AOUS66416

AOUS66416 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AOUS66416.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/69A ULTRASO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: UltraSO-8™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2575 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+37.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOUS66416 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 33A/69A ULTRASO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: UltraSO-8™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2575 pF @ 20 V.

Інші пропозиції AOUS66416 за ціною від 36 грн до 90.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AOUS66416 AOUS66416 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOUS66416.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 33A/69A ULTRASO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: UltraSO-8™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2575 pF @ 20 V
на замовлення 3973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.98 грн
10+ 71.43 грн
100+ 55.56 грн
500+ 44.2 грн
1000+ 36 грн
Мінімальне замовлення: 4