Результат пошуку "BSC028N06LS3" : 16
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 55
Мінімальне замовлення: 67
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 53
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5000
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC028N06LS3 G | Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 50710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3 G | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 14268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 22390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12; Qg, нКл = 23 @ 10 В; Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 48 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8 |
на замовлення 70 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3 G | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC028N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
| BSC028N06LS3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 50710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 210.55 грн |
| 10+ | 173.84 грн |
| 25+ | 143.18 грн |
| 100+ | 122.53 грн |
| 250+ | 115.87 грн |
| 500+ | 109.21 грн |
| 1000+ | 93.23 грн |
| BSC028N06LS3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 215.31 грн |
| 57+ | 207.11 грн |
| 100+ | 200.09 грн |
| 250+ | 187.09 грн |
| 500+ | 168.52 грн |
| 1000+ | 157.82 грн |
| 2500+ | 154.33 грн |
| 5000+ | 151.26 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 176.05 грн |
| 79+ | 147.84 грн |
| 100+ | 140.06 грн |
| 200+ | 134.12 грн |
| 500+ | 112.9 грн |
| 1000+ | 101.71 грн |
| 2000+ | 99.21 грн |
| 5000+ | 95.88 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 53.22 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 113.32 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 22390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 210.55 грн |
| 10+ | 173.84 грн |
| 25+ | 144.51 грн |
| 100+ | 122.53 грн |
| 250+ | 119.87 грн |
| 500+ | 96.56 грн |
| 1000+ | 87.24 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 222.1 грн |
| 63+ | 185.28 грн |
| 67+ | 176.11 грн |
| 100+ | 142.53 грн |
| 250+ | 128.25 грн |
| 500+ | 77.83 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 131.29 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 206.23 грн |
| 10+ | 172.04 грн |
| 25+ | 163.53 грн |
| 100+ | 132.34 грн |
| 250+ | 119.09 грн |
| 500+ | 72.27 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 101.83 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12; Qg, нКл = 23 @ 10 В; Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 48 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8
N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12; Qg, нКл = 23 @ 10 В; Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 48 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| BSC028N06LS3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
| BSC028N06LS3GATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній