Продукція > WAYON > WMAA2N100D1
WMAA2N100D1

WMAA2N100D1 WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 568 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+40.33 грн
14+ 26.21 грн
25+ 20.98 грн
71+ 11.73 грн
194+ 11.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMAA2N100D1 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ D1, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 2A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 60W, Case: TO251, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 6.3Ω, Mounting: THT, Gate charge: 18nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMAA2N100D1 за ціною від 12.8 грн до 48.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMAA2N100D1 WMAA2N100D1 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 568 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.39 грн
10+ 32.66 грн
25+ 25.18 грн
71+ 14.07 грн
194+ 13.31 грн
3000+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 6