Результат пошуку "FR430A" : 33
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 42
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR430APBF | VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR430APBF | Vishay/IR |
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 5 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 24 @ 10 В; Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; D-PAK |
на замовлення 443 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRFR430APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1378 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR430APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V N-CH HEXFET D-PAK |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFR430ATRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V N-CH HEXFET D-PAK |
на замовлення 3285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR430A | IRFR430A Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFR430ATRLPBF | VISHAY |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRFR430ATRPBF | IR |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRFR430ATRPBF | VISHAY |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
IRFR430APBF Код товару: 163510 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
IRFR430APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFR430APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRFR430ATRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
IRFR430ATRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFR430ATRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRFR430ATRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
IRFR430ATRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFR430ATRRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SIHFR430A-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIHFR430A-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIHFR430A-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SIHFR430A-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SIHFR430ATR-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIHFR430ATR-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
SIHFR430ATR-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SIHFR430ATR-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SIHFR430ATRL-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SIHFR430ATRR-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRFR430ATRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IRFR430ATRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 110W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
| IRFR430APBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 35.11 грн |
| 25+ | 30.73 грн |
| 34+ | 24.28 грн |
| 92+ | 22.89 грн |
| IRFR430APBF |
|
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 5 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 24 @ 10 В; Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; D-PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 5 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 24 @ 10 В; Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 443 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 14.99 грн |
| 45+ | 13.99 грн |
| 100+ | 12.99 грн |
| IRFR430APBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 42.13 грн |
| 25+ | 38.29 грн |
| 34+ | 29.13 грн |
| 92+ | 27.47 грн |
| 1500+ | 26.14 грн |
| IRFR430APBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET D-PAK
MOSFET 500V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.75 грн |
| 10+ | 88.07 грн |
| 100+ | 65.66 грн |
| 250+ | 63.8 грн |
| 500+ | 58.34 грн |
| 1000+ | 51.21 грн |
| 3000+ | 49.55 грн |
| IRFR430ATRPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET D-PAK
MOSFET 500V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.08 грн |
| 10+ | 91.13 грн |
| 100+ | 56.34 грн |
| 250+ | 51.61 грн |
| 500+ | 49.55 грн |
| IRFR430ATRLPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRFR430ATRPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| SIHFR430A-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| SIHFR430A-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| SIHFR430ATR-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| SIHFR430ATR-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IRFR430ATRLPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
| IRFR430ATRPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 110W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній