Продукція > ROHM > SH8KB7TB1
SH8KB7TB1

SH8KB7TB1 ROHM

datasheet?p=SH8KB7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - SH8KB7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 13.5 A, 13.5 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+76.75 грн
13+ 57.68 грн
100+ 43.22 грн
500+ 33.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8KB7TB1 ROHM

Description: ROHM - SH8KB7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 13.5 A, 13.5 A, 0.0065 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SH8KB7TB1 за ціною від 44.64 грн до 123.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SH8KB7TB1 SH8KB7TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KB7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 40V 13.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.15 грн
10+ 105.38 грн
100+ 82.15 грн
500+ 63.69 грн
1000+ 50.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8KB7TB1 SH8KB7TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=SH8KB7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 40V N&N-CHANNEL
на замовлення 17450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.22 грн
10+ 108.47 грн
100+ 73.73 грн
500+ 60.71 грн
1000+ 47.89 грн
25000+ 44.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8KB7TB1 SH8KB7TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KB7&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 40V 13.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній