Результат пошуку "3N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MTP3N60E MTP3N60E
Код товару: 23818 		ST Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,5 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 560/43
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
1+22 грн
SPP03N60C3HKSA1 SPP03N60C3HKSA1
Код товару: 113411 		Infineon spp_a03n60c3_rev.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/13
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
1+26 грн
10+ 24.2 грн
3N60 MOT CAN
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOD3N60 AOD3N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.07 грн
25+ 24.98 грн
37+ 21.87 грн
101+ 20.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
AOD3N60 AOD3N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+37.29 грн
25+ 31.13 грн
37+ 26.24 грн
101+ 24.83 грн
2500+ 24.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOD3N60 ALPHA AOD3N60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
CDE23N-60-B10K CDE23N-60-B10K SR PASSIVES cde-series.pdf Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±20%
Max. operating voltage: 500V
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track material: carbon
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 979 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+122.5 грн
10+ 96.57 грн
16+ 63.1 грн
42+ 59.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
CDE23N-60-B1K; моно; линейная характеристика; 0,5Вт; 88x12.5x11мм
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+166.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
CDE23N-60-B50K CDE23N-60-B50K SR PASSIVES cde-series.pdf Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+118.03 грн
5+ 95.71 грн
16+ 61.44 грн
44+ 58.12 грн
100+ 57.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
CDE23N-60-B50K; моно; линейная характеристика; 0,5Вт; 88x12.5x11мм
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+332.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM onsemi / Fairchild FGD3N60LSD_D-2313464.pdf IGBT Transistors 600V IGBT HID Application
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93 грн
10+ 74.63 грн
100+ 49.89 грн
500+ 42.05 грн
1000+ 35.74 грн
2500+ 31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQPF3N60 FQPF3N60 Fairchild Semiconductor FAIRS05682-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 606
HGTD3N60A4S HGTD3N60A4S Fairchild Semiconductor FAIRS44514-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 17A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 606
HGTD3N60B3 Harris Corporation HRISSB10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 7A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 4349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 592
HGTD3N60B3S9A Harris Corporation HRISSB10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 579
HGTD3N60C3 HGTD3N60C3 Harris Corporation HRISS680-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 592
HGTD3N60C3S9A HGTD3N60C3S9A Fairchild Semiconductor FAIRS15436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 10.8 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 8284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 701
HGTP3N60C3 HGTP3N60C3 Harris Corporation FAIRS15436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 17.3 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 579
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN-1226864.pdf IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.34 грн
10+ 53.85 грн
100+ 36.47 грн
500+ 30.89 грн
1000+ 25.18 грн
2500+ 24.25 грн
5000+ 22.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKN03N60RC2ATMA1 IKN03N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN03N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a68660766 Description: IGBT 600V 5.7A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/77.5ns
Switching Energy: 62µJ (on), 44µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 6.3 W
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.14 грн
10+ 40.55 грн
100+ 28.06 грн
500+ 22 грн
1000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKN03N60RC2ATMA1 IKN03N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKN03N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3361944.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.92 грн
10+ 44.46 грн
100+ 26.84 грн
500+ 22.39 грн
1000+ 19 грн
3000+ 17.27 грн
6000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
M83-LMT1M3N600000000 M83-LMT1M3N600000000 Harwin M83-LMT1M3NXX-0000-000-1064273.pdf Headers & Wire Housings
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3011.52 грн
12+ 2522.39 грн
24+ 2175.45 грн
60+ 1847.97 грн
1008+ 1847.3 грн
M83-LMT2M3N60-0000-000 M83-LMT2M3N60-0000-000 Harwin M83-LMT2M3NXX-0000-000-1308168.pdf Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1611.16 грн
12+ 1404.04 грн
24+ 1191.01 грн
NDD03N60Z-1G NDD03N60Z-1G onsemi ndf03n60z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 43072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 1480
NDF03N60ZG NDF03N60ZG onsemi ndf03n60z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
на замовлення 4522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 952
NDF03N60ZH NDF03N60ZH onsemi ndf03n60z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
на замовлення 78600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 1110
SGP13N60UFTU SGP13N60UFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 1211
SIHB053N60E-GE3 SIHB053N60E-GE3 Vishay sihb053n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+437.86 грн
10+ 362.09 грн
25+ 296.92 грн
100+ 255.08 грн
250+ 241.13 грн
500+ 226.51 грн
1000+ 193.96 грн
SIHB23N60E-GE3 SIHB23N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb23n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.21 грн
10+ 262.78 грн
25+ 189.31 грн
100+ 162.08 грн
500+ 144.14 грн
1000+ 122.89 грн
2000+ 120.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.96 грн
10+ 330 грн
25+ 279.65 грн
100+ 248.43 грн
250+ 235.81 грн
500+ 220.53 грн
1000+ 180.68 грн
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.51 грн
10+ 323.2 грн
100+ 261.48 грн
500+ 218.12 грн
1000+ 186.76 грн
2000+ 175.86 грн
SIHB33N60EF-GE3 SIHB33N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb33n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.35 грн
10+ 347.07 грн
100+ 289.22 грн
SIHB33N60EF-GE3 SIHB33N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb33n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.26 грн
10+ 380.42 грн
25+ 311.54 грн
100+ 275 грн
250+ 273.01 грн
500+ 251.75 грн
1000+ 229.83 грн
SIHB33N60ET1-GE3 SIHB33N60ET1-GE3 Vishay Semiconductors sihb33n60e.pdf MOSFET N-Channel 600V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.78 грн
10+ 354.45 грн
25+ 290.95 грн
100+ 249.76 грн
250+ 235.81 грн
500+ 217.88 грн
800+ 178.69 грн
SIHB33N60ET5-GE3 SIHB33N60ET5-GE3 Vishay / Siliconix sihb33n60e.pdf MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.68 грн
10+ 351.39 грн
25+ 288.29 грн
100+ 247.1 грн
250+ 233.82 грн
500+ 209.91 грн
800+ 177.36 грн
SiHG23N60E-GE3 SiHG23N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg23n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+323.94 грн
10+ 268.89 грн
25+ 180.68 грн
100+ 174.04 грн
250+ 169.39 грн
500+ 164.74 грн
1000+ 134.84 грн
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay sihg33n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+197.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
SIHG33N60E-GE3 SIHG33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.04 грн
10+ 320.07 грн
25+ 265.04 грн
100+ 237.14 грн
250+ 229.83 грн
500+ 224.52 грн
1000+ 192.63 грн
SIHG33N60EF-GE3 SIHG33N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg33n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.88 грн
25+ 335.67 грн
100+ 300.34 грн
SIHG33N60EF-GE3 SIHG33N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg33n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.08 грн
10+ 395.7 грн
25+ 311.54 грн
100+ 284.3 грн
250+ 269.02 грн
500+ 249.76 грн
1000+ 216.55 грн
SIHG73N60AE-GE3 SIHG73N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg73n60ae.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+796.67 грн
10+ 723.41 грн
25+ 536.72 грн
100+ 497.53 грн
500+ 429.77 грн
1000+ 396.56 грн
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg73n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 100 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+818.43 грн
25+ 638.49 грн
100+ 600.94 грн
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg73n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+877.26 грн
10+ 761.61 грн
25+ 644.33 грн
50+ 608.46 грн
100+ 587.2 грн
250+ 575.25 грн
SIHP23N60E-BE3 SIHP23N60E-BE3 Vishay / Siliconix sihp23n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.97 грн
10+ 187.92 грн
50+ 138.17 грн
100+ 128.2 грн
250+ 125.54 грн
1000+ 119.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP23N60E-BE3 SIHP23N60E-BE3 Vishay Siliconix sihp23n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.1 грн
50+ 159.73 грн
100+ 136.91 грн
500+ 114.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHP23N60E-GE3 SiHP23N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp23n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.97 грн
10+ 186.39 грн
25+ 152.78 грн
100+ 130.86 грн
250+ 123.55 грн
500+ 116.25 грн
1000+ 98.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHP23N60E-GE3 SiHP23N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp23n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.1 грн
50+ 159.73 грн
100+ 136.91 грн
500+ 114.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP33N60E-GE3 SIHP33N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.79 грн
10+ 306.32 грн
50+ 235.81 грн
100+ 222.53 грн
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp33n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.51 грн
10+ 349.86 грн
50+ 268.36 грн
100+ 255.08 грн
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihp33n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.45 грн
50+ 317.02 грн
100+ 283.66 грн
500+ 234.88 грн
1000+ 211.39 грн
SIHP33N60EF-GE3 SIHP33N60EF-GE3 Vishay sihp33n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIHW33N60E-GE3 SIHW33N60E-GE3 Vishay Siliconix sihw33n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.85 грн
10+ 349.36 грн
480+ 251.26 грн
SIHW33N60E-GE3 SIHW33N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihw33n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.66 грн
10+ 382.71 грн
25+ 314.19 грн
100+ 269.02 грн
250+ 254.41 грн
480+ 239.13 грн
960+ 205.26 грн
SPB03N60C3ATMA1 SPB03N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB03N60C3_Rev.2.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e517e49a0 Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 12160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
630+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 630
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd03n60c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD03N60C3_DataSheet_v02_07_EN-3363995.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.27 грн
10+ 88.61 грн
100+ 60.25 грн
500+ 51.02 грн
1000+ 41.58 грн
2500+ 36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.65 грн
5000+ 39.11 грн
12500+ 37.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.75 грн
10+ 81.23 грн
100+ 63.18 грн
500+ 50.26 грн
1000+ 40.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
MTP3N60E
Код товару: 23818
MTP3N60E
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,5 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 560/43
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+22 грн
SPP03N60C3HKSA1
Код товару: 113411		 spp_a03n60c3_rev.pdf
SPP03N60C3HKSA1
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/13
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26 грн
10+ 24.2 грн
3N60
Виробник: MOT
CAN
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOD3N60 AOD3N60.pdf
AOD3N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+31.07 грн
25+ 24.98 грн
37+ 21.87 грн
101+ 20.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
AOD3N60 AOD3N60.pdf
AOD3N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.29 грн
25+ 31.13 грн
37+ 26.24 грн
101+ 24.83 грн
2500+ 24.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOD3N60 AOD3N60.pdf
Виробник: ALPHA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C; AOD3N60 TAOD3n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
CDE23N-60-B10K cde-series.pdf
CDE23N-60-B10K
Виробник: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 10kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Mounting: THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±20%
Max. operating voltage: 500V
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
Track material: carbon
Type of potentiometer: slide
Characteristics: linear
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 979 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.5 грн
10+ 96.57 грн
16+ 63.1 грн
42+ 59.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
CDE23N-60-B1K; моно; линейная характеристика; 0,5Вт; 88x12.5x11мм
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+166.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
CDE23N-60-B50K cde-series.pdf
CDE23N-60-B50K
Виробник: SR PASSIVES
Category: Slide potentiometers
Description: Potentiometer: slide; 50kΩ; 500mW; THT; ±20%; linear; Mat: metal
Type of potentiometer: slide
Resistance: 50kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Characteristics: linear
Track material: carbon
Body dimensions: 88x12.5x11mm
Max. operating voltage: 500V
Track length: 60mm
Potentiometer features: mono
Body material: metal
Shaft dimensions: 4 x 1.2 x 15mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.03 грн
5+ 95.71 грн
16+ 61.44 грн
44+ 58.12 грн
100+ 57.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
CDE23N-60-B50K; моно; линейная характеристика; 0,5Вт; 88x12.5x11мм
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+332.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSD_D-2313464.pdf
FGD3N60LSDTM
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V IGBT HID Application
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93 грн
10+ 74.63 грн
100+ 49.89 грн
500+ 42.05 грн
1000+ 35.74 грн
2500+ 31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQPF3N60 FAIRS05682-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF3N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 606
HGTD3N60A4S FAIRS44514-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTD3N60A4S
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 17A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 606
HGTD3N60B3 HRISSB10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 7A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 4349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
592+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 592
HGTD3N60B3S9A HRISSB10-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
579+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 579
HGTD3N60C3 HRISS680-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTD3N60C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
592+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 592
HGTD3N60C3S9A FAIRS15436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTD3N60C3S9A
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 10.8 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 8284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
701+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 701
HGTP3N60C3 FAIRS15436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP3N60C3
Виробник: Harris Corporation
Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 17.3 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 6793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
579+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 579
IKD03N60RFATMA1 Infineon_IKD03N60RF_DS_v02_06_EN-1226864.pdf
IKD03N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.34 грн
10+ 53.85 грн
100+ 36.47 грн
500+ 30.89 грн
1000+ 25.18 грн
2500+ 24.25 грн
5000+ 22.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKN03N60RC2ATMA1 Infineon-IKN03N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a68660766
IKN03N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 5.7A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/77.5ns
Switching Energy: 62µJ (on), 44µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 6.3 W
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.14 грн
10+ 40.55 грн
100+ 28.06 грн
500+ 22 грн
1000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKN03N60RC2ATMA1 Infineon_IKN03N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3361944.pdf
IKN03N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.92 грн
10+ 44.46 грн
100+ 26.84 грн
500+ 22.39 грн
1000+ 19 грн
3000+ 17.27 грн
6000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
M83-LMT1M3N600000000 M83-LMT1M3NXX-0000-000-1064273.pdf
M83-LMT1M3N600000000
Виробник: Harwin
Headers & Wire Housings
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3011.52 грн
12+ 2522.39 грн
24+ 2175.45 грн
60+ 1847.97 грн
1008+ 1847.3 грн
M83-LMT2M3N60-0000-000 M83-LMT2M3NXX-0000-000-1308168.pdf
M83-LMT2M3N60-0000-000
Виробник: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M VERT PC TAIL 4.5MM W/JS
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1611.16 грн
12+ 1404.04 грн
24+ 1191.01 грн
NDD03N60Z-1G ndf03n60z-d.pdf
NDD03N60Z-1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 43072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1480+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 1480
NDF03N60ZG ndf03n60z-d.pdf
NDF03N60ZG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
на замовлення 4522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
952+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 952
NDF03N60ZH ndf03n60z-d.pdf
NDF03N60ZH
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
на замовлення 78600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1110+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 1110
SGP13N60UFTU FAIRS17573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGP13N60UFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1211+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 1211
SIHB053N60E-GE3 sihb053n60e.pdf
SIHB053N60E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+437.86 грн
10+ 362.09 грн
25+ 296.92 грн
100+ 255.08 грн
250+ 241.13 грн
500+ 226.51 грн
1000+ 193.96 грн
SIHB23N60E-GE3 sihb23n60e.pdf
SIHB23N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+278.21 грн
10+ 262.78 грн
25+ 189.31 грн
100+ 162.08 грн
500+ 144.14 грн
1000+ 122.89 грн
2000+ 120.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB33N60E-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+378.96 грн
10+ 330 грн
25+ 279.65 грн
100+ 248.43 грн
250+ 235.81 грн
500+ 220.53 грн
1000+ 180.68 грн
SIHB33N60E-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.51 грн
10+ 323.2 грн
100+ 261.48 грн
500+ 218.12 грн
1000+ 186.76 грн
2000+ 175.86 грн
SIHB33N60EF-GE3 sihb33n60ef.pdf
SIHB33N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+420.35 грн
10+ 347.07 грн
100+ 289.22 грн
SIHB33N60EF-GE3 sihb33n60ef.pdf
SIHB33N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+450.26 грн
10+ 380.42 грн
25+ 311.54 грн
100+ 275 грн
250+ 273.01 грн
500+ 251.75 грн
1000+ 229.83 грн
SIHB33N60ET1-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 600V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+427.78 грн
10+ 354.45 грн
25+ 290.95 грн
100+ 249.76 грн
250+ 235.81 грн
500+ 217.88 грн
800+ 178.69 грн
SIHB33N60ET5-GE3 sihb33n60e.pdf
SIHB33N60ET5-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.68 грн
10+ 351.39 грн
25+ 288.29 грн
100+ 247.1 грн
250+ 233.82 грн
500+ 209.91 грн
800+ 177.36 грн
SiHG23N60E-GE3 sihg23n60e.pdf
SiHG23N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+323.94 грн
10+ 268.89 грн
25+ 180.68 грн
100+ 174.04 грн
250+ 169.39 грн
500+ 164.74 грн
1000+ 134.84 грн
SIHG33N60E-GE3 sihg33n60e.pdf
SIHG33N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+197.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
SIHG33N60E-GE3 sihg33n60e.pdf
SIHG33N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+358.04 грн
10+ 320.07 грн
25+ 265.04 грн
100+ 237.14 грн
250+ 229.83 грн
500+ 224.52 грн
1000+ 192.63 грн
SIHG33N60EF-GE3 sihg33n60ef.pdf
SIHG33N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+436.88 грн
25+ 335.67 грн
100+ 300.34 грн
SIHG33N60EF-GE3 sihg33n60ef.pdf
SIHG33N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+468.08 грн
10+ 395.7 грн
25+ 311.54 грн
100+ 284.3 грн
250+ 269.02 грн
500+ 249.76 грн
1000+ 216.55 грн
SIHG73N60AE-GE3 sihg73n60ae.pdf
SIHG73N60AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+796.67 грн
10+ 723.41 грн
25+ 536.72 грн
100+ 497.53 грн
500+ 429.77 грн
1000+ 396.56 грн
SIHG73N60E-GE3 sihg73n60e.pdf
SIHG73N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 100 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+818.43 грн
25+ 638.49 грн
100+ 600.94 грн
SIHG73N60E-GE3 sihg73n60e.pdf
SIHG73N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+877.26 грн
10+ 761.61 грн
25+ 644.33 грн
50+ 608.46 грн
100+ 587.2 грн
250+ 575.25 грн
SIHP23N60E-BE3 sihp23n60e.pdf
SIHP23N60E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.97 грн
10+ 187.92 грн
50+ 138.17 грн
100+ 128.2 грн
250+ 125.54 грн
1000+ 119.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP23N60E-BE3 sihp23n60e.pdf
SIHP23N60E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.1 грн
50+ 159.73 грн
100+ 136.91 грн
500+ 114.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHP23N60E-GE3 sihp23n60e.pdf
SiHP23N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.97 грн
10+ 186.39 грн
25+ 152.78 грн
100+ 130.86 грн
250+ 123.55 грн
500+ 116.25 грн
1000+ 98.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHP23N60E-GE3 sihp23n60e.pdf
SiHP23N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.1 грн
50+ 159.73 грн
100+ 136.91 грн
500+ 114.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP33N60E-GE3 sihp33n60e.pdf
SIHP33N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+334.79 грн
10+ 306.32 грн
50+ 235.81 грн
100+ 222.53 грн
SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+380.51 грн
10+ 349.86 грн
50+ 268.36 грн
100+ 255.08 грн
SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+412.45 грн
50+ 317.02 грн
100+ 283.66 грн
500+ 234.88 грн
1000+ 211.39 грн
SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
SIHP33N60EF-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIHW33N60E-GE3 sihw33n60e.pdf
SIHW33N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.85 грн
10+ 349.36 грн
480+ 251.26 грн
SIHW33N60E-GE3 sihw33n60e.pdf
SIHW33N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+462.66 грн
10+ 382.71 грн
25+ 314.19 грн
100+ 269.02 грн
250+ 254.41 грн
480+ 239.13 грн
960+ 205.26 грн
SPB03N60C3ATMA1 SPB03N60C3_Rev.2.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e517e49a0
SPB03N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 12160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
630+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 630
SPD03N60C3ATMA1 infineon-spd03n60c3-datasheet-v02_07-en.pdf
SPD03N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD03N60C3ATMA1 Infineon_SPD03N60C3_DataSheet_v02_07_EN-3363995.pdf
SPD03N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.27 грн
10+ 88.61 грн
100+ 60.25 грн
500+ 51.02 грн
1000+ 41.58 грн
2500+ 36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
SPD03N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.65 грн
5000+ 39.11 грн
12500+ 37.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3_rev+2+6.pdf?fileId=db3a3043191a246301192907f3b27f4b
SPD03N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.75 грн
10+ 81.23 грн
100+ 63.18 грн
500+ 50.26 грн
1000+ 40.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]