Результат пошуку "irf62" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 261
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 273
Мінімальне замовлення: 285
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 185
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF620 | Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620 TIRF620кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 193 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1553 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V N-CH HEXFET |
на замовлення 9702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 200V N-CH HEXFET |
на замовлення 4047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF620S | Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620S TIRF620s кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF620SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA TO-263 |
на замовлення 4673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF620STRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6215STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF6216PBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1280 @ 25; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 240 мОм @ 1,3 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF6217TR | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF624PBF | Vishay Semiconductors |
 MOSFET 250V N-CH HEXFET |
на замовлення 622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF624PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 250V N-CH HEXFET |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF624SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF620PBF | Vishay Siliconix |
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6215S | IR |
TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6215S | IR |
07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6215S | IR |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6215SPBF | IR |
2010 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6215STRRPBF | Infineon |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6216TR | IR | 2002 |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6217 | IR | SO-8 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6217 | IOR | 09+ |
на замовлення 3915 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6217 | IR | 05+ SOP-8; |
на замовлення 248 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6217 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6218S | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6218S | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF6218STRLPBFTR-ND | IR | 2010 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF624 | IR |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF624S | IR |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF624S | IR |
TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
IRL620PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF620PBF |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF620 Код товару: 7923 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
IRF6201 Код товару: 46582 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
IRF620N Код товару: 30164 |
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 5 A Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
IRF620PBF Код товару: 102083 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6215PBF Код товару: 38755 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 150 V Id,A: 13 A Rds(on),Om: 0,29 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 860/66 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
IRF6216PBF Код товару: 20309 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 150 V Id,A: 2,2 A Rds(on),Om: 0,24 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
IRF6218S Код товару: 177237 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF624 Код товару: 7924 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 250 V Idd,A: 4,1 A Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 335/14 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
IRF624SPBF Код товару: 165360 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF620 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF620 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF620B-FP001 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRF620PBF-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRF620SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IRF620SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
IRF620SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRF620SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRF620STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
IRF620STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF620STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRF620STRRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
| IRF620 |
|
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620 TIRF620
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620 TIRF620
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 19.67 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 56.17 грн |
| 11+ | 33.08 грн |
| 31+ | 26.2 грн |
| 84+ | 24.77 грн |
| 1000+ | 23.81 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 67.41 грн |
| 10+ | 41.22 грн |
| 31+ | 31.44 грн |
| 84+ | 29.72 грн |
| 1000+ | 28.58 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 261+ | 44.76 грн |
| 303+ | 38.58 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 44.84 грн |
| 15+ | 39.83 грн |
| 100+ | 35.51 грн |
| 500+ | 30.04 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.99 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 48.94 грн |
| 14+ | 41.66 грн |
| 100+ | 35.91 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 273+ | 42.89 грн |
| 306+ | 38.24 грн |
| 500+ | 33.55 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 285+ | 40.98 грн |
| 318+ | 36.73 грн |
| 500+ | 32.38 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 9702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.8 грн |
| 10+ | 49.25 грн |
| 100+ | 34.72 грн |
| 500+ | 29.12 грн |
| 1000+ | 28.33 грн |
| 2000+ | 26.68 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 42.62 грн |
| 16+ | 38.06 грн |
| 100+ | 34.1 грн |
| 500+ | 28.99 грн |
| IRF620PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V N-CH HEXFET
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.49 грн |
| 10+ | 49.93 грн |
| 100+ | 36.43 грн |
| 500+ | 32.94 грн |
| 1000+ | 26.75 грн |
| 2000+ | 26.68 грн |
| IRF620S |
|
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620S TIRF620s
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; IRF620S TIRF620s
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 20.35 грн |
| IRF620SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA TO-263
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA TO-263
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.9 грн |
| 10+ | 111.38 грн |
| 100+ | 79.72 грн |
| 250+ | 73.79 грн |
| 500+ | 66.54 грн |
| 1000+ | 55.74 грн |
| 2000+ | 53.1 грн |
| IRF620STRLPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 122.99 грн |
| 10+ | 103.04 грн |
| 100+ | 79.72 грн |
| 250+ | 73.79 грн |
| 500+ | 62.52 грн |
| 800+ | 54.03 грн |
| 2400+ | 52.51 грн |
| IRF6215STRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 185+ | 63.13 грн |
| 197+ | 59.53 грн |
| 226+ | 51.74 грн |
| 237+ | 47.56 грн |
| 500+ | 43.94 грн |
| 1600+ | 37.94 грн |
| IRF6216PBF |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1280 @ 25; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 240 мОм @ 1,3 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1280 @ 25; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 240 мОм @ 1,3 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 124.8 грн |
| 10+ | 62.4 грн |
| 100+ | 27.83 грн |
| IRF6217TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 13.51 грн |
| IRF624PBF | |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.47 грн |
| 10+ | 62.81 грн |
| 100+ | 46.58 грн |
| 500+ | 42.3 грн |
| 1000+ | 41.84 грн |
| IRF624PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 250V N-CH HEXFET
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.47 грн |
| 10+ | 58.95 грн |
| 2000+ | 46.19 грн |
| 5000+ | 46.12 грн |
| 10000+ | 45.66 грн |
| IRF624SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp
MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.28 грн |
| 10+ | 115.17 грн |
| 100+ | 82.36 грн |
| 250+ | 79.06 грн |
| 500+ | 69.18 грн |
| 1000+ | 58.9 грн |
| 2000+ | 55.94 грн |
| IRF620PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| IRL620PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF620PBF
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF620PBF
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.75 грн |
| 10+ | 97.74 грн |
| 100+ | 69.84 грн |
| 250+ | 65.89 грн |
| 500+ | 60.42 грн |
| 1000+ | 51.26 грн |
| 2000+ | 47.04 грн |
| IRF620N Код товару: 30164 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 5 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 5 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
| IRF6215PBF Код товару: 38755 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 860/66
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 860/66
Монтаж: THT
товар відсутній
| IRF6216PBF Код товару: 20309 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 150 V
Id,A: 2,2 A
Rds(on),Om: 0,24 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 150 V
Id,A: 2,2 A
Rds(on),Om: 0,24 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
| IRF624 Код товару: 7924 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/14
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/14
Монтаж: THT
товар відсутній
| IRF620 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| IRF620B-FP001 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
| IRF620SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRF620SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IRF620STRLPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRF620STRRPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]