Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC028N06LS3GATMA1
BSC028N06LS3GATMA1

BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSC028N06LS3GATMA1 за ціною від 71.91 грн до 231.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+91.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+101.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+130.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+131.56 грн
500+ 115.26 грн
1000+ 86.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+175.16 грн
79+ 147.1 грн
100+ 139.36 грн
200+ 133.45 грн
500+ 112.33 грн
1000+ 101.2 грн
2000+ 98.71 грн
5000+ 95.39 грн
Мінімальне замовлення: 67
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c Description: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 18108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.95 грн
10+ 157.64 грн
100+ 127.52 грн
500+ 106.37 грн
1000+ 91.08 грн
2000+ 85.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+205.2 грн
10+ 171.18 грн
25+ 162.71 грн
100+ 131.68 грн
250+ 118.49 грн
500+ 71.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC028N06LS3_G_DataSheet_v02_03_EN-3360788.pdf MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 22390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.49 грн
10+ 172.97 грн
25+ 143.78 грн
100+ 121.91 грн
250+ 119.26 грн
500+ 96.07 грн
1000+ 86.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+220.98 грн
63+ 184.34 грн
67+ 175.22 грн
100+ 141.81 грн
250+ 127.6 грн
500+ 77.44 грн
Мінімальне замовлення: 53
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16146-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+231.16 грн
10+ 162.78 грн
100+ 131.56 грн
500+ 115.26 грн
1000+ 86.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12; Qg, нКл = 23 @ 10 В; Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 48 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc028n06ls3g-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06LS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06LS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній