A5G18H610W19NR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Power - Output: 85W
Gain: 16.6dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G18H610W19NR3 NXP USA Inc.
Description: IC, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Power - Output: 85W, Gain: 16.6dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.
Інші пропозиції A5G18H610W19NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| A5G18H610W19NR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1805 1880 MHz, 85 W Avg., 48 V |
товар відсутній |