SIR580DP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 92.53 грн |
| 500+ | 70.22 грн |
| 1000+ | 55.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR580DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 146A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIR580DP-T1-RE3 за ціною від 53.85 грн до 133.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR580DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 146A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR580DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) |
на замовлення 5215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR580DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Gate charge: 76nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 146A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.2mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIR580DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 104W Gate charge: 76nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 146A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 3.2mΩ |
товар відсутній |