Продукція > RENESAS > RQA0009TXDQS#H1

RQA0009TXDQS#H1 Renesas

pgurl_part_no_search.doeventpartnosearchqrqa0009txdqsh1.doeventpartnose.pdf

Виробник: Renesas
Trans RF MOSFET N-CH 3.2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R

товар відсутній

Відгуки про товар

Технічний опис RQA0009TXDQS#H1 Renesas

Description: MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA, Supplier Device Package: UPAK, Part Status: Obsolete, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 0 V.

Інші пропозиції RQA0009TXDQS#H1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
RQA0009TXDQS#H1	Виробник : Renesas	UPAK-4/Silicon N-Channel RF MOS FET RQA0009 кількість в упаковці: 1000 шт	товар відсутній
RQA0009TXDQS#H1	Виробник : Renesas Electronics Corporation	Description: MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Supplier Device Package: UPAK Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 0 V	товар відсутній
RQA0009TXDQS#H1	Виробник : Renesas Electronics	Renesas Electronics	товар відсутній