FDMS86350 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 127.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86350 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMS86350 за ціною від 116.63 грн до 302.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86350 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 3173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86350 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86350 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86350 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V |
на замовлення 19734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86350 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 8771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86350 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 3173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86350 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86350 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS86350 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 80V Drain current: 130A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PQFN8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS86350 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 80V Drain current: 130A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PQFN8 |
товар відсутній |