SQD40031EL_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00263 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00263ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 113.94 грн |
| 50+ | 99.41 грн |
| 100+ | 84.11 грн |
| 500+ | 66.11 грн |
| 1000+ | 55.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQD40031EL_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00263 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00263ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SQD40031EL_GE3 за ціною від 44.51 грн до 141.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQD40031EL_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -94A Power dissipation: 45W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 186nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQD40031EL_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 29730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQD40031EL_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -94A Power dissipation: 45W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 186nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQD40031EL_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SQD40031EL_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SQD40031EL_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |