на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.59 грн |
10+ | 116.88 грн |
100+ | 81.04 грн |
250+ | 75.06 грн |
500+ | 67.75 грн |
1000+ | 57.99 грн |
2500+ | 55.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SP8K41HZGTB ROHM Semiconductor
Description: 80V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції SP8K41HZGTB за ціною від 65.65 грн до 148.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SP8K41HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 80V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 2476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SP8K41HZGTB | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 80V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
товар відсутній |