FDD8447L Fairchild
Код товару: 100848
Виробник: FairchildКорпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 40 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 8,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/52
Монтаж: SMD
у наявності 43 шт:
20 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32 грн |
10+ | 28.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD8447L Fairchild
- Transistor
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:40V
- Continuous Drain Current, Id:15.2A
- On Resistance, Rds(on):7mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:1.9V
Інші пропозиції FDD8447L за ціною від 23.26 грн до 78.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
на замовлення 25550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 89078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 20 V |
на замовлення 30739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 12146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 44W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 810 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ON-Semicoductor |
N-Channel 40V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD8447L ON Semiconductor TFDD8447L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 594 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8447L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 25550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDD8447L | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
SS34 Код товару: 3426 |
Виробник: YJ/Toshiba/Jingdao
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMC (DO-214AB)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 3 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMC (DO-214AB)
Зворотня напруга, Vrrm: 40 V
Прямий струм (per leg), If: 3 A
Падіння напруги, Vf: 0,5 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
у наявності: 17 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.5 грн |
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (резистор SMD) Код товару: 3689 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 36579 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |
220uF 25V EZV SMD sizeE 8x10.5 (low imp.) (EZV221M25RE) (электролитический конденсатор SMD низкоимпедансный) Код товару: 38826 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EZV-SMD низкоимпедансные
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size E
Макс.пульс.струм: 450mA
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EZV-SMD низкоимпедансные
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size E
Макс.пульс.струм: 450mA
у наявності: 630 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
47 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-47R-Hitano) Код товару: 50581 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 47 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 2 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 47 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 2 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 2816 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.8 грн |
100+ | 1.6 грн |
1000+ | 1.4 грн |
220 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-220K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 77391 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 220 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 220 kOhm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
очікується:
20000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.15 грн |
1000+ | 0.12 грн |
10000+ | 0.09 грн |