Результат пошуку "BUZ80" : 10
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BUZ80 | IR | 2002 T0-220 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BUZ80A | INFINEON |
 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BUZ80A | INFINEON |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BUZ80ASMD |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
|
BUZ80 Код товару: 45117 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 800 V Idd,A: 3,4 A Rds(on), Ohm: 3,3 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||
|
|
BUZ80A Код товару: 29415 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 800 V Idd,A: 3,8 A Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1100/70 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
|
BUZ80AF Код товару: 161626 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
|
|
BUZ80A | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
NTE2387 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|
|
|
SPP04N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 63W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
| BUZ80 Код товару: 45117 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 3,4 A
Rds(on), Ohm: 3,3 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 3,4 A
Rds(on), Ohm: 3,3 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
| BUZ80A Код товару: 29415 |
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 3,8 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/70
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 3,8 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/70
Монтаж: THT
товар відсутній
| BUZ80A |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товар відсутній
| NTE2387 |
|
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| SPP04N80C3 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній