Продукція > ONSEMI > NXH600B100H4Q2F2SG
NXH600B100H4Q2F2SG

NXH600B100H4Q2F2SG onsemi


nxh600b100h4q2f2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+17503.84 грн
10+ 15787.27 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXH600B100H4Q2F2SG onsemi

Description: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: 44-PIM (93x47), IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 192 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Power - Max: 511 W, Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V.

Інші пропозиції NXH600B100H4Q2F2SG за ціною від 14568.51 грн до 18749.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NXH600B100H4Q2F2SG NXH600B100H4Q2F2SG Виробник : onsemi NXH600B100H4Q2F2_D-3150473.pdf IGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 200 A IGBT, 1200 V, 60 A SiC Diode Solder pins
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+18749.57 грн
10+ 17309.9 грн
25+ 14568.51 грн