Продукція > ONSEMI > FCMT180N65S3
FCMT180N65S3

FCMT180N65S3 onsemi

fcmt180n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+158.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCMT180N65S3 onsemi

Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.152 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm.

Інші пропозиції FCMT180N65S3 за ціною від 151.74 грн до 325.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013710985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.152 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+195.76 грн
500+ 159.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : onsemi FCMT180N65S3_D-2311710.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.92 грн
10+ 223.41 грн
25+ 191.54 грн
100+ 173.82 грн
250+ 173.14 грн
500+ 164.28 грн
1000+ 154.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013710985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCMT180N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.152 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.152ohm
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+290.58 грн
10+ 225.58 грн
100+ 195.76 грн
500+ 159.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : onsemi fcmt180n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: Power88
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+325.18 грн
10+ 262.58 грн
100+ 212.43 грн
500+ 177.21 грн
1000+ 151.74 грн
FCMT180N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt180n65s3-d.pdf
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCMT180N65S3 FCMT180N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcmt180n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній