Продукція > BSB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSB 20 BLHIRSCHMANN T&MCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 30A; 33VAC; 60VDC; blue; 3mΩ; 2.5mm2; screw type
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Rated voltage: 33V AC; 60V DC
Current rating: 30A
Connector variant: non-insulated; with 4mm socket
Contact plating: nickel plated
Engineering PN: 930729102
Contact material: brass
Max cable section: 2.5mm2
Max. contact resistance:: 3mΩ
Mounting: screw type
Colour: blue
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+150.22 грн
5+ 130.2 грн
10+ 97.98 грн
28+ 93 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB 20 BLHIRSCHMANN T&MCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 30A; 33VAC; 60VDC; blue; 3mΩ; 2.5mm2; screw type
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Rated voltage: 33V AC; 60V DC
Current rating: 30A
Connector variant: non-insulated; with 4mm socket
Contact plating: nickel plated
Engineering PN: 930729102
Contact material: brass
Max cable section: 2.5mm2
Max. contact resistance:: 3mΩ
Mounting: screw type
Colour: blue
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.19 грн
5+ 104.48 грн
10+ 81.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSB 20 GEHIRSCHMANN T&MCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 30A; 33VAC; 60VDC; yellow; 3mΩ; 2.5mm2; screw type
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Rated voltage: 33V AC; 60V DC
Current rating: 30A
Connector variant: non-insulated; with 4mm socket
Contact plating: nickel plated
Engineering PN: 930729103
Contact material: brass
Max cable section: 2.5mm2
Max. contact resistance:: 3mΩ
Mounting: screw type
Colour: yellow
товар відсутній
BSB 20 GEHIRSCHMANN T&MCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 30A; 33VAC; 60VDC; yellow; 3mΩ; 2.5mm2; screw type
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Rated voltage: 33V AC; 60V DC
Current rating: 30A
Connector variant: non-insulated; with 4mm socket
Contact plating: nickel plated
Engineering PN: 930729103
Contact material: brass
Max cable section: 2.5mm2
Max. contact resistance:: 3mΩ
Mounting: screw type
Colour: yellow
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSB 20 K BLACKSKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
товар відсутній
BSB 20 K BLUESKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
товар відсутній
BSB 20 K GREENSKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
товар відсутній
BSB 20 K REDSKS KontakttechnikConn Banana PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSB 20 K RTHIRSCHMANN T&MCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 30A; 33VAC; 60VDC; red; 3mΩ; 2.5mm2; nickel plated
Mounting: screw type
Engineering PN: 930729101
Contact material: brass
Max cable section: 2.5mm2
Connector variant: non-insulated; with 4mm socket
Colour: red
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Contact plating: nickel plated
Rated voltage: 33V AC; 60V DC
Max. contact resistance:: 3mΩ
Current rating: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSB 20 K RTHIRSCHMANN T&MCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 30A; 33VAC; 60VDC; red; 3mΩ; 2.5mm2; nickel plated
Mounting: screw type
Engineering PN: 930729101
Contact material: brass
Max cable section: 2.5mm2
Connector variant: non-insulated; with 4mm socket
Colour: red
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Contact plating: nickel plated
Rated voltage: 33V AC; 60V DC
Max. contact resistance:: 3mΩ
Current rating: 30A
товар відсутній
BSB 20 K SWHIRSCHMANN T&MCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 30A; 33VAC; 60VDC; black; 3mΩ; 2.5mm2; screw type
Mounting: screw type
Engineering PN: 930729100
Contact material: brass
Max cable section: 2.5mm2
Connector variant: non-insulated; with 4mm socket
Colour: black
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Contact plating: nickel plated
Rated voltage: 33V AC; 60V DC
Max. contact resistance:: 3mΩ
Current rating: 30A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.58 грн
BSB 20 K SWHIRSCHMANN T&MCategory: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 30A; 33VAC; 60VDC; black; 3mΩ; 2.5mm2; screw type
Mounting: screw type
Engineering PN: 930729100
Contact material: brass
Max cable section: 2.5mm2
Connector variant: non-insulated; with 4mm socket
Colour: black
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Contact plating: nickel plated
Rated voltage: 33V AC; 60V DC
Max. contact resistance:: 3mΩ
Current rating: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+268.26 грн
5+ 122.44 грн
10+ 102.13 грн
25+ 100.47 грн
26+ 96.32 грн
BSB 20 K YELLOWSKS KontakttechnikConn Banana Plug PL 1 POS Screw ST Cable Mount 1 Port
товар відсутній
BSB 300 BLACKSKS KontakttechnikMULTIPLE-SPRING WIRE PLUG WITH COUPLI WAY, THE PLUGS CAN BE CONNECTED TOG TO MAXIMUM CABLE CROSS-SECTION OF 1
товар відсутній
BSB 300 BLAU / BLUESKS Kontakttechnik931294102
товар відсутній
BSB 300 GELB / YELLOWSKS Kontakttechnik931294103
товар відсутній
BSB 300 GRN / GREENSKS Kontakttechnik931294104
товар відсутній
BSB 300 REDSKS KontakttechnikMultiple-Spring Wire Plug With Coupling Located Parallel
товар відсутній
BSB-PIR90-UCarlo GavazziOptical Sensor Modules SMART-DUPLINE PL PIR DETECTOR 90 LIGHT REV.2
товар відсутній
BSB008NE2LXInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSB008NE2LXInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSB008NE2LXXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
товар відсутній
BSB008NE2LXXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.23 грн
10+ 158.52 грн
100+ 127.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
товар відсутній
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
товар відсутній
BSB008NE2LXXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 46A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB012N03LX3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 335
BSB012N03LX3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
товар відсутній
BSB012N03LX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
товар відсутній
BSB012N03LX3GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 15 V
на замовлення 5508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 278
BSB012N03LX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 278
BSB012N03LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB012N03MX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товар відсутній
BSB012N03MX3GXTInfineon TechnologiesMOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET DUAL SIDE COOLING
товар відсутній
BSB012NE2LXInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
товар відсутній
BSB012NE2LXInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
товар відсутній
BSB012NE2LXIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
товар відсутній
BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 170A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5852 pF @ 12 V
товар відсутній
BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.84 грн
10+ 174.93 грн
100+ 122.22 грн
500+ 100.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB012NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 37A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB012NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Mounting: SMD
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSB012NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Mounting: SMD
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
BSB013NE2LXIInfineon technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSB013NE2LXIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 163A CanPAK-3 MX OptiMOS
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.27 грн
10+ 152.78 грн
100+ 106.95 грн
500+ 87.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.5 грн
500+ 101.02 грн
1000+ 86.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Mounting: SMD
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
товар відсутній
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Mounting: SMD
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
товар відсутній
BSB013NE2LXIXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB013NE2LXIXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 163 A, 0.0011 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.66 грн
10+ 122.95 грн
100+ 115.5 грн
500+ 101.02 грн
1000+ 86.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSB013NE2LXIXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 12 V
на замовлення 18032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 315
BSB014N04LX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSB014N04LX3GInfineon technologies
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+119.47 грн
10+ 115.14 грн
25+ 99.75 грн
100+ 85.93 грн
250+ 69.65 грн
500+ 62.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: BSB014N04 - TRENCH <= 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V
товар відсутній
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB014N04LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB014N04LX3GXUMA1
Код товару: 168892		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSB014N04LX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSB014N04LX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
товар відсутній
BSB01503HA3-00CGEDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 15X3.5MM 3VDC RECT
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 15mm L x 15mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 13800 RPM
Air Flow: 0.170 CFM (0.005m³/min)
Width: 3.50mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 30.0dB(A)
Static Pressure: 0.154 in H2O (38.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 150 mW
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.42 грн
10+ 1282.92 грн
25+ 1160.71 грн
50+ 1003.28 грн
195+ 900.09 грн
390+ 831.29 грн
585+ 761.27 грн
BSB01503HA3-00CGEDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans Blower, 15x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1270.17 грн
10+ 1222.23 грн
25+ 965.17 грн
50+ 905.38 грн
100+ 896.75 грн
195+ 837.63 грн
585+ 797.11 грн
BSB015N04NX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3
товар відсутній
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
товар відсутній
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
BSB015N04NX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Mounting: SMD
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSB015N04NX3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Mounting: SMD
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSB015N04NX3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+114.81 грн
10+ 111.06 грн
25+ 108.75 грн
100+ 96.88 грн
250+ 87.58 грн
500+ 81.79 грн
1000+ 78.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans Blower, 17x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1067.91 грн
10+ 1050.36 грн
25+ 866.86 грн
50+ 823.68 грн
100+ 816.37 грн
250+ 728.03 грн
500+ 724.71 грн
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsDC Fan Axial Sleeve Bearing 3V 2V to 3.5V 0.23CFM 26.5dB 17 X 17 X 3.4mm
товар відсутній
BSB01703HA3-00CAJDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 17X3.4MM 3VDC RECT
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 0.230 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.40mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 26.5dB(A)
Static Pressure: 0.182 in H2O (45.3 Pa)
Power (Watts): 180 mW
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.42 грн
10+ 1282.92 грн
25+ 1160.71 грн
50+ 1003.28 грн
100+ 900.08 грн
BSB017N03LX309+/10+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSB017N03LX3
Код товару: 118806		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSB017N03LX3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 147A CanPAK3 MX OptiMOS 3
товар відсутній
BSB017N03LX3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/147A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 15 V
товар відсутній
BSB017N03LX3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB019N03LX GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
товар відсутній
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans Blower, 20x3mm, 3VDC, Sleeve, 3 Position Connector, Lock Rotor Sensor, Tach
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1281.8 грн
10+ 1233.69 грн
25+ 973.8 грн
50+ 913.35 грн
100+ 846.93 грн
250+ 798.44 грн
352+ 767.88 грн
BSB0203HA3-00CERDelta ElectronicsDescription: FAN BLOWER 20X3.28MM 3VDC RECT
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 20mm L x 20mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 13000 RPM
Air Flow: 0.280 CFM (0.008m³/min)
Width: 3.28mm
Weight: 0.003 lb (1.36 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 3 Position Rectangular Connector
Fan Type: Blower
Noise: 32.0dB(A)
Static Pressure: 0.252 in H2O (62.8 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 180 mW
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.42 грн
10+ 1282.92 грн
25+ 1160.71 грн
50+ 1003.28 грн
100+ 900.08 грн
250+ 831.29 грн
500+ 761.27 грн
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsBSB0205HP-00EFG
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1213.04 грн
10+ 1158.63 грн
25+ 1057.8 грн
50+ 943.78 грн
100+ 789.51 грн
250+ 701.1 грн
500+ 652.48 грн
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDC Fans Tubeaxial Fan, 20x5mm, 5VDC, Sleeve, 4-Lead Wires, Lock Rotor Sensor, Tach, PWM
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1508.09 грн
10+ 1419.32 грн
25+ 1116.62 грн
50+ 1028.27 грн
100+ 922.65 грн
250+ 852.24 грн
352+ 797.11 грн
BSB0205HP-00EFGDelta ElectronicsDescription: FAN AXIAL 17X5.28MM 5VDC WIRE
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Square - 17mm L x 17mm H
Bearing Type: Sleeve
RPM: 12000 RPM
Air Flow: 0.570 CFM (0.016m³/min)
Width: 5.28mm
Weight: 0.004 lb (1.81 g)
Operating Temperature: 14 ~ 140°F (-10 ~ 60°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: cURus, TUV
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 35.9dB(A)
Static Pressure: 0.400 in H2O (99.6 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 400 mW
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.42 грн
10+ 1282.92 грн
25+ 1160.71 грн
50+ 1003.28 грн
100+ 900.08 грн
352+ 831.29 грн
704+ 761.27 грн
BSB0205HP-00EFGDelta Electronics Inc.DC Fan Axial Sleeve Bearing 5V 2V to 5.5V 0.57CFM 35.9dB 20 X 20 X 5.28mm PWM/Tachometer
товар відсутній
BSB024N03LX GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/145A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 15 V
товар відсутній
BSB028N06NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.82 грн
10+ 145.14 грн
100+ 105.62 грн
250+ 102.96 грн
500+ 88.35 грн
1000+ 77.72 грн
5000+ 76.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB028N06NN3GInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 15013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.1 грн
10+ 148.49 грн
100+ 118.17 грн
500+ 93.83 грн
1000+ 79.62 грн
2000+ 75.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 78W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
товар відсутній
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 78W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSB028N06NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+187.78 грн
10+ 141.58 грн
100+ 115.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB028N06NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 22A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB028N06NN3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
товар відсутній
BSB044N08NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.56 грн
10+ 269.66 грн
100+ 191.97 грн
500+ 163.41 грн
1000+ 148.13 грн
5000+ 125.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB044N08NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0037 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.35 грн
500+ 144.61 грн
1000+ 107.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+109 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSB044N08NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB044N08NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0037 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.96 грн
10+ 215.35 грн
100+ 177.35 грн
500+ 144.61 грн
1000+ 107.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 97µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 40 V
на замовлення 5715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.53 грн
10+ 188.69 грн
100+ 152.65 грн
500+ 127.34 грн
1000+ 109.04 грн
2000+ 102.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB044N08NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESBSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSB044N08NN3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.36 грн
10+ 264.31 грн
100+ 188.65 грн
500+ 160.75 грн
1000+ 143.48 грн
2500+ 140.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB053N03LP GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
товар відсутній
BSB053N03LPGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 693
BSB056N10NN3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3
на замовлення 9432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.07 грн
10+ 195.56 грн
25+ 169.39 грн
100+ 134.18 грн
500+ 126.87 грн
1000+ 112.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+114.16 грн
10+ 111.57 грн
25+ 110.05 грн
100+ 105.36 грн
250+ 96.91 грн
500+ 92.42 грн
1000+ 91.73 грн
3000+ 91.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSB056N10NN3GXUMA1
Код товару: 125684		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.62 грн
10+ 201.42 грн
100+ 162.92 грн
500+ 135.91 грн
1000+ 116.37 грн
2000+ 109.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.67 грн
10+ 192.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesBSB056N10NN3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com
товар відсутній
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Power dissipation: 78W
Case: CanPAK™ MN; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товар відсутній
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Power dissipation: 78W
Case: CanPAK™ MN; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSB056N10NN3GXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSB056N10NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 0.005 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSB056N10NN3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+90.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSB056N10NN3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товар відсутній
BSB056N10NN3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-5-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
товар відсутній
BSB104N08NP3GInfineon technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSB104N08NP3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товар відсутній
BSB104N08NP3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товар відсутній
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 13A 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSB104N08NP3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товар відсутній
BSB104N08NP3GXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 32A; 48W
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 32A
On-state resistance: 10.4mΩ
товар відсутній
BSB104N08NP3GXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 32A; 48W
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 32A
On-state resistance: 10.4mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSB104N08NP3GXUSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.89 грн
10+ 133.68 грн
100+ 91 грн
500+ 75.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSB104N08NP3GXUSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 40 V
товар відсутній
BSB1270002TXC CorporationStandard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V 0C +70C
товар відсутній
BSB1270002TXC CORPORATIONDescription: OSC XO 212.5MHZ 3.3V SMD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSB1270003TXC CORPORATIONDescription: XTAL OSC XO 212.5000MHZ LVPECL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -5°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±100ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Height - Seated (Max): 0.071" (1.80mm)
Frequency: 212.5 MHz
Base Resonator: Crystal
товар відсутній
BSB1270003TXC CorporationStandard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V -5C +85C
товар відсутній
BSB14DBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories SEL. HANDLE-BLACK
товар відсутній
BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
товар відсутній
BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSB165N15NZ3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSB165N15NZ3GInfineon technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSB165N15NZ3GInfineon TechnologiesDescription: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+125.78 грн
Мінімальне замовлення: 156
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товар відсутній
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+127.4 грн
Мінімальне замовлення: 156
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.71 грн
10+ 217.71 грн
25+ 181.34 грн
100+ 152.78 грн
500+ 136.17 грн
1000+ 114.25 грн
2500+ 107.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSB165N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSB165N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
товар відсутній
BSB165N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товар відсутній
BSB165N15NZ3GXUMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товар відсутній
BSB165N15NZ3GXUMA3Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
товар відсутній
BSB20KRT
Код товару: 98225		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
товар відсутній
BSB20KSW
Код товару: 98224		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
товар відсутній
BSB280N15NZ3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
товар відсутній
BSB280N15NZ3 G
Код товару: 125682		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
BSB280N15NZ3GInfineon TechnologiesDescription: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товар відсутній
BSB280N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товар відсутній
BSB280N15NZ3GXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R
товар відсутній
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
BSB280N15NZ3GXUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 9A/30A 2WDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDSON
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товар відсутній
BSB75-48S05FLTmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSB881N03LX3GXUMA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSBINJ12128Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 12"
Height: 8"
Part Status: Active
Depth: 12"
товар відсутній
BSBINJ121810Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 12"
Height: 10"
Part Status: Active
Depth: 18"
товар відсутній
BSBINJ8128Global IndustrialDescription: JUMBO OPEN TOP WHITE CORRUGATED
Packaging: Box
Color: Oyster White
Material: Cardboard
Width: 8"
Height: 8"
Part Status: Active
Depth: 12"
товар відсутній
BSBN2-103AALPS07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSBN2-103AALPS07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)