Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7832TRPBF
IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF

irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Код товару: 30646
Виробник:
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності 51 шт:
27 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+26.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7832TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:20A
  • Package/Case:8-SOIC
  • Power Dissipation, Pd:2.5W
  • Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
  • Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm

Інші пропозиції IRF7832TRPBF за ціною від 25.39 грн до 130.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+38.1 грн
8000+ 36.93 грн
12000+ 36.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+40.94 грн
8000+ 39.67 грн
12000+ 38.7 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+45.5 грн
8000+ 41.73 грн
12000+ 39.8 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+46.63 грн
8000+ 44.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.93 грн
21+ 39.71 грн
56+ 37.55 грн
500+ 37 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+50.21 грн
8000+ 48.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+56.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
206+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 206
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
165+70.99 грн
178+ 66.02 грн
211+ 55.58 грн
223+ 50.68 грн
500+ 46.76 грн
1000+ 40.62 грн
4000+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 165
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 769 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.9 грн
5+ 62.22 грн
21+ 47.65 грн
56+ 45.06 грн
500+ 44.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+72.42 грн
500+ 57.51 грн
1000+ 38.39 грн
5000+ 37.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
116+101.53 грн
117+ 100.5 грн
151+ 77.73 грн
250+ 74.2 грн
500+ 40.67 грн
Мінімальне замовлення: 116
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
на замовлення 37875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.77 грн
10+ 86.65 грн
100+ 67.41 грн
500+ 53.62 грн
1000+ 43.68 грн
2000+ 41.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7832-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+115.73 грн
10+ 94.28 грн
25+ 93.32 грн
100+ 69.6 грн
250+ 63.8 грн
500+ 36.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN-3363312.pdf MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
на замовлення 12434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.17 грн
10+ 95.97 грн
100+ 64.56 грн
500+ 51.27 грн
1000+ 43.26 грн
2000+ 41.19 грн
4000+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+130.31 грн
10+ 97.36 грн
100+ 72.42 грн
500+ 57.51 грн
1000+ 38.39 грн
5000+ 37.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7832TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7832pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF7416TRPBF
Код товару: 25625		 irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 253 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26 грн
10+ 22.4 грн
100+ 19.9 грн
BC640
Код товару: 3455		 BC636,638,640.pdf
BC640
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 1 А
h21,max: 250
у наявності: 867 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+2.5 грн
10+ 1.9 грн
100+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
100uF 16V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR101M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2463		 EXR_080421.pdf
100uF 16V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR101M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 2839 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.5 грн
100+ 1.2 грн
1000+ 0.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
220uF 16V ECR 6,3x11mm (ECR221M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 1698		 ECR_081225.pdf
220uF 16V ECR 6,3x11mm (ECR221M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 84 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 1.2 грн
100+ 0.95 грн
1000+ 0.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
22nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B223K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1284		 X7R_X5R.pdf
22nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B223K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 22 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 9015 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+0.7 грн
100+ 0.6 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 10