
TP65H035WS TP65H035WS_v4-1842514.pdf
TP65H035WS
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1467.86 грн
10+ 1334.63 грн
120+ 990.91 грн
510+ 900.03 грн
1020+ 846.85 грн
TP65H035WS datasheet-tp65h035ws-650v-gan-fet
TP65H035WS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+958.3 грн
30+ 841.21 грн
TP65H035WSQA tp65h035wsqa_v1-1539039.pdf
TP65H035WSQA
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 35mOhm
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1565.24 грн
10+ 1423.66 грн
120+ 1056.88 грн
510+ 959.27 грн
1020+ 903.4 грн
TP65H035WSQA tp65h035wsqa_v1-1.pdf
TP65H035WSQA
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1433.08 грн
60+ 1143.68 грн
120+ 1072.2 грн
TP65H050G4BS datasheet-tp65h050g4bs-650v-gan-fet
TP65H050G4BS
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+843.25 грн
50+ 657.06 грн
100+ 618.41 грн
TP65H050G4BS TP65H050G4BS_1v2-3159416.pdf
TP65H050G4BS
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+915.74 грн
10+ 805.89 грн
50+ 595.09 грн
250+ 578.93 грн
500+ 541.23 грн
1000+ 496.13 грн
2500+ 481.32 грн
TP65H050G4BS 4156847.pdf
Виробник: TRANSPHORM
Description: TRANSPHORM - TP65H050G4BS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 16nC
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+922.05 грн
5+ 817.09 грн
10+ 761.96 грн
50+ 680.89 грн
100+ 594.21 грн
250+ 552.78 грн
TP65H050G4WS TP65H050G4WS_1v0_1-2580572.pdf
TP65H050G4WS
Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 34A TO247
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1048.47 грн
10+ 910.4 грн
30+ 770.78 грн
60+ 727.7 грн
120+ 683.94 грн
270+ 663.08 грн
510+ 620.67 грн
TP65H050G4WS datasheet-tp65h050g4ws-650v-gan-fet-2
TP65H050G4WS
Виробник: Transphorm
Description: 650 V 34 A GAN FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+956.85 грн
30+ 745.66 грн
120+ 701.8 грн
TP65H050G4WS 4156849.pdf
Виробник: TRANSPHORM
Description: TRANSPHORM - TP65H050G4WS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 16nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1042.88 грн
5+ 924.32 грн
10+ 862.4 грн
50+ 770.64 грн
100+ 672.53 грн
250+ 625.28 грн
TP65H050G4YS TP65H050G4YS_1v3-3385973.pdf
TP65H050G4YS
Виробник: Transphorm
MOSFET GaN FET 650 V 35A TO-247-4
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1048.47 грн
10+ 910.4 грн
30+ 770.11 грн
60+ 727.7 грн
120+ 683.94 грн
270+ 663.08 грн
510+ 620.67 грн
TP65H050G4YS 4156850.pdf
Виробник: TRANSPHORM
Description: TRANSPHORM - TP65H050G4YS - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 35 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 16nC
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+889.58 грн
5+ 788.39 грн
10+ 734.77 грн
50+ 657.05 грн
100+ 573.49 грн
250+ 533.36 грн
TP65H050WS tp65h050ws_v2-1539038.pdf
TP65H050WS
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1298.22 грн
10+ 1175.93 грн
120+ 881.86 грн
510+ 768.09 грн
1020+ 732.41 грн
2520+ 714.24 грн
TP65H050WS datasheet-tp65h050ws-650v-gan-fet
TP65H050WS
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1204.43 грн
30+ 939.05 грн
120+ 883.8 грн
TP65H050WSQA datasheet-tp65h050wsqa
TP65H050WSQA
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1259.77 грн
10+ 1069.08 грн
TP65H050WSQA TP65H050WSQA_v3-1665088.pdf
TP65H050WSQA
Виробник: Transphorm
MOSFET 650V, 50mOhm
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1385.39 грн
10+ 1205.35 грн
30+ 961.29 грн
60+ 905.42 грн
120+ 904.75 грн
270+ 821.27 грн
510+ 819.93 грн
TP65H070G4LSGB-TR datasheet-tp65h070g4lsgb
TP65H070G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
товар відсутній
TP65H070G4LSGB-TR datasheet-tp65h070g4lsgb
TP65H070G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
Description: GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 400 V
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+735.47 грн
10+ 607.4 грн
100+ 506.16 грн
500+ 419.13 грн
1000+ 377.22 грн
TP65H070G4LSGB-TR tp65h070g4lsgb_1v5_1-3179786.pdf
TP65H070G4LSGB-TR
Виробник: Transphorm
MOSFET GAN FET 650V 29A QFN8x8
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+788.51 грн
10+ 666.54 грн
25+ 525.08 грн
100+ 482.67 грн
250+ 454.39 грн
500+ 426.12 грн
1000+ 403.9 грн
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]