IRF3205LPBF Infineon Technologies
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 69.05 грн |
| 2000+ | 63.4 грн |
| 2500+ | 60.48 грн |
| 3000+ | 56.58 грн |
| 5000+ | 50.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF3205LPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3205LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF3205LPBF за ціною від 43.03 грн до 77.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF3205LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF3205LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF3205LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF3205LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRF3205LPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF3205LPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
товар відсутній |