IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 68.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IAUC120N06S5N017ATMA1 за ціною від 68.17 грн до 182.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUC120N06S5N017ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUC120N06S5N017ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V |
на замовлення 13413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUC120N06S5N017ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 13030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUC120N06S5N017ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 757A Power dissipation: 167W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUC120N06S5N017ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 757A Power dissipation: 167W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |