SIHG73N60E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 795.26 грн |
| 10+ | 699.68 грн |
| 25+ | 690.5 грн |
| 100+ | 631.95 грн |
| 500+ | 571.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG73N60E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHG73N60E-GE3 за ціною від 616.68 грн до 1257.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 100 V |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIHG73N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIHG73N60E-GE3 THT N channel transistors |
на замовлення 400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |