Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RFNL10BGE6STL
RFNL10BGE6STL

RFNL10BGE6STL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.09 грн
10+ 96.94 грн
100+ 77.96 грн
500+ 60.11 грн
1000+ 50.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFNL10BGE6STL Rohm Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-252GE, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Інші пропозиції RFNL10BGE6STL за ціною від 44.11 грн до 118.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFNL10BGE6STL RFNL10BGE6STL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Diodes - General Purpose, Power, Switching SUPER FAST RECOVERY 600V 10A
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.57 грн
10+ 96.25 грн
100+ 67.09 грн
500+ 56.53 грн
1000+ 48.03 грн
2500+ 45.5 грн
5000+ 44.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFNL10BGE6STL RFNL10BGE6STL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL10BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній