BSB014N04LX3GXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSB014N04LX3GXUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 180A, Power dissipation: 89W, Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.4mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції BSB014N04LX3GXUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BSB014N04LX3GXUMA1 Код товару: 168892 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
BSB014N04LX3GXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R |
товар відсутній |
|
|
|
BSB014N04LX3GXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 7-Pin WDSON T/R |
товар відсутній |
|
 |
BSB014N04LX3GXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|
| BSB014N04LX3GXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSB014N04 - TRENCH <= 40V Packaging: Bulk Package / Case: 3-WDSON Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 20 V |
товар відсутній |
||
|
|
BSB014N04LX3GXUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |