Продукція > A5G

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
A5G07H800W19NR3NXP SemiconductorsRF Power GaN Transistor
товар відсутній
A5G07H800W19NR3NXP USA Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Power - Output: 112W
Gain: 18.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
товар відсутній
A5G08H800W19NR3NXP USA Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 865MHz ~ 960MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
товар відсутній
A5G18H610W19NR3NXP USA Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Power - Output: 85W
Gain: 16.6dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
товар відсутній
A5G18H610W19NR3NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1805 1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G21H605W19NR3NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110 2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G23H065NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2300 2400 MHz, 8.8 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G23H065NT4NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz
Power - Output: 8.8W
Gain: 15.5dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 30 mA
товар відсутній
A5G23H110NT4NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz
Power - Output: 13.8W
Gain: 17.9dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 60 mA
товар відсутній
A5G23H110NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2300 2400 MHz, 13.8 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G26H110N-2496NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 15W
Gain: 17.7dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 50 mA
товар відсутній
A5G26H110N-2496NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G26H110N 2496-2690 MHz Reference Circuit
товар відсутній
A5G26H110N-2496NXP SemiconductorsAir Fast RF Power GaN Transistor
товар відсутній
A5G26H110NT4NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 15W
Gain: 17.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 50 mA
товар відсутній
A5G26H110NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496 2690 MHz, 15 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G26H605W19NR3NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496 2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G26S004NT6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2300 2690 MHz, 24 dBm Avg., 48 V
товар відсутній
A5G26S004NT6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
A5G26S008NT6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2300 2690 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
товар відсутній
A5G26S008NT6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 18.4dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 17 mA
товар відсутній
A5G35H055NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400 3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2118.67 грн
10+ 1855.6 грн
25+ 1505.68 грн
50+ 1458.4 грн
100+ 1411.12 грн
250+ 1317.22 грн
500+ 1211.34 грн
A5G35H110N-3400NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G35H110N 3400-3600 MHz Reference Circuit
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+33470.69 грн
A5G35H110NT4NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
товар відсутній
A5G35H110NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G35H120NT2NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3335.34 грн
10+ 2929.28 грн
25+ 2395.37 грн
50+ 2315.46 грн
100+ 2235.55 грн
250+ 2155.63 грн
500+ 2055.08 грн
A5G35H120NT2NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz
Power - Output: 18W
Gain: 14.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 10-DFN (7x10)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 70 mA
товар відсутній
A5G35S004N-3400NXP USA Inc.Description: A5G35S004N 3400-4300 MHZ REFEREN
товар відсутній
A5G35S004N-3400NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G35S004N 3400-4300 MHz Reference Circuit
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8768.37 грн
A5G35S004NT6NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz
Power - Output: 24.5dBm
Gain: 16.9dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 12 mA
товар відсутній
A5G35S004NT6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 4300 MHz, 24.5 dBm Avg., 48 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1183.26 грн
10+ 1027.74 грн
25+ 869.71 грн
50+ 821.1 грн
100+ 773.15 грн
250+ 748.51 грн
500+ 700.56 грн
A5G35S008N-3400NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G35S008N 3400-3600 MHz Reference Circuit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8010.09 грн
A5G35S008NT6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1337.09 грн
10+ 1160.99 грн
25+ 982.25 грн
50+ 927.65 грн
100+ 873.04 грн
250+ 845.74 грн
500+ 791.8 грн
A5G37H110NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3600 3800 MHz, 13.5 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G37H110NT4NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
товар відсутній
A5G38H045N-3700NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G38H045N 3700-3980 MHz Reference Circuit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+25566.26 грн
A5G38H045NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400 4000 MHz, 5.4 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G38H055NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3700 3980 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5GASOT153
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
A5GF4Y01
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
A5GS-2401PIAllied Components InternationalDescription: 5G POE+
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 160µH
Size / Dimension: 0.728" L x 0.492" W (18.50mm x 12.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 5G Base-T, Power over Ethernet (PoE)
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1CT:1CT
Height - Seated (Max): 0.270" (6.85mm)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.27 грн
5+ 502.92 грн
10+ 468.24 грн
15+ 423.15 грн