NTE2387 NTE Electronics, Inc.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1305.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE2387 NTE Electronics, Inc.
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 2.6A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 125W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3Ω, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE2387
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTE2387 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|
 |
NTE2387 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
NTE2387 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |