Продукція > DIODES ZETEX > DMN63D8LDWQ-7
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

dmn63d8ldwq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4077+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 4077
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMN63D8LDWQ-7 за ціною від 2.31 грн до 31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.35 грн
6000+ 3.89 грн
9000+ 3.23 грн
30000+ 2.97 грн
75000+ 2.67 грн
150000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.97 грн
500+ 5.09 грн
1000+ 2.55 грн
5000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.28 грн
100+ 3.6 грн
110+ 3.18 грн
270+ 2.97 грн
500+ 2.86 грн
745+ 2.8 грн
3000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.34 грн
60+ 4.48 грн
100+ 3.82 грн
270+ 3.56 грн
500+ 3.43 грн
745+ 3.36 грн
3000+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 803809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.87 грн
17+ 17.09 грн
100+ 8.35 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-3103090.pdf MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
на замовлення 57752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.13 грн
17+ 19.02 грн
100+ 6.71 грн
1000+ 4.72 грн
3000+ 2.66 грн
9000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31 грн
36+ 20.94 грн
100+ 7.97 грн
500+ 5.09 грн
1000+ 2.55 грн
5000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Inc dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній