RUF015N02TL ROHM Semiconductor
на замовлення 13635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.04 грн |
11+ | 29.47 грн |
100+ | 17.79 грн |
500+ | 13.97 грн |
1000+ | 11.32 грн |
3000+ | 9.41 грн |
9000+ | 8.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUF015N02TL ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3, Mounting: SMD, Case: TUMT3, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 0.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 1.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 3A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.5A, On-state resistance: 0.31Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції RUF015N02TL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
RUF015N02TL | Виробник : Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
на замовлення 3565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RUF015N02TL | Виробник : Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
RUF015N02TL |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
RUF015N02TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 3A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||
RUF015N02TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 3A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |