Результат пошуку "F7832" : 49
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7832TRPBF Код товару: 30646 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 16 A Rds(on), Ohm: 4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34 Монтаж: SMD |
у наявності: 54 шт
|
|
||||||||||||||||
F7832 | IOR | O4 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F7832 | IR |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
F7832 | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 278 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832 | IR | Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=30V Id=20A P=2.5W Rds=4mOhm |
на замовлення 35 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7832PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 20 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15; Qg, нКл = 51 @ 4,5 В; Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 102 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7832TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7832TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7832TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 769 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC |
на замовлення 12434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
на замовлення 37875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
A9F78320 | Merlin Gerin/SCHNEIDER ELECTRIC | A9F78320 Автоматический выключатель iC60N 3P 20A B |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
A9F78325 | SCHNEIDER ELECTRIC | A9F78325 IC60N 3P 25A B |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832TR | IR | 0539+ SOP-8 |
на замовлення 67810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832TR | IR | 2003 SMD |
на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832TR | IOR | 03+ |
на замовлення 35379 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832TR | IR | 4 SOP; |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832TR | IR |
на замовлення 7802 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7832UTRPBF | IOR |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7832UTRPBF | IR |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7832UTRPBF | IR | SOP8 0636+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832Z | IOR | 09+ |
на замовлення 12963 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832Z | IOR | 05+ SMD8 |
на замовлення 452 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832ZPBF | IOR | 09+ |
на замовлення 158 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832ZTRPBF | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7832ZTRPBF | IR | 09+ |
на замовлення 46018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832ZTRPBF | IR | SOP8 |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832ZTRPBF | IOR | 09+ |
на замовлення 47518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7832ZTRPBF | IR | SOP8 07+08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
K2401GLRP | Littelfuse Inc. |
Description: SIDAC MP 220-250V H.V. DO15 TR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA Voltage - Breakover: 220 ~ 250V Current - Breakover: 10 µA Supplier Device Package: DO-15 Part Status: Active Current - Peak Output: 1 A |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7832 Код товару: 30575 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
3CFE1 S0 F7832 | TE Connectivity | TE Connectivity |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832HR | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832HR | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832TR | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832Z | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832ZTR | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7832ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRDC2085S-S | Infineon Technologies |
Description: BOARD EVAL CONV DC BUS W/IRF7832 Packaging: Box Voltage - Output: 6V ~ 10V Voltage - Input: 36V ~ 60V Current - Output: 20A Frequency - Switching: 500kHz Regulator Topology: Buck Board Type: Fully Populated Utilized IC / Part: IR2085S, IRF7493, IRF7832 Supplied Contents: Board(s) Main Purpose: DC/DC, Step Down Outputs and Type: 1, Isolated Part Status: Obsolete Power - Output: 200 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
K2401GLRP | Littelfuse Inc. |
Description: SIDAC MP 220-250V H.V. DO15 TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA Voltage - Breakover: 220 ~ 250V Current - Breakover: 10 µA Supplier Device Package: DO-15 Part Status: Active Current - Peak Output: 1 A |
товар відсутній |
IRF7832TRPBF Код товару: 30646 |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 54 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26.5 грн |
IRF7832 |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=30V Id=20A P=2.5W Rds=4mOhm
Транз. Пол. ММ N-Channel SO8 Udss=30V Id=20A P=2.5W Rds=4mOhm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 41.68 грн |
10+ | 36.13 грн |
IRF7832PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 20 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15; Qg, нКл = 51 @ 4,5 В; Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 20 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15; Qg, нКл = 51 @ 4,5 В; Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+155; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 102 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 23.82 грн |
29+ | 22.23 грн |
100+ | 20.64 грн |
IRF7832TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.42 грн |
IRF7832TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 49.81 грн |
21+ | 39.61 грн |
56+ | 37.46 грн |
500+ | 36.9 грн |
IRF7832TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 769 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 71.72 грн |
5+ | 62.07 грн |
21+ | 47.53 грн |
56+ | 44.95 грн |
500+ | 44.28 грн |
IRF7832TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 25.33 грн |
IRF7832TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 25.33 грн |
IRF7832TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 12434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.87 грн |
10+ | 95.73 грн |
100+ | 64.4 грн |
500+ | 51.14 грн |
1000+ | 43.15 грн |
2000+ | 41.09 грн |
4000+ | 39.82 грн |
IRF7832TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 45.39 грн |
8000+ | 41.62 грн |
12000+ | 39.7 грн |
IRF7832TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 37875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.5 грн |
10+ | 86.43 грн |
100+ | 67.24 грн |
500+ | 53.48 грн |
1000+ | 43.57 грн |
2000+ | 41.01 грн |
A9F78320 |
Виробник: Merlin Gerin/SCHNEIDER ELECTRIC
A9F78320 Автоматический выключатель iC60N 3P 20A B
A9F78320 Автоматический выключатель iC60N 3P 20A B
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)A9F78325 |
Виробник: SCHNEIDER ELECTRIC
A9F78325 IC60N 3P 25A B
A9F78325 IC60N 3P 25A B
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)K2401GLRP |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: SIDAC MP 220-250V H.V. DO15 TR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA
Voltage - Breakover: 220 ~ 250V
Current - Breakover: 10 µA
Supplier Device Package: DO-15
Part Status: Active
Current - Peak Output: 1 A
Description: SIDAC MP 220-250V H.V. DO15 TR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA
Voltage - Breakover: 220 ~ 250V
Current - Breakover: 10 µA
Supplier Device Package: DO-15
Part Status: Active
Current - Peak Output: 1 A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.22 грн |
10+ | 102.46 грн |
100+ | 81.55 грн |
500+ | 64.76 грн |
1000+ | 54.95 грн |
IRF7832 Код товару: 30575 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7832PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube
товар відсутній
IRF7832PBF |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube
товар відсутній
IRF7832PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF7832TR |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF7832TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7832Z |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF7832ZTR |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF7832ZTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRDC2085S-S |
Виробник: Infineon Technologies
Description: BOARD EVAL CONV DC BUS W/IRF7832
Packaging: Box
Voltage - Output: 6V ~ 10V
Voltage - Input: 36V ~ 60V
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: IR2085S, IRF7493, IRF7832
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 200 W
Description: BOARD EVAL CONV DC BUS W/IRF7832
Packaging: Box
Voltage - Output: 6V ~ 10V
Voltage - Input: 36V ~ 60V
Current - Output: 20A
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: IR2085S, IRF7493, IRF7832
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 200 W
товар відсутній
K2401GLRP |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: SIDAC MP 220-250V H.V. DO15 TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA
Voltage - Breakover: 220 ~ 250V
Current - Breakover: 10 µA
Supplier Device Package: DO-15
Part Status: Active
Current - Peak Output: 1 A
Description: SIDAC MP 220-250V H.V. DO15 TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 30 mA
Voltage - Breakover: 220 ~ 250V
Current - Breakover: 10 µA
Supplier Device Package: DO-15
Part Status: Active
Current - Peak Output: 1 A
товар відсутній