Продукція > NXH

Discrete Semiconductor Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	17608.41 грн
10+	16256.58 грн
20+	13681.63 грн

NXH003P120M3F2PTHG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 36-Pin PIM Tray

товар відсутній

NXH003P120M3F2PTNG

Discrete Semiconductor Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	18597.09 грн
10+	17169.42 грн
20+	14450.22 грн

NXH003P120M3F2PTNG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 435A 36-Pin PIM Tray

товар відсутній

NXH003P120M3F2PTNG

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.48kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17122.77 грн

NXH004P120M3F2PTHG

Description: ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	13387.16 грн
20+	12074.46 грн
40+	11620.53 грн

NXH004P120M3F2PTHG

Discrete Semiconductor Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	14340.12 грн
10+	13239.19 грн
20+	11142.62 грн

NXH004P120M3F2PTHG

Silicon Carbide Module -Elite SIC, 4mohm SIC M3 MOSFET

товар відсутній

NXH004P120M3F2PTNG

Discrete Semiconductor Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	15490.36 грн
10+	14300.61 грн
20+	12036.44 грн

NXH004P120M3F2PTNG

NXH004P120M3F2PTNG

товар відсутній

NXH006P120M3F2PTHG

Silicon Carbide Module MOSFET

товар відсутній

NXH006P120MNF2PTG

Description: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV

товар відсутній

NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	16335.62 грн

Мінімальне замовлення: 20

NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A Automotive 36-Pin PIM Tray

товар відсутній

NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

товар відсутній

NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

товар відсутній

NXH006P120MNF2PTG
Код товару: 201505

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	29423.94 грн
2+	28368.93 грн
3+	27475.66 грн

NXH006P120MNF2PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	22411.9 грн
10+	20691.23 грн
20+	17413.94 грн

NXH006P120MNF2PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	18989.58 грн

Мінімальне замовлення: 17

NXH008T120M3F2PTHG

Discrete Semiconductor Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

на замовлення 20 шт:

термін постачання 105-114 дні (днів)

1+	13448.84 грн
10+	12695.91 грн

NXH010P120MNF1PG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM

на замовлення 28 шт:

термін постачання 554-563 дні (днів)

1+	11324.61 грн
10+	10454.96 грн
28+	8799.73 грн

NXH010P120MNF1PG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive

товар відсутній

NXH010P120MNF1PG

Description: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Part Status: Active

товар відсутній

NXH010P120MNF1PNG

Description: SIC 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA

на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10526.67 грн
10+	9708.46 грн
28+	9494.33 грн

NXH010P120MNF1PNG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	11433.6 грн
10+	10554.78 грн
28+	8883.88 грн

NXH010P120MNF1PNG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive

товар відсутній

NXH010P120MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM

на замовлення 56 шт:

термін постачання 1095-1104 дні (днів)

1+	11324.61 грн
10+	10454.96 грн
28+	8799.73 грн

NXH010P120MNF1PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive Tray

товар відсутній

NXH010P120MNF1PTG

товар відсутній

NXH010P120MNF1PTNG

Description: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Part Status: Active

товар відсутній

NXH010P120MNF1PTNG

Discrete Semiconductor Modules SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material, Nickel Plated

товар відсутній

NXH010P120MNF1PTNG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A

товар відсутній

NXH010P90MNF1PG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM

на замовлення 28 шт:

термін постачання 518-527 дні (днів)

1+	9504.94 грн
10+	8150.01 грн

NXH010P90MNF1PG

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive

товар відсутній

NXH010P90MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM

на замовлення 56 шт:

термін постачання 906-915 дні (днів)

1+	11605.98 грн
10+	10714.79 грн
28+	9017.72 грн

NXH010P90MNF1PTG

Description: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOH
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
Part Status: Active

товар відсутній

NXH010P90MNF1PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive Tray

товар відсутній

NXH011T120M3F2PTHG

Discrete Semiconductor Modules 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	11067.97 грн
10+	10347.52 грн
20+	8752.69 грн
100+	8140.47 грн
260+	7957.59 грн

NXH011T120M3F2PTHG

Description: 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODUL
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 70A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 306nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 40mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9271.67 грн
20+	8264.8 грн
40+	7963.15 грн
80+	7133.42 грн

NXH020F120MNF1PG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM

товар відсутній

NXH020F120MNF1PG

Description: SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)

товар відсутній

NXH020F120MNF1PG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A

товар відсутній

NXH020F120MNF1PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray

товар відсутній

NXH020F120MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM

на замовлення 56 шт:

термін постачання 98-107 дні (днів)

1+	11585.11 грн
10+	10694.98 грн

NXH020F120MNF1PTG

товар відсутній

NXH020P120MNF1PG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM

на замовлення 25 шт:

термін постачання 98-107 дні (днів)

1+	8142.9 грн
10+	7327.84 грн

NXH020P120MNF1PG

Description: SIC 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA

товар відсутній

NXH020P120MNF1PG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A

товар відсутній

NXH020P120MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM

на замовлення 28 шт:

термін постачання 98-107 дні (днів)

1+	8142.9 грн
10+	7327.84 грн

NXH020P120MNF1PTG

товар відсутній

NXH020P120MNF1PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray

товар відсутній

NXH020U90MNF2PTG

SiC Modules, Vienna Module SiC MOSFET

товар відсутній

NXH020U90MNF2PTG

Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

NXH020U90MNF2PTG

Description: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Module
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18323.33 грн
5+	17956.89 грн

NXH020U90MNF2PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	14786.92 грн
10+	13651.41 грн
20+	11489.81 грн

NXH020U90MNF2PTG

Description: SIC 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	13613.64 грн

NXH020U90MNF2PTG

товар відсутній

NXH027B120MNF2PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F2 FULL SIC BOOST 1200V 27MOHM TIM PRESS-FIT PINS

товар відсутній

NXH027B120MNF2PTG

Description: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	20257.48 грн

Мінімальне замовлення: 20

NXH027B120MNF2PTG

Description: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	21628.16 грн
10+	19507.2 грн

NXH040F120MNF1PG

Description: SIC 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)

товар відсутній

NXH040F120MNF1PG

NXH040F120MNF1PG

товар відсутній

NXH040F120MNF1PG

onsemi PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM

товар відсутній

NXH040F120MNF1PTG

товар відсутній

NXH040F120MNF1PTG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Tray

товар відсутній

NXH040F120MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM

на замовлення 56 шт:

термін постачання 1161-1170 дні (днів)

1+	8142.9 грн
10+	7327.84 грн
28+	6079.18 грн
56+	5945.34 грн
112+	5797.58 грн

NXH040P120MNF1PG

Description: SIC 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA

товар відсутній

NXH040P120MNF1PG

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive

товар відсутній

NXH040P120MNF1PG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM

на замовлення 28 шт:

термін постачання 522-531 дні (днів)

1+	5891.89 грн
10+	5302.53 грн
28+	4398.87 грн

NXH040P120MNF1PTG

товар відсутній

NXH040P120MNF1PTG

Discrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM

на замовлення 28 шт:

термін постачання 1239-1248 дні (днів)

1+	5891.89 грн
10+	5302.53 грн
28+	4398.87 грн

NXH100B120H3Q0PG

Description: ONSEMI - NXH100B120H3Q0PG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 61A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4418.8 грн

NXH100B120H3Q0PG

Description: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5682.27 грн
24+	4995.7 грн

NXH100B120H3Q0PTG

IGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6054.99 грн
10+	5726.19 грн
24+	4607.59 грн
48+	4393.57 грн

NXH100B120H3Q0PTG

Description: IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V

на замовлення 262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5682.27 грн
24+	4995.7 грн
48+	4766.22 грн
96+	4240.98 грн

NXH100B120H3Q0SG

Description: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5682.27 грн

NXH100B120H3Q0SG

Description: ONSEMI - NXH100B120H3Q0SG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 61A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4418.8 грн

NXH100B120H3Q0STG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 186000mW Tray

товар відсутній

NXH100B120H3Q0STG

Description: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH100B120H3Q0STG

IGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM

на замовлення 24 шт:

термін постачання 98-107 дні (днів)

1+	6170.94 грн
10+	5553.22 грн
24+	4607.59 грн
48+	4505.55 грн
120+	4393.57 грн

NXH1010-WB

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NXH1010UK/S3,518

935287739518

товар відсутній

NXH1031UK/A4BZ

935307661043

товар відсутній

NXH1501UK/A3Z

935304943012

товар відсутній

NXH1501UK/A4Z

935307902012

товар відсутній

NXH1501UK/A5Z

935351916012

товар відсутній

NXH16.000AC12F

07+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NXH16.000AC12F

07+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NXH160T120L2Q1SG

Q1PACK Module

товар відсутній

NXH160T120L2Q1SG

Description: PIM Q1 SPLIT T-TYPE NPC 160A 120
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 30-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38164 pF @ 25 V

товар відсутній

NXH160T120L2Q1SG

IGBT Modules PIM Q1 SPLIT T-TYPE NPC 160A 1200V SOLDER PINS

товар відсутній

NXH160T120L2Q2F2S1G

Power IGBT Module Transistor

товар відсутній

NXH160T120L2Q2F2S1G

Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 181 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9870.14 грн
12+	8798.06 грн
36+	8476.93 грн

NXH160T120L2Q2F2S1G

IGBT Modules MASS PIM 1200V, 160A SPLIT TNPC (INSOURCING)

товар відсутній

NXH160T120L2Q2F2SG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 181A 500mW 56-Pin Case 180AK Tray

товар відсутній

NXH160T120L2Q2F2SG

Description: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8595.79 грн

NXH160T120L2Q2F2SG

IGBT Modules PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NXH160T120L2Q2F2SG

Description: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

товар відсутній

NXH1900UK/B3Z

935350897012

товар відсутній

NXH2003UK/C1AZ

High Performance RF IC

товар відсутній

NXH200B100H4F2SG

IGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	10502.12 грн
10+	9583.27 грн
20+	8029.81 грн
60+	7829.72 грн

NXH200B100H4F2SG

Description: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10098.2 грн
5+	9505.06 грн
10+	8911.92 грн

NXH200B100H4F2SG

Description: 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.523 nF @ 20 V

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9670.17 грн

NXH200B100H4F2SG-R

товар відсутній

NXH200B100H4F2SG-R

IGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	13475.12 грн
10+	12439.89 грн
20+	10470.1 грн

NXH200T120H3Q2F2SG

Description: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	13484.63 грн
12+	12162.38 грн
36+	11705.15 грн

NXH200T120H3Q2F2SG

Si SiC Hybrid Module, Split T Type NPC, IGBT 1200 V, 200 A and 650 V, 150 A. SiC Diode 650 V, 75 A. Solder pins

товар відсутній

NXH200T120H3Q2F2STG

Description: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V

товар відсутній

NXH200T120H3Q2F2STNG

Description: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V

товар відсутній

NXH2180UK,518

Description: MI-RADIO TRANSCEIVER WITH FLASH
Packaging: Bulk

на замовлення 254838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	1110.52 грн

Мінімальне замовлення: 19

NXH2261UK/A1BSCZ

Description: NXH2261UK - NFMI RADIO FOR WIREL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

NXH2261UK/A1BSCZ

High Performance Communication IC

товар відсутній

NXH2265UK/A0BSCZ

NFMI Radio 40-Pin WLCSP T/R

товар відсутній

NXH2265UK/A0BSCZ

NXP Semiconductors NXH2265UK/WLCSP40//A0BSC/REEL 7 Q1 DP CHIPS

товар відсутній

NXH2280DK

NXH2280DK

товар відсутній

NXH2280DKR,598

NxH2280 Demokit

товар відсутній

NXH2280DKRUL

BL SECURE INTERFACES & POWER

товар відсутній

NXH2280UK

High Performance RF IC

товар відсутній

NXH2280UK/C1012

Description: NXH2280UK - Power Distribution S
Packaging: Bulk

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	668.12 грн

Мінімальне замовлення: 30

NXH2280UK/C1Z

NXH2280UK/C1Z

товар відсутній

NXH2280UK/C1Z

Description: NXH2280 - NFMI RADIO FOR WIRELES
Packaging: Bulk

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	668.19 грн

Мінімальне замовлення: 30

NXH2281SDKUL

BL SECURE INTERFACES & POWER

товар відсутній

NXH24.000AC12F

07+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NXH24.000AC12F

07+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NXH240B120H3Q1P1G

IGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PIN

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	8256.53 грн
10+	7533.58 грн
21+	6312.41 грн
42+	6156.04 грн

NXH240B120H3Q1PG

IGBT Modules Power Integrated Module (PIM) 3-channel 1200 V IGBT + SiC Boost, 80 A IGBT and 20 A SiC diode Press-fit pins

товар відсутній

NXH240B120H3Q1PG

Description: PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10020.66 грн
21+	9038.31 грн
42+	8698.52 грн

NXH240B120H3Q1PG-R

IGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	10304.23 грн
10+	9401.92 грн
21+	7877.42 грн
42+	7681.3 грн

NXH240B120H3Q1PG-R

Description: PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V

на замовлення 4557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9366.99 грн
21+	8349.6 грн
42+	8044.87 грн

NXH240B120H3Q1S1G

IGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN

товар відсутній

NXH240B120H3Q1S1G-R

Description: 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.082 nF @ 20 V

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9743.28 грн
21+	8685.2 грн

NXH240B120H3Q1S1G-R

IGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	9265.31 грн

NXH25.000AC20F-BT-3

на замовлення 65342 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NXH25C120L2C2SG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 20mW 26-Pin DIP Tube

товар відсутній

NXH25C120L2C2SG

Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4906.76 грн

NXH25C120L2C2SG

Description: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2891.36 грн
5+	2833.38 грн

NXH25C120L2C2SG

IGBT Modules TMPIM 1200V 25A CIB

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5011.43 грн
12+	4588.57 грн
252+	3968.2 грн
504+	3946.33 грн

NXH25T120L2Q1PG

Description: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH25T120L2Q1PG

IGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A 1200V PRESS-FIT PINS

товар відсутній

NXH25T120L2Q1PG

IGBT Transistor Module

товар відсутній

NXH25T120L2Q1PTG

IGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A 1200V PRESS-FIT PINS TIM

на замовлення 21 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

1+	5370.11 грн
10+	4797.35 грн
21+	4027.17 грн
42+	3884.05 грн
105+	3740.27 грн
252+	3703.83 грн

NXH25T120L2Q1PTG

товар відсутній

NXH27.000AG10F-BK6

на замовлення 65397 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NXH300B100H4Q2F2PG

Description: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH300B100H4Q2F2PG

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode

на замовлення 36 шт:

термін постачання 1301-1310 дні (днів)

1+	14782.28 грн

NXH300B100H4Q2F2S1G

Description: PIM 1500V 250KW Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH300B100H4Q2F2S1G

IGBT Modules PIM 1500V 250KW Q2BOOST

товар відсутній

NXH300B100H4Q2F2SG

Description: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 73A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	13969.94 грн
5+	12928.6 грн

NXH300B100H4Q2F2SG

Description: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	12911.96 грн
12+	11645.43 грн
36+	11207.62 грн

NXH300B100H4Q2F2SG-R

Description: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	16722.12 грн
12+	15081.82 грн
36+	14514.79 грн

NXH350N100H4Q2F2P1G

Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18225.96 грн
5+	15947.81 грн

NXH350N100H4Q2F2P1G

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	15319.53 грн
10+	14137.55 грн
25+	12279.61 грн
36+	11903.92 грн

NXH350N100H4Q2F2P1G

Description: IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	14105.32 грн
12+	12722.41 грн
36+	12244.07 грн

NXH350N100H4Q2F2P1G-R

IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET

товар відсутній

NXH350N100H4Q2F2P1G-R

Description: GEN1.5 1500V MASS MARKET
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V

на замовлення 1764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18726.82 грн
12+	16890.17 грн
36+	16255.22 грн

NXH350N100H4Q2F2PG

Description: IC MODULE PIM 350A 1000V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH350N100H4Q2F2S1G

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Solder pins

товар відсутній

NXH350N100H4Q2F2S1G

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	16188.15 грн
12+	14600.64 грн
36+	14051.73 грн

NXH350N100H4Q2F2S1G

Description: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20471.41 грн
5+	17912.3 грн

NXH350N100H4Q2F2S1G-R

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	19279.42 грн
12+	17388.14 грн
36+	16734.47 грн

NXH350N100H4Q2F2S1G-R

IGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET

товар відсутній

NXH350N100H4Q2F2SG

товар відсутній

NXH35C120L2C2ESG

IGBT Modules TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6107.56 грн
12+	5301.77 грн
102+	4344.54 грн
252+	4318.7 грн
504+	4304.79 грн

NXH35C120L2C2ESG

Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5872.65 грн

NXH35C120L2C2ESG

Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.333 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH35C120L2C2ESG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube

товар відсутній

NXH35C120L2C2S1G

IGBT Modules TMPIM 1200V 35A CI

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5802.22 грн
12+	5182.9 грн
30+	4001.99 грн

NXH35C120L2C2SG

Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH35C120L2C2SG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube

товар відсутній

NXH35C120L2C2SG

IGBT Modules TMPIM 1200V 35A CIB

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6925.4 грн
12+	6681.7 грн
54+	5795.59 грн
102+	5704.82 грн
252+	5682.95 грн
2502+	5682.29 грн

NXH35C120L2C2SG

Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	6202.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

NXH35C120L2C2SG

Description: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6792.09 грн
5+	6656.07 грн

NXH3670ADK

Bluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670ADK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	41904.14 грн

NXH3670ADK

Description: NXH3670ADK
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

NXH3670ADK

Ultra-low power 2.4 GHz Bluetooth Low Energy transceiver for audio streaming

товар відсутній

NXH3670SDKUL

Bluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670SDK 12NC: 935351521598

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	80628.11 грн

NXH3670SDKUL

Description: NXH3670SDK

товар відсутній

NXH3670UK/A1Z

NXP

Description: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -A
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: -A
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Übertragungsrate: 2Mbps
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	578.27 грн
10+	488.33 грн
25+	425.16 грн
50+	383.05 грн
100+	342.12 грн
250+	326.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

NXH3670UK/A1Z

RF Microcontrollers - MCU NXH3670UK/A1

на замовлення 696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	702.67 грн
10+	625.58 грн
25+	473.75 грн
100+	444.59 грн
250+	424.71 грн
500+	402.85 грн
1000+	400.2 грн

NXH3670UK/A1Z

High Bluetooth IC

товар відсутній

NXH3670UK/A1Z

Description: IC MCU BLE HEADPHONE AUDIO WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I²S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

NXH3670UK/A1Z

NXP

Description: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 128KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Übertragungsstrom: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
MCU-Core-Größe: 32bit
Betriebstemperatur, min.: -20°C
RAM-Speichergröße: 96KB
Übertragungsrate: 2Mbps
Anwendungsbereiche MCU: Bluetooth Low Energy-Transceiver
ADC-Kanäle: -
Frequenz, min.: 2.402GHz
MCU-Familie: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: NXH3670
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
Embedded-Schnittstelle: I2S, SPI, UART
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Datenbusbreite: 32bit
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Bauform - MCU: WLCSP
Schnittstellen: I2S, SPI, UART
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
ADC-Auflösung: -
CPU-Geschwindigkeit: 32MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O's
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
Frequenz, max.: 2.48GHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: 3A991.a.2
Empfangsstrom: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	488.33 грн
25+	425.16 грн
50+	383.05 грн
100+	342.12 грн
250+	326.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

NXH3670UK/A1Z

Description: IC MCU BLE HEADPHONE AUDIO WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I²S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	834.28 грн
10+	736.15 грн
25+	669.21 грн
100+	565.22 грн
250+	518.12 грн
500+	471.02 грн
1000+	416.97 грн

NXH3675UK/A1Z

NXH3675UK/A1Z

товар відсутній

NXH3675UK/A2Z

Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

NXH3675UK/A2Z

RF System on a Chip - SoC NXH3675UK/A2

товар відсутній

NXH40.000AF20F-BK3

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NXH400B100H4Q2F2SG

onsemi N06NF Q2BOOST#1

товар відсутній

NXH400N100H4Q2F2PG

Description: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20815.39 грн
12+	18774.15 грн

NXH400N100H4Q2F2PG

Trans IGBT Module N-CH 1000V 409A/409A/360A/360A 959W 42-Pin PIM Tray

товар відсутній

NXH400N100H4Q2F2PG

IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	22609.79 грн
10+	20873.34 грн
25+	17567.66 грн

NXH400N100H4Q2F2SG

IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	22106.56 грн
10+	20408.54 грн
25+	17176.08 грн

NXH400N100H4Q2F2SG

Description: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 409A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	21256.31 грн
5+	19549.74 грн

NXH400N100H4Q2F2SG

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	20351.66 грн
12+	18356.3 грн
36+	17666.23 грн

NXH400N100H4Q2F2SG-R

IGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	25438.24 грн
10+	23485.37 грн
25+	19764.78 грн

NXH400N100H4Q2F2SG-R

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	23420 грн
12+	21123.27 грн

NXH400N100L4Q2F2SG

Description: ESS 200KW PIM SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 48-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 980 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.06 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH40B120MNQ0SNG

Description: 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH40B120MNQ0SNG

Discrete Semiconductor Modules 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET

на замовлення 48 шт:

термін постачання 647-656 дні (днів)

1+	6957.87 грн

NXH40B120MNQ1SNG

Description: 30KW Q1BOOST FULL SIC
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
Power - Max: 156 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 800 V

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10761.04 грн
21+	9706.15 грн

NXH40B120MNQ1SNG

Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	11355.08 грн
5+	10899.45 грн
10+	10443.08 грн

NXH40B120MNQ1SNG

Discrete Semiconductor Modules 30KW Q1BOOST FULL SIC

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	11809.29 грн
10+	10902.23 грн
21+	9175.42 грн

NXH40T120L3Q1PG

Description: IGBT MOD 3TNPC Q1PACK 1200V/40
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA

товар відсутній

NXH40T120L3Q1PG

IGBT Modules 3TNPC Q1PACK PIM 1200V/40A

товар відсутній

NXH40T120L3Q1PTG

Description: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.753 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH40T120L3Q1PTG

IGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A 1200V PRESS-FIT PINS TIM

товар відсутній

NXH40T120L3Q1SG

IGBT Modules SUNGROW 20KW Q1PACK

товар відсутній

NXH40T120L3Q1SG

Description: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 42A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 146W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: NXH40T120L3Q1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 42A
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	18251.97 грн
5+	17887.02 грн
10+	17522.07 грн

NXH40T120L3Q1SG

Description: IGBT MODULE SUNGROW 20KW Q1PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA

товар відсутній

NXH450B100H4Q2F2PG

Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 101A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	14822.48 грн
5+	13632.49 грн

NXH450B100H4Q2F2PG

Description: 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	14192.05 грн
12+	12800.69 грн

NXH450B100H4Q2F2PG

Si SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Press fit pins

товар відсутній

NXH450B100H4Q2F2PG

IGBT Modules 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	15415.38 грн
10+	14232.03 грн
25+	11977.47 грн

NXH450B100H4Q2F2PG-R

Description: 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17943.43 грн
12+	16183.65 грн
36+	15575.27 грн

NXH450B100H4Q2F2SG

Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 101
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 101
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

NXH450B100H4Q2F2SG

IGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH SOLDER PINS

товар відсутній

NXH450B100H4Q2F2SG

товар відсутній

NXH450N65L4Q2F2PG

NXH450N65L4Q2F2PG

товар відсутній

NXH450N65L4Q2F2PG

Description: 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 36-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8209.47 грн
10+	7317.86 грн
36+	7050.77 грн

NXH450N65L4Q2F2S1G

NXH450N65L4Q2F2S1G

товар відсутній

NXH450N65L4Q2F2S1G

Description: 120KW 1100V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8827.29 грн
12+	7868.78 грн

NXH450N65L4Q2F2SG

3-Level NPC Inverter IGBT Module

товар відсутній

NXH450N65L4Q2F2SG

Description: 136KW 650V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V

товар відсутній

NXH450N65L4Q2F2SG

IGBT Modules 136KW 650V Q2PACK

товар відсутній

NXH450N65L4Q2F2SG

3-Level NPC Inverter IGBT Module

товар відсутній

NXH50C120L2C2ES1G

Description: IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH50C120L2C2ES1G

IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7758.71 грн
12+	6549.11 грн
30+	5545.8 грн
54+	5523.93 грн

NXH50C120L2C2ES1G

Description: IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	6592.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

NXH50C120L2C2ES1G

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube

товар відсутній

NXH50C120L2C2ESG

IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	7195.96 грн
12+	6984.2 грн

NXH50C120L2C2ESG

Description: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5483.73 грн
10+	5008.28 грн

NXH50C120L2C2ESG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube

товар відсутній

NXH50C120L2C2ESG

Description: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4151.22 грн

NXH50M65L4C2ESG

Description: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.608 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH50M65L4C2SG

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4524.02 грн

NXH50M65L4C2SG

IGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4913.26 грн
12+	4388.93 грн
30+	3684.61 грн
54+	3552.76 грн
102+	3421.57 грн
252+	3388.44 грн

NXH50M65L4Q1PTG

Description: 6KW H6.5 50A Q1PACK PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH50M65L4Q1SG

IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 50 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins

товар відсутній

NXH50M65L4Q1SG

IGBT Modules Q1PACK 50A 650V

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4791.12 грн
10+	4430.84 грн
21+	3614.38 грн
42+	3599.8 грн
105+	3516.98 грн
252+	3428.85 грн
504+	3374.52 грн

NXH50M65L4Q1SG

Description: Q1PACK 50A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V

на замовлення 2415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4411.5 грн
21+	3849.84 грн
42+	3717.09 грн
84+	3239.18 грн

NXH5104ADBUL

EEPROM 4MB EEPROM demo board, SO8-footprint compatible

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	12407.6 грн
10+	10655.36 грн
25+	9241.01 грн
50+	8992.54 грн
100+	8010.6 грн

NXH5104UK/A1SZ

935376972012

товар відсутній

NXH5104UK/A1Z

NXP

Description: NXP - NXH5104UK/A1Z - EEPROM, 4 Mbit, Seriell SPI, 5 MHz, WLCSP, 13 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -20
Versorgungsspannung, min.: 1
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: -
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: 4Mbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 1054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	292.85 грн
10+	269.81 грн
25+	264.61 грн
50+	244.33 грн
100+	205.15 грн
250+	203.87 грн
500+	197.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

NXH5104UK/A1Z

Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

NXH5104UK/A1Z

EEPROM Serial-SPI 4M-bit 1.6V 13-Pin WLCSP T/R

товар відсутній

NXH5104UK/A1Z

EEPROM 4 Mbit Serial EEPROM

на замовлення 1676 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	471.54 грн
10+	412.99 грн
100+	322.01 грн
250+	321.35 грн
500+	300.81 грн
1000+	288.22 грн
2000+	275.63 грн

NXH5104UK/A1Z

Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	447.24 грн
10+	393.13 грн
25+	385.57 грн
50+	359.25 грн
100+	322.35 грн
250+	321.14 грн
500+	296.04 грн
1000+	283.55 грн

NXH600A100H4F5SNG

onsemi F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER PIN

товар відсутній

NXH600B100H4Q2F2S1G

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Flying Capacitor Boost 1000 V, 200 A IGBT, 1200 V, 60 A SiC Diode Solder pins

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	17954.72 грн
10+	16576.61 грн
25+	13950.64 грн

NXH600B100H4Q2F2SG

IGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 200 A IGBT, 1200 V, 60 A SiC Diode Solder pins

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	18702.22 грн
10+	17266.19 грн
25+	14531.72 грн

NXH600B100H4Q2F2SG

Description: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17218.82 грн
10+	15530.48 грн

NXH600N65L4Q2F2SG

Description: 150KW 1100V Q2PACK SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 41-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 483 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 931 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37.1 nF @ 20 V

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	9880.18 грн
10+	8807.35 грн

NXH75M65L4Q1PTG

Description: 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4618.63 грн
21+	4031 грн

NXH75M65L4Q1PTG

IGBT Modules 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000

товар відсутній

NXH75M65L4Q1PTG

IGBT Module, H6.5 Topology

товар відсутній

NXH75M65L4Q1SG

Description: Q1PACK 75A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4857.31 грн
21+	4238.87 грн

NXH75M65L4Q1SG

IGBT Modules Q1PACK 75A 650V

товар відсутній

NXH75M65L4Q1SG

IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 75 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins

товар відсутній

NXH800A100L4Q2F2P1G

onsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE WITH PRESS-FIT PIN

товар відсутній

NXH800A100L4Q2F2P2G

onsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE WITH PRESS-FIT PIN

товар відсутній

NXH800A100L4Q2F2S1G

onsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE

товар відсутній

NXH800A100L4Q2F2S1G

Description: MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8930.5 грн
10+	7960.91 грн
36+	7670.33 грн

NXH800A100L4Q2F2S2G

Description: MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8930.5 грн
10+	7960.91 грн
36+	7670.33 грн

NXH800A100L4Q2F2S2G

onsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE

товар відсутній

NXH800H120L7QDSG

NXH800H120L7QDSG

товар відсутній

NXH80B120H2Q0SG

IGBT Modules PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NXH80B120H2Q0SG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103mW 20-Pin Case 180AJ Tray

товар відсутній

NXH80B120H2Q0SG

Description: ONSEMI - NXH80B120H2Q0SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 40 A, 2.2 V, 103 W, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 40
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: 103
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3396.04 грн

NXH80B120H2Q0SG

Description: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5550.39 грн

NXH80B120H2Q0SNG

Description: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 103 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V

товар відсутній

NXH80B120MNQ0SNG

Discrete Semiconductor Modules 50KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6572.14 грн
10+	5976.87 грн
48+	4571.81 грн
120+	4496.93 грн
264+	4418.09 грн

NXH80B120MNQ0SNG

товар відсутній

NXH80T120L2Q0P2G

IGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS

товар відсутній

NXH80T120L2Q0P2G

Description: IC MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 20 V

товар відсутній

NXH80T120L2Q0P2TG

Description: IGBT MODULE 1200V 80A TNPC PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3463.97 грн
24+	2981.61 грн

NXH80T120L2Q0PG

IGBT Modules 1200V 80AT-TYPE IGBT PWR INTEG MODULE

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NXH80T120L2Q0PG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 146mW 20-Pin Q0PACK Tray

товар відсутній

NXH80T120L2Q0S1G

IGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE

товар відсутній

NXH80T120L2Q0S2G

Description: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4796.38 грн
5+	4493.12 грн
10+	4189.87 грн

NXH80T120L2Q0S2G

IGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC STANDARD PINOUT

товар відсутній

NXH80T120L2Q0S2G

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NXH80T120L2Q0S2G

Trans IGBT Module N-CH 1200V 67A 158000mW 20-Pin Q0PACK Tray

товар відсутній

NXH80T120L2Q0S2G

Description: PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NXH80T120L2Q0S2TG

Description: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	4757.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

NXH80T120L2Q0S2TG

Description: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товар відсутній

NXH80T120L2Q0S2TG

IGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM

товар відсутній

NXH80T120L2Q0SG

Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 146000mW 20-Pin Q0PACK Tray

товар відсутній

NXH80T120L2Q0SG

IGBT Modules 80A 1200V PIM Q0PACK

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NXH80T120L2Q0SG

Description: IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: T-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.99 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH80T120L3Q0P3G

Description: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V

товар відсутній

NXH80T120L3Q0S3G

Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A/75A/50A/50A 188W Tray

товар відсутній

NXH80T120L3Q0S3G

IGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN)

товар відсутній

NXH80T120L3Q0S3G

Description: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.15 nF @ 20 V

товар відсутній

NXH80T120L3Q0S3G