Результат пошуку "5n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415 		fdd5n60nz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
SPW35N60C3 SPW35N60C3
Код товару: 48611 		Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 47 шт
1+440 грн
5N60 to-220/f AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60 AAT TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking VIKING-AL.pdf Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Tolerance: ±0,1nH
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4204 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
200+1.68 грн
1000+ 1.1 грн
1300+ 0.79 грн
3400+ 0.75 грн
Мінімальне замовлення: 200
BIDD05N60T BIDD05N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDD05N60T_datasheet-3005219.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 87.08 грн
100+ 58.99 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 40.72 грн
2500+ 38.33 грн
5000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM FCD5N60TM ON Semiconductor fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD5N60TM Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
FCD5N60TM-WS FCD5N60TM-WS onsemi / Fairchild FCU5N60_D-2311834.pdf MOSFET 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.77 грн
10+ 83.26 грн
100+ 64.9 грн
250+ 64.23 грн
500+ 57.72 грн
1000+ 49.42 грн
2500+ 46.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCD5N60TM; 4,6A; 600V; 0,95R; 54W; N-MOSFET+diod; Корпус: DPAK; Fairchild
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
12+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
FCP165N60E FCP165N60E onsemi / Fairchild FCP165N60E_D-2311711.pdf MOSFET 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.74 грн
10+ 216.95 грн
50+ 179.35 грн
100+ 167.39 грн
250+ 156.76 грн
500+ 137.5 грн
800+ 124.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.63 грн
8+ 46.64 грн
22+ 37.36 грн
60+ 35.29 грн
500+ 34.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.96 грн
5+ 58.12 грн
22+ 44.84 грн
60+ 42.35 грн
500+ 41.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM onsemi / Fairchild FDD5N60NZ_D-2311974.pdf MOSFET N-Channel 600V 4A
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.3 грн
10+ 53.17 грн
100+ 40.19 грн
500+ 37.33 грн
1000+ 30.82 грн
2500+ 27.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQP5N60C Fairchild fqpf5n60c-d.pdf FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGP15N60T IGP15N60T Infineon Technologies Infineon_IGP15N60T_DS_v02_04_EN-1890398.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 9038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.57 грн
10+ 69.13 грн
100+ 49.89 грн
250+ 49.82 грн
500+ 46.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n60t-datasheet-v02_07-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+264.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+264.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKB15N60T IKB15N60T Infineon Technologies Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.94 грн
10+ 132.92 грн
100+ 95.65 грн
250+ 88.35 грн
500+ 80.38 грн
1000+ 67.75 грн
2000+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.76 грн
5+ 159.15 грн
7+ 125.24 грн
18+ 118.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 848 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+228.91 грн
5+ 198.32 грн
7+ 150.29 грн
18+ 141.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.56 грн
5+ 89.26 грн
11+ 74.04 грн
30+ 69.89 грн
500+ 67.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+127.87 грн
5+ 111.23 грн
11+ 88.84 грн
30+ 83.86 грн
500+ 81.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.87 грн
10+ 76.39 грн
100+ 55.07 грн
500+ 49.09 грн
1000+ 41.72 грн
2500+ 39.26 грн
5000+ 37.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.19 грн
5+ 100.33 грн
11+ 78.19 грн
29+ 74.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 Infineon Technologies infineon-ikp15n60t-datasheet-v02_05-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.45 грн
2+ 473.28 грн
5+ 446.99 грн
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+794.94 грн
2+ 589.78 грн
5+ 536.39 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+675.12 грн
2+ 482.28 грн
5+ 455.99 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+810.14 грн
2+ 600.99 грн
5+ 547.18 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 Infineon Technologies 1848ikw75n60t_rev2_7g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004file.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+341 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H onsemi NTHL185N60S5H_D-2493624.pdf MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.43 грн
10+ 307.09 грн
25+ 251.75 грн
100+ 215.88 грн
250+ 203.26 грн
450+ 177.36 грн
900+ 160.09 грн
NVB055N60S5F onsemi NVB055N60S5F_D-3150649.pdf MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 45 A, 55 mohm, D2PAK Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600V, xxA, 55mohm, D2PAK
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.2 грн
10+ 418.62 грн
25+ 330.14 грн
100+ 303.57 грн
250+ 285.63 грн
500+ 267.7 грн
800+ 240.46 грн
SIHA155N60EF-GE3 SIHA155N60EF-GE3 Vishay / Siliconix siha155n60ef.pdf MOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.64 грн
10+ 209.31 грн
25+ 172.04 грн
100+ 117.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+213.71 грн
5+ 186.25 грн
7+ 137 грн
20+ 129.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA25N60EFL-GE3 SIHA25N60EFL-GE3 Vishay / Siliconix siha25n60efl.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.88 грн
10+ 372.78 грн
25+ 288.95 грн
100+ 280.98 грн
500+ 244.45 грн
1000+ 166.73 грн
2000+ 163.41 грн
SIHB055N60EF-GE3 SIHB055N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb055n60ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.16 грн
10+ 378.13 грн
25+ 297.59 грн
100+ 282.31 грн
1000+ 265.7 грн
SIHB065N60E-GE3 SIHB065N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb065n60e.pdf MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.63 грн
10+ 394.93 грн
25+ 306.89 грн
100+ 273.67 грн
250+ 266.37 грн
500+ 235.15 грн
SIHB065N60E-T1-GE3 SIHB065N60E-T1-GE3 Vishay MOSFET N-CH 650V TO263 E SERIES TECH
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.9 грн
10+ 462.92 грн
25+ 365.34 грн
100+ 335.45 грн
250+ 315.52 грн
500+ 295.59 грн
800+ 253.75 грн
SIHB085N60EF-GE3 SIHB085N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb085n60ef.pdf MOSFET 600Vds 30V Vgs TO-263
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.93 грн
10+ 344.52 грн
25+ 282.97 грн
100+ 242.45 грн
250+ 229.17 грн
500+ 215.88 грн
1000+ 184.66 грн
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb105n60ef.pdf MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.42 грн
10+ 204.72 грн
25+ 159.42 грн
100+ 141.49 грн
250+ 137.5 грн
500+ 129.53 грн
1000+ 118.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB125N60EF-GE3 SIHB125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb125n60ef.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.94 грн
10+ 226.11 грн
25+ 189.98 грн
100+ 164.74 грн
250+ 160.75 грн
500+ 150.79 грн
1000+ 136.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB15N60E-GE3 SIHB15N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb15n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.22 грн
10+ 178.75 грн
25+ 146.8 грн
100+ 126.21 грн
250+ 118.9 грн
500+ 111.6 грн
1000+ 93 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg065n60e.pdf MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.38 грн
10+ 375.07 грн
25+ 277 грн
100+ 256.4 грн
250+ 255.08 грн
500+ 237.8 грн
SIHG085N60EF-GE3 SIHG085N60EF-GE3 Vishay / Siliconix MOSFET 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.91 грн
10+ 376.6 грн
25+ 308.88 грн
100+ 264.37 грн
250+ 249.76 грн
500+ 235.15 грн
1000+ 201.27 грн
SIHG155N60EF-GE3 SIHG155N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg155n60ef.pdf MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode TO-247AC, 157 mohm a. 10V
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+314.64 грн
10+ 260.49 грн
25+ 213.89 грн
100+ 183.34 грн
250+ 172.71 грн
500+ 163.41 грн
1000+ 139.49 грн
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+295.08 грн
5+ 255.23 грн
6+ 188.48 грн
14+ 177.69 грн
SIHH105N60EF-T1GE3 SIHH105N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihh105n60ef.pdf MOSFET 600volts 26amp
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.83 грн
10+ 394.17 грн
25+ 335.45 грн
100+ 277.66 грн
250+ 269.02 грн
500+ 246.44 грн
1000+ 211.23 грн
SIHH155N60EF-T1GE3 SIHH155N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix sihh155n60ef.pdf MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode PowerPAK 8x8, 155 mohm a. 10V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.86 грн
10+ 310.91 грн
25+ 255.08 грн
100+ 218.54 грн
250+ 206.58 грн
500+ 194.63 грн
1000+ 166.06 грн
SIHK045N60E-T1-GE3 SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihk045n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.27 грн
10+ 583.62 грн
25+ 461 грн
100+ 423.13 грн
250+ 421.8 грн
2000+ 410.51 грн
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihk045n60ef.pdf MOSFET E SERIES POWER MOSFET
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.14 грн
10+ 613.41 грн
25+ 483.58 грн
100+ 447.05 грн
2000+ 431.1 грн
SIHK055N60E-T1-GE3 SIHK055N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihk055n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+585.1 грн
10+ 494.24 грн
25+ 389.92 грн
100+ 358.04 грн
250+ 337.44 грн
500+ 316.19 грн
1000+ 299.58 грн
SIHK055N60EF-T1GE3 SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay sihk055n60ef.pdf MOSFET E SERIES PWR MOSFET 10V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+626.17 грн
10+ 529.38 грн
25+ 417.82 грн
100+ 383.94 грн
250+ 360.69 грн
500+ 342.76 грн
2000+ 290.95 грн
SIHK065N60E-T1-GE3 SIHK065N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihk065n60e.pdf MOSFET N-CH 600V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.75 грн
10+ 445.35 грн
25+ 351.39 грн
100+ 322.83 грн
250+ 304.23 грн
500+ 284.97 грн
1000+ 269.69 грн
SIHK075N60E-T1-GE3 SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihk075n60e.pdf MOSFET N-CH 600V
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.66 грн
10+ 391.12 грн
25+ 308.22 грн
100+ 283.64 грн
250+ 267.03 грн
500+ 250.43 грн
1000+ 237.14 грн
FDD5N60NZTM
Код товару: 163415		 fdd5n60nz-d.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності: 1 шт
SPW35N60C3
Код товару: 48611		 Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 34,6 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
Монтаж: THT
у наявності: 47 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+440 грн
5N60
Виробник: to-220/f
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60 AAT
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N6001
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AL02BT5N602 VIKING-AL.pdf
AL02BT5N602
Виробник: Viking
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 6GHz
Tolerance: ±0,1nH
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 4204 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+1.68 грн
1000+ 1.1 грн
1300+ 0.79 грн
3400+ 0.75 грн
Мінімальне замовлення: 200
BIDD05N60T Bourns_7_25_2022_BIDD05N60T_datasheet-3005219.pdf
BIDD05N60T
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
10+ 87.08 грн
100+ 58.99 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 40.72 грн
2500+ 38.33 грн
5000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
FCD5N60TM-WS FCU5N60_D-2311834.pdf
FCD5N60TM-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V 4.6A N-Channel
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.77 грн
10+ 83.26 грн
100+ 64.9 грн
250+ 64.23 грн
500+ 57.72 грн
1000+ 49.42 грн
2500+ 46.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCD5N60TM; 4,6A; 600V; 0,95R; 54W; N-MOSFET+diod; Корпус: DPAK; Fairchild
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
FCP165N60E FCP165N60E_D-2311711.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+255.74 грн
10+ 216.95 грн
50+ 179.35 грн
100+ 167.39 грн
250+ 156.76 грн
500+ 137.5 грн
800+ 124.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.63 грн
8+ 46.64 грн
22+ 37.36 грн
60+ 35.29 грн
500+ 34.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.96 грн
5+ 58.12 грн
22+ 44.84 грн
60+ 42.35 грн
500+ 41.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD5N60NZTM FDD5N60NZ_D-2311974.pdf
FDD5N60NZTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel 600V 4A
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.3 грн
10+ 53.17 грн
100+ 40.19 грн
500+ 37.33 грн
1000+ 30.82 грн
2500+ 27.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQP5N60C fqpf5n60c-d.pdf FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGP15N60T Infineon_IGP15N60T_DS_v02_04_EN-1890398.pdf
IGP15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
на замовлення 9038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.57 грн
10+ 69.13 грн
100+ 49.89 грн
250+ 49.82 грн
500+ 46.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW75N60TFKSA1 infineon-igw75n60t-datasheet-v02_07-en.pdf
IGW75N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+264.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Виробник: Infineon
150A; 600V; 428W; IGBT IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+264.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKB15N60T Infineon_IKB15N60T_DataSheet_v02_08_EN-3362047.pdf
IKB15N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.94 грн
10+ 132.92 грн
100+ 95.65 грн
250+ 88.35 грн
500+ 80.38 грн
1000+ 67.75 грн
2000+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.76 грн
5+ 159.15 грн
7+ 125.24 грн
18+ 118.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 848 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.91 грн
5+ 198.32 грн
7+ 150.29 грн
18+ 141.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+106.56 грн
5+ 89.26 грн
11+ 74.04 грн
30+ 69.89 грн
500+ 67.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.87 грн
5+ 111.23 грн
11+ 88.84 грн
30+ 83.86 грн
500+ 81.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon_IKD15N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362088.pdf
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.87 грн
10+ 76.39 грн
100+ 55.07 грн
500+ 49.09 грн
1000+ 41.72 грн
2500+ 39.26 грн
5000+ 37.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.19 грн
5+ 100.33 грн
11+ 78.19 грн
29+ 74.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP15N60TXKSA1 infineon-ikp15n60t-datasheet-v02_05-en.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Виробник: Infineon
30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+85.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+662.45 грн
2+ 473.28 грн
5+ 446.99 грн
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+794.94 грн
2+ 589.78 грн
5+ 536.39 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+675.12 грн
2+ 482.28 грн
5+ 455.99 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+810.14 грн
2+ 600.99 грн
5+ 547.18 грн
IKW75N60TFKSA1 1848ikw75n60t_rev2_7g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004file.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+306.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+341 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHL185N60S5H NTHL185N60S5H_D-2493624.pdf
NTHL185N60S5H
Виробник: onsemi
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 15 A, 185 mohm, TO-247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+370.43 грн
10+ 307.09 грн
25+ 251.75 грн
100+ 215.88 грн
250+ 203.26 грн
450+ 177.36 грн
900+ 160.09 грн
NVB055N60S5F NVB055N60S5F_D-3150649.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 45 A, 55 mohm, D2PAK Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600V, xxA, 55mohm, D2PAK
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+495.2 грн
10+ 418.62 грн
25+ 330.14 грн
100+ 303.57 грн
250+ 285.63 грн
500+ 267.7 грн
800+ 240.46 грн
SIHA155N60EF-GE3 siha155n60ef.pdf
SIHA155N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET Thin-Lead TO-220 FULLPAK, 157 mohm a. 10V
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.64 грн
10+ 209.31 грн
25+ 172.04 грн
100+ 117.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.71 грн
5+ 186.25 грн
7+ 137 грн
20+ 129.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA25N60EFL-GE3 siha25n60efl.pdf
SIHA25N60EFL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.88 грн
10+ 372.78 грн
25+ 288.95 грн
100+ 280.98 грн
500+ 244.45 грн
1000+ 166.73 грн
2000+ 163.41 грн
SIHB055N60EF-GE3 sihb055n60ef.pdf
SIHB055N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.16 грн
10+ 378.13 грн
25+ 297.59 грн
100+ 282.31 грн
1000+ 265.7 грн
SIHB065N60E-GE3 sihb065n60e.pdf
SIHB065N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.63 грн
10+ 394.93 грн
25+ 306.89 грн
100+ 273.67 грн
250+ 266.37 грн
500+ 235.15 грн
SIHB065N60E-T1-GE3
SIHB065N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFET N-CH 650V TO263 E SERIES TECH
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+547.9 грн
10+ 462.92 грн
25+ 365.34 грн
100+ 335.45 грн
250+ 315.52 грн
500+ 295.59 грн
800+ 253.75 грн
SIHB085N60EF-GE3 sihb085n60ef.pdf
SIHB085N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600Vds 30V Vgs TO-263
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+416.93 грн
10+ 344.52 грн
25+ 282.97 грн
100+ 242.45 грн
250+ 229.17 грн
500+ 215.88 грн
1000+ 184.66 грн
SIHB105N60EF-GE3 sihb105n60ef.pdf
SIHB105N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.42 грн
10+ 204.72 грн
25+ 159.42 грн
100+ 141.49 грн
250+ 137.5 грн
500+ 129.53 грн
1000+ 118.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB125N60EF-GE3 sihb125n60ef.pdf
SIHB125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.94 грн
10+ 226.11 грн
25+ 189.98 грн
100+ 164.74 грн
250+ 160.75 грн
500+ 150.79 грн
1000+ 136.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB15N60E-GE3 sihb15n60e.pdf
SIHB15N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.22 грн
10+ 178.75 грн
25+ 146.8 грн
100+ 126.21 грн
250+ 118.9 грн
500+ 111.6 грн
1000+ 93 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+384.38 грн
10+ 375.07 грн
25+ 277 грн
100+ 256.4 грн
250+ 255.08 грн
500+ 237.8 грн
SIHG085N60EF-GE3
SIHG085N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+454.91 грн
10+ 376.6 грн
25+ 308.88 грн
100+ 264.37 грн
250+ 249.76 грн
500+ 235.15 грн
1000+ 201.27 грн
SIHG155N60EF-GE3 sihg155n60ef.pdf
SIHG155N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode TO-247AC, 157 mohm a. 10V
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+314.64 грн
10+ 260.49 грн
25+ 213.89 грн
100+ 183.34 грн
250+ 172.71 грн
500+ 163.41 грн
1000+ 139.49 грн
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+295.08 грн
5+ 255.23 грн
6+ 188.48 грн
14+ 177.69 грн
SIHH105N60EF-T1GE3 sihh105n60ef.pdf
SIHH105N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600volts 26amp
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.83 грн
10+ 394.17 грн
25+ 335.45 грн
100+ 277.66 грн
250+ 269.02 грн
500+ 246.44 грн
1000+ 211.23 грн
SIHH155N60EF-T1GE3 sihh155n60ef.pdf
SIHH155N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode PowerPAK 8x8, 155 mohm a. 10V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.86 грн
10+ 310.91 грн
25+ 255.08 грн
100+ 218.54 грн
250+ 206.58 грн
500+ 194.63 грн
1000+ 166.06 грн
SIHK045N60E-T1-GE3 sihk045n60e.pdf
SIHK045N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+691.27 грн
10+ 583.62 грн
25+ 461 грн
100+ 423.13 грн
250+ 421.8 грн
2000+ 410.51 грн
SIHK045N60EF-T1GE3 sihk045n60ef.pdf
SIHK045N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET E SERIES POWER MOSFET
на замовлення 4808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+726.14 грн
10+ 613.41 грн
25+ 483.58 грн
100+ 447.05 грн
2000+ 431.1 грн
SIHK055N60E-T1-GE3 sihk055n60e.pdf
SIHK055N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+585.1 грн
10+ 494.24 грн
25+ 389.92 грн
100+ 358.04 грн
250+ 337.44 грн
500+ 316.19 грн
1000+ 299.58 грн
SIHK055N60EF-T1GE3 sihk055n60ef.pdf
SIHK055N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay
MOSFET E SERIES PWR MOSFET 10V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+626.17 грн
10+ 529.38 грн
25+ 417.82 грн
100+ 383.94 грн
250+ 360.69 грн
500+ 342.76 грн
2000+ 290.95 грн
SIHK065N60E-T1-GE3 sihk065n60e.pdf
SIHK065N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CH 600V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+527.75 грн
10+ 445.35 грн
25+ 351.39 грн
100+ 322.83 грн
250+ 304.23 грн
500+ 284.97 грн
1000+ 269.69 грн
SIHK075N60E-T1-GE3 sihk075n60e.pdf
SIHK075N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CH 600V
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+462.66 грн
10+ 391.12 грн
25+ 308.22 грн
100+ 283.64 грн
250+ 267.03 грн
500+ 250.43 грн
1000+ 237.14 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]