Результат пошуку "BYG" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 54
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 51
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
+1 |
ABYG 54276AO(JD-P54276) Код товару: 103592 |
Оптоелектроніка > Світлодіодні матриці і кластери Опис: Панель 4 контакту 27x55мм Тип: Решта |
у наявності: 71 шт
очікується:
3 шт
|
|
|||||||||||||
WH1602B-YGH-CTK Код товару: 60296 |
Winstar |
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x2 Технологія: STN Габарити/Розмір точки: 80x36 mm Кут огляду/Підсвітка: 6/жовта Контролер: S6B0066U Примітка: Підтримує кирилицю Вид: Символьний |
у наявності: 12 шт
|
|
|||||||||||||
WH1604B-YGH-CT Код товару: 104032 |
Winstar |
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x4 Технологія: STN Габарити/Розмір точки: 70,6x60 mm / 0,55x0,55 mm Кут огляду/Підсвітка: 6/жовто-зелена Контролер: S6B0066U Примітка: Підтримує кирилицю Вид: Символьний |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||
Антена 1575,42МГц, 28dBi. BY-GPS-07 SMA-M 5M Beyondoor Код товару: 25234 |
Beyondoor |
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени Стандарт: GPS Виконання: зовнішня Опис: Антена GPS. Опір вхідний: 50 Ohm, підсиленя: 4dBi. Центральна частота (МГц): 1575,42±3. Поляризація: RHCP. VSWR: 1.5:1. LNA: 28dBi. DC: 2,7/3/3,3/3V/5. Розмір: 37,2x34x11mm. Довжина проводу: 5м. Підсилення, dBi: 28 dBi Кабель та роз’єми: SMA Вид антени: GPS Частота: 1575,42 МГц |
очікується:
50 шт
|
|
|||||||||||||
+1 |
Антена 1575,42МГц, 2dBi. BY-GPS-124 Beyondoor Код товару: 39137 |
Beyondoor |
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени Стандарт: GPS Виконання: внутрішня, SMD Опис: Антена GPS. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 2dBi. Центральна частота (МГц): 1575,42±3. Поляризація: RHCP. Розмір:12x12x4mm Підсилення, dBi: 2 dBi Вид антени: GPS Частота: 1575,42 МГц |
у наявності: 17 шт
|
|
||||||||||||
+1 |
Антена 850-1900/900-1800, 6dBi. BY-GSM-02-10 SMA-M Svivel Beyondoor Код товару: 28578 |
Beyondoor |
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени Стандарт: GSM850/1800 Виконання: зовнішня Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 6dBi. VSWR ≤2. Загальна довжина антени: 394mm. Підсилення, dBi: 6 dBi Кабель та роз’єми: SMA Вид антени: GSM Частота: 850-1900/900-1800 |
очікується:
50 шт
|
|
||||||||||||
Антена 850-1900/900-1800МГц, 2,15dBi. BY-GSM-01 R/A SMA Beyondoor Код товару: 20926 |
Beyondoor |
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени Стандарт: GSM850/1800 Виконання: зовнішня Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 2,15dBi. Смуга пропускання: 70/180МГц. VSWR ≤2. Загальна довжина антени: 45mm. Підсилення, dBi: 2,15 dBi Кабель та роз’єми: SMA Вид антени: GSM Частота: 850-1900/900-1800 |
у наявності: 44 шт
|
|
|||||||||||||
Антена 850-1900/900-1800МГц, 2,15dBi. BY-GSM-01 SMA Beyondoor Код товару: 26326 |
Beyondoor |
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени Стандарт: GSM850/1800 Виконання: зовнішня Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 2,15dBi. Пропускна здатність: 70/180МГц. Довжина: 50mm Підсилення, dBi: 2,15 dBi Кабель та роз’єми: SMA Вид антени: GSM Частота: 850-1900/900-1800 МГц |
у наявності: 12 шт
очікується:
60 шт
|
|
|||||||||||||
+1 |
Антена 850-1900/900-1800МГц, 3dBi. BY-GSM-02 SMA-M Swivel Beyondoor Код товару: 28575 |
Beyondoor |
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени Стандарт: GSM850/1800 Виконання: зовнішня Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 3dBi. VSWR ≤2. Смуга пропускання: 70/180МГц. Загальна довжина антени: 110mm. Підсилення, dBi: 3 dBi Кабель та роз’єми: SMA Вид антени: GSM Частота: 850-1900/900-1800 МГц |
очікується:
50 шт
|
|
||||||||||||
+1 |
Антена 850-1900/900-1800МГц, 5dBi. BY-GSM-50 5M SMA-M Beyondoor Код товару: 53009 |
Beyondoor |
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени Стандарт: GSM850/1800 Виконання: зовнішня Опис: Антена GSM на магніті з проводом. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 5dBi. VSWR ≤1.5. Загальна довжина антени: 150mm. Довжина проводу RG174: 5м. Підсилення, dBi: 5 dBi Кабель та роз’єми: SMA Вид антени: GSM Частота: 850-1900/900-1800 МГц |
очікується:
40 шт
|
|
||||||||||||
Антена 850/900/1800/1900/2100МГц з кабелем, 7dBi. BY-GSM-06-RG174-SMA Beyondoor Код товару: 30704 |
Beyondoor |
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени Стандарт: 850-1900/900-1800 МГц Виконання: зовнішня Опис: Антена з кабелем RG-174. Діапазон робочих частот: 850-1900/900-1800 МГц Підсилення, dBi: 7 dBi Кабель та роз’єми: SMA Вид антени: GSM Частота: 850/900/1800/1900/2100 МГц |
у наявності: 91 шт
|
|
|||||||||||||
+1 |
Мотор кроковий 17HS2401 (42BYGH40) (Nema 17) Код товару: 174519 |
Модульні елементи > Мотори (двигуни) Опис: Кроковий біполярний мотор. Кут кроку: 1,8 °, струм обмотки: 1,68A, опір: 1,65 Ohm, індуктивність: 3,2 mH, утримуючий крутний момент: 45 N.cm, інерція ротора: 54 G.cm2. Максимальна температура при включених 2х фазах: 80 ° C Тип: Кроковий Напруга живлення В: 12 ... 24 VDC Розміри: 42,3x42,3x40 mm |
у наявності: 16 шт
очікується:
20 шт
|
|
|||||||||||||
BYG10D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1225 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG10D-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 804 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG10G-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG10J-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 7140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG10J-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG10M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 27A Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 27A Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Leakage current: 50µA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. load current: 5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 19525 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG10M-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 4µs кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay Semiconductor | Випрямний лавинноподібний діод SMD; Io, A = 1,5; Uзвор, В = 1 600; Uf (max), В = 1,15; If, А = 1,5; trr, нс = 4 000 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 25; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 1 @ 1600; SMA |
на замовлення 84 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 4µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20D-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6355 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20G SMA LGE | LGE |
1,5A; 400V; packaging: reel; BYG20G SMA LGE DP BYG20G LGE кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20G-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20340 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20J | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 465 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Max. load current: 5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 21480 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20J | MIC |
1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 10412 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20J R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20J SMA LGE | LGE |
1,5A; 600V; packaging: reel; BYG20J SMA LGE DP BYG20J LGE кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20J SMA T&R | KINGTRONICS |
1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J Kt кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG20J-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: SMA Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG21M | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 50A Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 50A Case: SMA Max. forward voltage: 1.6V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated Type of diode: rectifying Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 120ns Capacitance: 13pF кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 355 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG21M-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 30A Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: SMA Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.6V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4343 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG22B-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 25ns Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Case: DO214AC; SMA Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward impulse current: 35A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG22D-E3/TR | Vishay Semiconductor | Випрямний лавинний діод SMD; Io, A = 2; Uзвор, В = 200; Uf (max), В = 1,1; If, А = 2; trr, нс = 25 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 25; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 1 @ 200; SMA |
на замовлення 3576 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG22D-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 25ns Leakage current: 10µA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Case: DO214AC; SMA Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward impulse current: 35A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3337 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG23M-E3/TR | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Case: DO214AC; SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward voltage: 1.35V Reverse recovery time: 75ns Leakage current: 50µA Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3107 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG23M-E3/TR3 | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Max. forward impulse current: 30A Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Type of diode: rectifying Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4545 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BYG23T-M3/TR | VISHAY | BYG23T-M3/TR SMD universal diodes |
на замовлення 3189 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BY-GPS/GSM-04-SMA | JIAXING BEYONDOOR ELECTRONICS CO.,LTD | BY-GPS/GSM-04-SMA Антенна GPS/GSM с RG174 (L= 3000 mm) и раз-ми SMA (Male) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
BY-GSM/AMPS-10 | JIAXING BEYONDOOR ELECTRONICS CO.,LTD | Антенна GSM основание под винт (L=2500mm) SMA |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
BYG10J-TR | VISHAY |
на замовлення 32294 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
BYG10K | VISHAY |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
BYG10K-TR | VISHAY | DO214 |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
BYG10K-TR DO214 | VISHAY |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
BYG10K-TRDO214 | VISHAY |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
BYG10Y |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BYG10Y-E3-TR | VISHAY | 05+06+ |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
BYG10Y-E3/TR | Vishay General Semiconductor | Standard Avalanche Rectifier SMA=DO-214AC |
на замовлення 51 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
BYG10Y-TR | VISHAY | DO214AC |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
BYG1OM-TR | VISHAY |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
BYG20D-E3/TR3 | VISHAY |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
BYG20G-TR |
на замовлення 39800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BYG20J-E3-TR | VISHAY | 05+06+ |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
BYG20J-TR | VISHAY | 02+ SMA |
на замовлення 630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
BYG21M | VISHAY |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
BYG21M-TR |
на замовлення 32080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BYG21MTR | VISHAY |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
ABYG 54276AO(JD-P54276) Код товару: 103592 |
у наявності: 71 шт
очікується:
3 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14 грн |
WH1602B-YGH-CTK Код товару: 60296 |
Виробник: Winstar
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x2
Технологія: STN
Габарити/Розмір точки: 80x36 mm
Кут огляду/Підсвітка: 6/жовта
Контролер: S6B0066U
Примітка: Підтримує кирилицю
Вид: Символьний
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x2
Технологія: STN
Габарити/Розмір точки: 80x36 mm
Кут огляду/Підсвітка: 6/жовта
Контролер: S6B0066U
Примітка: Підтримує кирилицю
Вид: Символьний
у наявності: 12 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 396 грн |
WH1604B-YGH-CT Код товару: 104032 |
Виробник: Winstar
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x4
Технологія: STN
Габарити/Розмір точки: 70,6x60 mm / 0,55x0,55 mm
Кут огляду/Підсвітка: 6/жовто-зелена
Контролер: S6B0066U
Примітка: Підтримує кирилицю
Вид: Символьний
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x4
Технологія: STN
Габарити/Розмір точки: 70,6x60 mm / 0,55x0,55 mm
Кут огляду/Підсвітка: 6/жовто-зелена
Контролер: S6B0066U
Примітка: Підтримує кирилицю
Вид: Символьний
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 300 грн |
Антена 1575,42МГц, 28dBi. BY-GPS-07 SMA-M 5M Beyondoor Код товару: 25234 |
Виробник: Beyondoor
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GPS
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GPS. Опір вхідний: 50 Ohm, підсиленя: 4dBi. Центральна частота (МГц): 1575,42±3. Поляризація: RHCP. VSWR: 1.5:1. LNA: 28dBi. DC: 2,7/3/3,3/3V/5. Розмір: 37,2x34x11mm. Довжина проводу: 5м.
Підсилення, dBi: 28 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GPS
Частота: 1575,42 МГц
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GPS
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GPS. Опір вхідний: 50 Ohm, підсиленя: 4dBi. Центральна частота (МГц): 1575,42±3. Поляризація: RHCP. VSWR: 1.5:1. LNA: 28dBi. DC: 2,7/3/3,3/3V/5. Розмір: 37,2x34x11mm. Довжина проводу: 5м.
Підсилення, dBi: 28 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GPS
Частота: 1575,42 МГц
очікується:
50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 320 грн |
10+ | 295 грн |
Антена 1575,42МГц, 2dBi. BY-GPS-124 Beyondoor Код товару: 39137 |
Виробник: Beyondoor
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GPS
Виконання: внутрішня, SMD
Опис: Антена GPS. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 2dBi. Центральна частота (МГц): 1575,42±3. Поляризація: RHCP. Розмір:12x12x4mm
Підсилення, dBi: 2 dBi
Вид антени: GPS
Частота: 1575,42 МГц
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GPS
Виконання: внутрішня, SMD
Опис: Антена GPS. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 2dBi. Центральна частота (МГц): 1575,42±3. Поляризація: RHCP. Розмір:12x12x4mm
Підсилення, dBi: 2 dBi
Вид антени: GPS
Частота: 1575,42 МГц
у наявності: 17 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 70 грн |
10+ | 64 грн |
Антена 850-1900/900-1800, 6dBi. BY-GSM-02-10 SMA-M Svivel Beyondoor Код товару: 28578 |
Виробник: Beyondoor
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GSM850/1800
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 6dBi. VSWR ≤2. Загальна довжина антени: 394mm.
Підсилення, dBi: 6 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850-1900/900-1800
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GSM850/1800
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 6dBi. VSWR ≤2. Загальна довжина антени: 394mm.
Підсилення, dBi: 6 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850-1900/900-1800
очікується:
50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 280 грн |
10+ | 255 грн |
Антена 850-1900/900-1800МГц, 2,15dBi. BY-GSM-01 R/A SMA Beyondoor Код товару: 20926 |
Виробник: Beyondoor
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GSM850/1800
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 2,15dBi. Смуга пропускання: 70/180МГц. VSWR ≤2. Загальна довжина антени: 45mm.
Підсилення, dBi: 2,15 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850-1900/900-1800
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GSM850/1800
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 2,15dBi. Смуга пропускання: 70/180МГц. VSWR ≤2. Загальна довжина антени: 45mm.
Підсилення, dBi: 2,15 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850-1900/900-1800
у наявності: 44 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 108 грн |
10+ | 102.3 грн |
Антена 850-1900/900-1800МГц, 2,15dBi. BY-GSM-01 SMA Beyondoor Код товару: 26326 |
Виробник: Beyondoor
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GSM850/1800
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 2,15dBi. Пропускна здатність: 70/180МГц. Довжина: 50mm
Підсилення, dBi: 2,15 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850-1900/900-1800 МГц
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GSM850/1800
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 2,15dBi. Пропускна здатність: 70/180МГц. Довжина: 50mm
Підсилення, dBi: 2,15 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850-1900/900-1800 МГц
у наявності: 12 шт
очікується:
60 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 105 грн |
10+ | 96 грн |
Антена 850-1900/900-1800МГц, 3dBi. BY-GSM-02 SMA-M Swivel Beyondoor Код товару: 28575 |
Виробник: Beyondoor
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GSM850/1800
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 3dBi. VSWR ≤2. Смуга пропускання: 70/180МГц. Загальна довжина антени: 110mm.
Підсилення, dBi: 3 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850-1900/900-1800 МГц
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GSM850/1800
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GSM. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 3dBi. VSWR ≤2. Смуга пропускання: 70/180МГц. Загальна довжина антени: 110mm.
Підсилення, dBi: 3 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850-1900/900-1800 МГц
очікується:
50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 77 грн |
10+ | 69.3 грн |
Антена 850-1900/900-1800МГц, 5dBi. BY-GSM-50 5M SMA-M Beyondoor Код товару: 53009 |
Виробник: Beyondoor
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GSM850/1800
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GSM на магніті з проводом. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 5dBi. VSWR ≤1.5. Загальна довжина антени: 150mm. Довжина проводу RG174: 5м.
Підсилення, dBi: 5 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850-1900/900-1800 МГц
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: GSM850/1800
Виконання: зовнішня
Опис: Антена GSM на магніті з проводом. Опір: 50 Ohm, підсиленя: 5dBi. VSWR ≤1.5. Загальна довжина антени: 150mm. Довжина проводу RG174: 5м.
Підсилення, dBi: 5 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850-1900/900-1800 МГц
очікується:
40 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 180 грн |
10+ | 164 грн |
Антена 850/900/1800/1900/2100МГц з кабелем, 7dBi. BY-GSM-06-RG174-SMA Beyondoor Код товару: 30704 |
Виробник: Beyondoor
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: 850-1900/900-1800 МГц
Виконання: зовнішня
Опис: Антена з кабелем RG-174. Діапазон робочих частот: 850-1900/900-1800 МГц
Підсилення, dBi: 7 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850/900/1800/1900/2100 МГц
Корпусні та встановлювальні вироби > Антени
Стандарт: 850-1900/900-1800 МГц
Виконання: зовнішня
Опис: Антена з кабелем RG-174. Діапазон робочих частот: 850-1900/900-1800 МГц
Підсилення, dBi: 7 dBi
Кабель та роз’єми: SMA
Вид антени: GSM
Частота: 850/900/1800/1900/2100 МГц
у наявності: 91 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 220 грн |
10+ | 198 грн |
Мотор кроковий 17HS2401 (42BYGH40) (Nema 17) Код товару: 174519 |
Модульні елементи > Мотори (двигуни)
Опис: Кроковий біполярний мотор. Кут кроку: 1,8 °, струм обмотки: 1,68A, опір: 1,65 Ohm, індуктивність: 3,2 mH, утримуючий крутний момент: 45 N.cm, інерція ротора: 54 G.cm2. Максимальна температура при включених 2х фазах: 80 ° C
Тип: Кроковий
Напруга живлення В: 12 ... 24 VDC
Розміри: 42,3x42,3x40 mm
Опис: Кроковий біполярний мотор. Кут кроку: 1,8 °, струм обмотки: 1,68A, опір: 1,65 Ohm, індуктивність: 3,2 mH, утримуючий крутний момент: 45 N.cm, інерція ротора: 54 G.cm2. Максимальна температура при включених 2х фазах: 80 ° C
Тип: Кроковий
Напруга живлення В: 12 ... 24 VDC
Розміри: 42,3x42,3x40 mm
у наявності: 16 шт
очікується:
20 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 330 грн |
BYG10D |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 25 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.12 грн |
500+ | 1.8 грн |
625+ | 1.54 грн |
1725+ | 1.46 грн |
2500+ | 1.45 грн |
BYG10D-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 804 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.38 грн |
25+ | 10.78 грн |
100+ | 9.14 грн |
126+ | 7.58 грн |
347+ | 7.17 грн |
BYG10G-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 15.96 грн |
25+ | 11.03 грн |
100+ | 9.39 грн |
115+ | 8.31 грн |
320+ | 7.86 грн |
BYG10J-AQ |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 6.41 грн |
60+ | 4.85 грн |
250+ | 4.13 грн |
260+ | 3.7 грн |
710+ | 3.5 грн |
7500+ | 3.46 грн |
BYG10J-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.01 грн |
30+ | 9.66 грн |
100+ | 8.24 грн |
130+ | 7.37 грн |
360+ | 6.97 грн |
1800+ | 6.92 грн |
BYG10M |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 27A
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 27A
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Leakage current: 50µA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 25 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 27A
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 27A
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Leakage current: 50µA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 19525 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 2.81 грн |
125+ | 2.44 грн |
500+ | 2.08 грн |
575+ | 1.71 грн |
1550+ | 1.61 грн |
BYG10M-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 10µA
Reverse recovery time: 4µs
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Leakage current: 10µA
Reverse recovery time: 4µs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.59 грн |
30+ | 9.84 грн |
100+ | 8.4 грн |
135+ | 7.26 грн |
365+ | 6.87 грн |
BYG10Y-E3/TR |
Виробник: Vishay Semiconductor
Випрямний лавинноподібний діод SMD; Io, A = 1,5; Uзвор, В = 1 600; Uf (max), В = 1,15; If, А = 1,5; trr, нс = 4 000 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 25; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 1 @ 1600; SMA
Випрямний лавинноподібний діод SMD; Io, A = 1,5; Uзвор, В = 1 600; Uf (max), В = 1,15; If, А = 1,5; trr, нс = 4 000 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 25; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 1 @ 1600; SMA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
54+ | 11.76 грн |
59+ | 10.59 грн |
100+ | 9.41 грн |
BYG10Y-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.85 грн |
25+ | 13.43 грн |
100+ | 11.45 грн |
105+ | 9.39 грн |
280+ | 8.88 грн |
BYG20D |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 5.23 грн |
250+ | 4.46 грн |
260+ | 3.72 грн |
700+ | 3.51 грн |
BYG20D-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.42 грн |
30+ | 9.07 грн |
100+ | 7.74 грн |
145+ | 6.69 грн |
390+ | 6.32 грн |
BYG20G |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 6.12 грн |
60+ | 4.98 грн |
250+ | 4.23 грн |
260+ | 3.83 грн |
700+ | 3.62 грн |
2500+ | 3.55 грн |
BYG20G SMA LGE |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.48 грн |
BYG20G-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.71 грн |
30+ | 10.09 грн |
100+ | 8.65 грн |
120+ | 8.17 грн |
325+ | 7.73 грн |
1800+ | 7.41 грн |
BYG20J |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.12 грн |
100+ | 9.39 грн |
115+ | 8.48 грн |
315+ | 8.02 грн |
7500+ | 7.91 грн |
BYG20J |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 27A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Max. load current: 5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 21480 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 6.12 грн |
60+ | 4.98 грн |
250+ | 4.23 грн |
270+ | 3.67 грн |
720+ | 3.47 грн |
BYG20J |
Виробник: MIC
1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J
кількість в упаковці: 5000 шт
1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 10412 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 4.3 грн |
BYG20J R3G |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 13.48 грн |
25+ | 11.72 грн |
100+ | 9.97 грн |
104+ | 9.32 грн |
284+ | 8.81 грн |
BYG20J SMA LGE |
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.48 грн |
BYG20J SMA T&R |
Виробник: KINGTRONICS
1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J Kt
кількість в упаковці: 5000 шт
1.5A; 600V; packaging: reel; BYG20J diode rectifying DP BYG20J Kt
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 3.04 грн |
BYG20J-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 16.85 грн |
26+ | 10.01 грн |
100+ | 8.65 грн |
126+ | 7.66 грн |
345+ | 7.25 грн |
1800+ | 7 грн |
BYG21M |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 50A
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.6V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
Capacitance: 13pF
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 50A
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.6V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
Capacitance: 13pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 355 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 13.75 грн |
25+ | 11.97 грн |
100+ | 10.21 грн |
115+ | 8.45 грн |
315+ | 7.99 грн |
BYG21M-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 30A
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 30A
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4343 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 20.13 грн |
25+ | 12.91 грн |
99+ | 9.66 грн |
272+ | 9.13 грн |
BYG22B-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 35A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 35A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 25.45 грн |
25+ | 19.24 грн |
68+ | 14.15 грн |
186+ | 13.38 грн |
BYG22D-E3/TR |
Виробник: Vishay Semiconductor
Випрямний лавинний діод SMD; Io, A = 2; Uзвор, В = 200; Uf (max), В = 1,1; If, А = 2; trr, нс = 25 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 25; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 1 @ 200; SMA
Випрямний лавинний діод SMD; Io, A = 2; Uзвор, В = 200; Uf (max), В = 1,1; If, А = 2; trr, нс = 25 мс; Тексп, °C = -55...+150; Темп.опір,°C/Вт = 25; Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс; I, мкА @ Ur, В = 1 @ 200; SMA
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
51+ | 12.36 грн |
57+ | 11.12 грн |
100+ | 9.89 грн |
BYG22D-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 35A
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 25ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 25ns
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward impulse current: 35A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3337 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.46 грн |
25+ | 18.47 грн |
70+ | 13.71 грн |
195+ | 12.96 грн |
BYG23M-E3/TR |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward voltage: 1.35V
Reverse recovery time: 75ns
Leakage current: 50µA
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Case: DO214AC; SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Max. forward voltage: 1.35V
Reverse recovery time: 75ns
Leakage current: 50µA
Type of diode: rectifying
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 19.33 грн |
25+ | 16.42 грн |
70+ | 13.75 грн |
195+ | 13.01 грн |
1800+ | 12.44 грн |
BYG23M-E3/TR3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 23.95 грн |
25+ | 17.45 грн |
74+ | 12.93 грн |
204+ | 12.22 грн |
BYG23T-M3/TR |
Виробник: VISHAY
BYG23T-M3/TR SMD universal diodes
BYG23T-M3/TR SMD universal diodes
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 39.91 грн |
73+ | 13.18 грн |
201+ | 12.44 грн |
BY-GPS/GSM-04-SMA |
Виробник: JIAXING BEYONDOOR ELECTRONICS CO.,LTD
BY-GPS/GSM-04-SMA Антенна GPS/GSM с RG174 (L= 3000 mm) и раз-ми SMA (Male)
BY-GPS/GSM-04-SMA Антенна GPS/GSM с RG174 (L= 3000 mm) и раз-ми SMA (Male)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 5 дні (днів)BY-GSM/AMPS-10 |
Виробник: JIAXING BEYONDOOR ELECTRONICS CO.,LTD
Антенна GSM основание под винт (L=2500mm) SMA
Антенна GSM основание под винт (L=2500mm) SMA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)BYG10Y-E3/TR |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Standard Avalanche Rectifier SMA=DO-214AC
Standard Avalanche Rectifier SMA=DO-214AC
на замовлення 51 шт:
термін постачання 5 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]