Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHA22N60EL-GE3
SIHA22N60EL-GE3

SIHA22N60EL-GE3 Vishay Siliconix

siha22n60el.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+139.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHA22N60EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL600V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHA22N60EL-GE3 за ціною від 147.38 грн до 289.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHA22N60EL-GE3 SIHA22N60EL-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siha22n60el.pdf Description: N-CHANNEL600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.46 грн
10+ 218.37 грн
100+ 176.67 грн
500+ 147.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA22N60EL-GE3 SIHA22N60EL-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siha22n60el.pdf MOSFET N-CHANNEL600V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+289.84 грн
10+ 239.86 грн
25+ 197.28 грн
100+ 176.69 грн
1000+ 160.75 грн
2000+ 157.43 грн
5000+ 154.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA22N60EL-GE3 Виробник : Vishay siha22n60el.pdf EL Series Power MOSFET
товар відсутній