Результат пошуку "DMN63D8LDW" : 41
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 79
Мінімальне замовлення: 4144
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3866
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 6000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 4077
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 100
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN63D8LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 1900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 1900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET |
на замовлення 504546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 1908326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET |
на замовлення 196492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 5394000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 50809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 5394975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 50809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 5262000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 6350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6350 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA |
на замовлення 57752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 801000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 803809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 801000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW | Diodes Incorporated | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN63D8LDW-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN63D8LDW-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
DMN63D8LDW-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.3 грн |
DMN63D8LDW-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.7 грн |
30000+ | 2.55 грн |
50000+ | 2.29 грн |
100000+ | 1.91 грн |
250000+ | 1.86 грн |
DMN63D8LDW-13 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.87 грн |
DMN63D8LDW-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.92 грн |
20000+ | 2.88 грн |
DMN63D8LDW-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 504546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 22.38 грн |
20+ | 15.32 грн |
100+ | 5.46 грн |
1000+ | 3.26 грн |
2500+ | 3 грн |
10000+ | 2.66 грн |
20000+ | 2.6 грн |
DMN63D8LDW-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1908326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 20.89 грн |
21+ | 13.8 грн |
100+ | 6.72 грн |
500+ | 5.26 грн |
1000+ | 3.65 грн |
2000+ | 3.17 грн |
5000+ | 2.89 грн |
DMN63D8LDW-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.7 грн |
20000+ | 2.67 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 10.16 грн |
100+ | 3.55 грн |
115+ | 3.14 грн |
285+ | 2.84 грн |
500+ | 2.82 грн |
780+ | 2.68 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.19 грн |
60+ | 4.43 грн |
100+ | 3.76 грн |
285+ | 3.4 грн |
500+ | 3.39 грн |
780+ | 3.22 грн |
3000+ | 3.15 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.66 грн |
6000+ | 2.37 грн |
12000+ | 2.1 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 196492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 15.15 грн |
29+ | 10.57 грн |
100+ | 4.53 грн |
1000+ | 3.2 грн |
3000+ | 2.66 грн |
9000+ | 2.4 грн |
24000+ | 2.2 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5394000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.55 грн |
6000+ | 3.17 грн |
9000+ | 2.63 грн |
30000+ | 2.42 грн |
75000+ | 2.18 грн |
150000+ | 1.89 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
79+ | 9.56 грн |
104+ | 7.2 грн |
155+ | 4.84 грн |
500+ | 3.33 грн |
1500+ | 3.01 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4144+ | 2.82 грн |
6000+ | 2.52 грн |
12000+ | 2.25 грн |
18000+ | 2.15 грн |
30000+ | 1.96 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.79 грн |
6000+ | 2.49 грн |
12000+ | 2.2 грн |
18000+ | 2.1 грн |
30000+ | 1.92 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3866+ | 3.02 грн |
6000+ | 2.71 грн |
12000+ | 2.41 грн |
18000+ | 2.3 грн |
30000+ | 2.11 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5394975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 21.61 грн |
20+ | 13.94 грн |
100+ | 6.81 грн |
500+ | 5.33 грн |
1000+ | 3.7 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 9.56 грн |
104+ | 7.2 грн |
155+ | 4.84 грн |
500+ | 3.33 грн |
1500+ | 3.01 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 5262000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6000+ | 2.33 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.17 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.36 грн |
DMN63D8LDW-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.6 грн |
6000+ | 2.32 грн |
12000+ | 2.05 грн |
18000+ | 1.96 грн |
30000+ | 1.8 грн |
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 10.31 грн |
100+ | 3.61 грн |
110+ | 3.19 грн |
270+ | 2.98 грн |
500+ | 2.86 грн |
745+ | 2.81 грн |
3000+ | 2.71 грн |
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.37 грн |
60+ | 4.5 грн |
100+ | 3.83 грн |
270+ | 3.57 грн |
500+ | 3.44 грн |
745+ | 3.37 грн |
3000+ | 3.25 грн |
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
на замовлення 57752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.2 грн |
17+ | 19.07 грн |
100+ | 6.73 грн |
1000+ | 4.73 грн |
3000+ | 2.66 грн |
9000+ | 2.33 грн |
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4077+ | 2.86 грн |
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 803809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.93 грн |
17+ | 17.13 грн |
100+ | 8.37 грн |
500+ | 6.55 грн |
1000+ | 4.55 грн |
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 31.08 грн |
36+ | 20.99 грн |
100+ | 7.99 грн |
500+ | 5.1 грн |
1000+ | 2.56 грн |
5000+ | 2.35 грн |
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.37 грн |
6000+ | 3.9 грн |
9000+ | 3.23 грн |
30000+ | 2.98 грн |
75000+ | 2.68 грн |
150000+ | 2.32 грн |
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 7.99 грн |
500+ | 5.1 грн |
1000+ | 2.56 грн |
5000+ | 2.35 грн |
DMN63D8LDW-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDW-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній