Результат пошуку "f3205" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 152
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 237
Мінімальне замовлення: 190
Мінімальне замовлення: 314
Мінімальне замовлення: 275
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
IR/Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76 Монтаж: THT |
у наявності: 13301 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3205SPBF Код товару: 36593 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146 Монтаж: SMD |
у наявності: 15 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF Код товару: 34997 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110 Монтаж: THT |
у наявності: 578 шт
|
|
|||||||||||||||||
F3205S | IOR |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
F3205S | IOR | 08+ . |
на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AUIRF3205 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AUIRF3205 | International Rectifier |
Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AUIRF3205Z | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AUIRF3205ZS | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
на замовлення 1357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
D4F-320-5D | Omron Automation and Safety |
Description: SWITCH SNAP ACTION 4PST 15A 120V Packaging: Bulk Features: Cable Length 5m Current Rating (Amps): 15A (AC), 550mA (DC) Mounting Type: Chassis Mount Circuit: 4PST-2NO/2NC Switch Function: On-Mom, Off-Mom Operating Temperature: -30°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Actuator Type: Side Rotary, Roller Operating Force: 510gf Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Release Force: 51gf Pretravel: 12° Overtravel: 40° Part Status: Active Voltage Rating - AC: 120 V Voltage Rating - DC: 125 V |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
D4F-320-5D | Omron Automation and Safety | Limit Switches D4F-320-5D |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
D4F-320-5R | Omron Automation and Safety |
Description: SWITCH SNAP ACTION 4PST 15A 120V Packaging: Bulk Features: Cable Length 5m Current Rating (Amps): 15A (AC), 550mA (DC) Mounting Type: Chassis Mount Circuit: 4PST-2NO/2NC Switch Function: On-Mom, Off-Mom Operating Temperature: -30°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Actuator Type: Side Rotary, Roller Operating Force: 510gf Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Release Force: 51gf Pretravel: 12° Overtravel: 40° Part Status: Active Voltage Rating - AC: 120 V Voltage Rating - DC: 125 V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
D4F-320-5R | Omron Automation and Safety | Limit Switches D4F-320-5R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HRF3205 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 82617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HRF3205L | Harris Corporation |
Description: 100A 55V 0.008 OHM N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HRF3205_NL | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205 | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRF3205 TIRF3205 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 421 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 146nC Technology: HEXFET® |
на замовлення 7036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
на замовлення 911 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 146nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7036 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
на замовлення 22420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC |
на замовлення 63310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
на замовлення 500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
на замовлення 51 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3205S | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205S | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205SPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 16 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205SPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
на замовлення 226 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRL | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
на замовлення 707 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 799 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 53600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC |
на замовлення 8432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205Z | International Rectifier |
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205Z | International Rectifier |
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO262 Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Gate charge: 110nC Technology: HEXFET® |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO262 Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Gate charge: 110nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 110nC Technology: HEXFET® |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 110nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
на замовлення 5562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 30287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZS | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 304 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 440A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 110nC Technology: HEXFET® |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 440A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A On-state resistance: 6.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 110nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 390 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg |
на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
QPDF-320-5 | Qualtek |
Description: AC/DC CONVERTER 5V 320W Packaging: Box Power (Watts): 320W Features: Adjustable Output, DC Input Capable, PFC, Universal Input Size / Dimension: 8.92" L x 4.53" W x 1.97" H (226.5mm x 115.0mm x 50.0mm) Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 88 ~ 264 VAC Type: Enclosed Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Approval Agency: CB, CE, cURus Efficiency: 79% Voltage - Output 1: 5V Part Status: Obsolete Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 3 kV Current - Output 1: 60 A |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3205PBF 110A 55V N-ch TO-220 |
на замовлення 65 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
AUIRF3205ZSTRL | Infineon |
на замовлення 456000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
HRF3205 | FSC |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IF3205 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF3205 IR |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF3205NSTRLPBF | IR | 09+ |
на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 13301 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
IRF3205SPBF Код товару: 36593 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 15 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
IRF3205ZPBF Код товару: 34997 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 578 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
10+ | 45 грн |
AUIRF3205 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 246.56 грн |
50+ | 187.98 грн |
100+ | 161.13 грн |
500+ | 134.41 грн |
1000+ | 115.09 грн |
AUIRF3205 |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
152+ | 132.87 грн |
AUIRF3205Z |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.99 грн |
50+ | 156.38 грн |
100+ | 134.05 грн |
500+ | 111.82 грн |
1000+ | 95.75 грн |
2000+ | 90.16 грн |
AUIRF3205ZS |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
237+ | 85.23 грн |
D4F-320-5D |
Виробник: Omron Automation and Safety
Description: SWITCH SNAP ACTION 4PST 15A 120V
Packaging: Bulk
Features: Cable Length 5m
Current Rating (Amps): 15A (AC), 550mA (DC)
Mounting Type: Chassis Mount
Circuit: 4PST-2NO/2NC
Switch Function: On-Mom, Off-Mom
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Actuator Type: Side Rotary, Roller
Operating Force: 510gf
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Release Force: 51gf
Pretravel: 12°
Overtravel: 40°
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 125 V
Description: SWITCH SNAP ACTION 4PST 15A 120V
Packaging: Bulk
Features: Cable Length 5m
Current Rating (Amps): 15A (AC), 550mA (DC)
Mounting Type: Chassis Mount
Circuit: 4PST-2NO/2NC
Switch Function: On-Mom, Off-Mom
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Actuator Type: Side Rotary, Roller
Operating Force: 510gf
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Release Force: 51gf
Pretravel: 12°
Overtravel: 40°
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 125 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 17008.81 грн |
5+ | 16137.98 грн |
10+ | 15415.49 грн |
25+ | 13562.66 грн |
50+ | 11773.13 грн |
D4F-320-5D |
Виробник: Omron Automation and Safety
Limit Switches D4F-320-5D
Limit Switches D4F-320-5D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 17197.94 грн |
10+ | 16728.24 грн |
25+ | 13747.22 грн |
50+ | 12977.3 грн |
D4F-320-5R |
Виробник: Omron Automation and Safety
Description: SWITCH SNAP ACTION 4PST 15A 120V
Packaging: Bulk
Features: Cable Length 5m
Current Rating (Amps): 15A (AC), 550mA (DC)
Mounting Type: Chassis Mount
Circuit: 4PST-2NO/2NC
Switch Function: On-Mom, Off-Mom
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Actuator Type: Side Rotary, Roller
Operating Force: 510gf
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Release Force: 51gf
Pretravel: 12°
Overtravel: 40°
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 125 V
Description: SWITCH SNAP ACTION 4PST 15A 120V
Packaging: Bulk
Features: Cable Length 5m
Current Rating (Amps): 15A (AC), 550mA (DC)
Mounting Type: Chassis Mount
Circuit: 4PST-2NO/2NC
Switch Function: On-Mom, Off-Mom
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Actuator Type: Side Rotary, Roller
Operating Force: 510gf
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Release Force: 51gf
Pretravel: 12°
Overtravel: 40°
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 125 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 13711.84 грн |
D4F-320-5R |
Виробник: Omron Automation and Safety
Limit Switches D4F-320-5R
Limit Switches D4F-320-5R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14129.09 грн |
10+ | 13627.03 грн |
50+ | 11048.53 грн |
100+ | 10814.64 грн |
HRF3205 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 82617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
190+ | 106.03 грн |
HRF3205L |
Виробник: Harris Corporation
Description: 100A 55V 0.008 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Description: 100A 55V 0.008 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
314+ | 64.42 грн |
HRF3205_NL |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
275+ | 73.15 грн |
IRF3205 |
на замовлення 421 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.15 грн |
IRF3205LPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF3205PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 7036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.78 грн |
10+ | 66.26 грн |
18+ | 45.55 грн |
49+ | 42.79 грн |
1000+ | 41.41 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 138.25 грн |
10+ | 80.11 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7036 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 89.45 грн |
10+ | 79.51 грн |
18+ | 54.66 грн |
49+ | 51.35 грн |
1000+ | 49.69 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 22420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.51 грн |
50+ | 82.93 грн |
100+ | 65.72 грн |
500+ | 52.28 грн |
1000+ | 42.59 грн |
2000+ | 40.09 грн |
5000+ | 37.56 грн |
10000+ | 35.82 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.35 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 63310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.13 грн |
10+ | 85.34 грн |
100+ | 59.5 грн |
500+ | 50.49 грн |
1000+ | 41.81 грн |
2000+ | 39.16 грн |
5000+ | 38.43 грн |
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
на замовлення 500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 66.36 грн |
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 77.97 грн |
IRF3205S |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 312 грн |
10+ | 164.35 грн |
100+ | 152.6 грн |
IRF3205S |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 30.46 грн |
IRF3205SPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 81.17 грн |
10+ | 75.75 грн |
100+ | 70.34 грн |
IRF3205SPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 60.83 грн |
10+ | 49.3 грн |
IRF3205STRL |
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.39 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 58.67 грн |
18+ | 44.86 грн |
50+ | 42.1 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.61 грн |
10+ | 112.97 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.84 грн |
5+ | 73.11 грн |
18+ | 53.83 грн |
50+ | 50.52 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.11 грн |
10+ | 92.83 грн |
100+ | 73.92 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 53600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 30.92 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 8432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.36 грн |
10+ | 87.63 грн |
100+ | 59.96 грн |
800+ | 48.96 грн |
4800+ | 47.18 грн |
9600+ | 46.51 грн |
IRF3205Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 49.17 грн |
IRF3205Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 49.17 грн |
IRF3205ZLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.6 грн |
5+ | 83.51 грн |
10+ | 73.16 грн |
13+ | 63.5 грн |
35+ | 60.05 грн |
IRF3205ZLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.07 грн |
10+ | 87.79 грн |
13+ | 76.2 грн |
35+ | 72.06 грн |
IRF3205ZLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF3205ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 102.57 грн |
5+ | 84.89 грн |
10+ | 73.85 грн |
16+ | 51.07 грн |
IRF3205ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.79 грн |
10+ | 88.62 грн |
16+ | 61.29 грн |
43+ | 57.98 грн |
IRF3205ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.96 грн |
50+ | 88.11 грн |
100+ | 72.49 грн |
500+ | 57.57 грн |
1000+ | 48.84 грн |
2000+ | 46.4 грн |
5000+ | 43.93 грн |
IRF3205ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.99 грн |
10+ | 84.58 грн |
100+ | 62.22 грн |
250+ | 59.83 грн |
500+ | 52.54 грн |
1000+ | 46.58 грн |
2000+ | 45.65 грн |
IRF3205ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.81 грн |
IRF3205ZS |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 45.94 грн |
IRF3205ZSTRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 75.07 грн |
6+ | 62.12 грн |
17+ | 47.62 грн |
47+ | 44.86 грн |
IRF3205ZSTRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 90.09 грн |
5+ | 77.41 грн |
17+ | 57.15 грн |
47+ | 53.83 грн |
IRF3205ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 30.07 грн |
IRF3205ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.23 грн |
10+ | 104.39 грн |
100+ | 74.87 грн |
500+ | 68.25 грн |
800+ | 52.28 грн |
2400+ | 51.68 грн |
4800+ | 50.02 грн |
IRF3205ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.71 грн |
10+ | 99.94 грн |
100+ | 79.53 грн |
QPDF-320-5 |
Виробник: Qualtek
Description: AC/DC CONVERTER 5V 320W
Packaging: Box
Power (Watts): 320W
Features: Adjustable Output, DC Input Capable, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 8.92" L x 4.53" W x 1.97" H (226.5mm x 115.0mm x 50.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 88 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CB, CE, cURus
Efficiency: 79%
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 3 kV
Current - Output 1: 60 A
Description: AC/DC CONVERTER 5V 320W
Packaging: Box
Power (Watts): 320W
Features: Adjustable Output, DC Input Capable, PFC, Universal Input
Size / Dimension: 8.92" L x 4.53" W x 1.97" H (226.5mm x 115.0mm x 50.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 88 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CB, CE, cURus
Efficiency: 79%
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 3 kV
Current - Output 1: 60 A
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Транзистор польовий IRF3205PBF 110A 55V N-ch TO-220 |
на замовлення 65 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 25.6 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]