FDZ375P ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDZ375P - MOSFET, P CH, 20V, 3.7A, WL-CSP 1X1
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDZ375P - MOSFET, P CH, 20V, 3.7A, WL-CSP 1X1
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4885+ | 104 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDZ375P ONSEMI
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDZ375P за ціною від 113.02 грн до 113.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDZ375P | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDZ375P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V |
на замовлення 5119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDZ375P | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench |
на замовлення 4315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||
FDZ375P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (1x1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V |
товар відсутній |