Продукція > ONSEMI > MUN2231T1G
MUN2231T1G

MUN2231T1G onsemi

dtc123e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.04 грн
6000+ 1.86 грн
9000+ 1.58 грн
30000+ 1.37 грн
75000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MUN2231T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 338 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.

Інші пропозиції MUN2231T1G за ціною від 1.46 грн до 13.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+12.22 грн
35+ 8.1 грн
100+ 4.35 грн
500+ 3.21 грн
1000+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : onsemi DTC123E_D-1387490.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 8466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.1 грн
26+ 12.15 грн
100+ 5.71 грн
500+ 3.59 грн
3000+ 3.12 грн
9000+ 1.66 грн
24000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 24
MUN2231T1G Виробник : ON dtc123e-d.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
MUN2231T1G MUN2231T1G Виробник : ON Semiconductor dtc123e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній