Продукція > CSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD-NM-914-NMTE Connectivity LinxDescription: CBL ASSY NTYPE PLUG TO PLUG 36"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 36.00" (914.40mm)
Style: N-Type to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: N-Type Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.86 грн
CSD-NM-914-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1060.16 грн
CSD-NM-914-NMLinx TechnologiesRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1229.87 грн
10+ 1084.73 грн
25+ 888.11 грн
100+ 880.81 грн
CSD-NM-914-NMTE ConnectivityRF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial N-Type Male to N-Type Male RG-58 36.00" (914.40mm)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1270.95 грн
10+ 1121.4 грн
20+ 918 грн
100+ 908.71 грн
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity / Linx TechnologiesRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1235.3 грн
CSD-SMAM-610-NMLinx TechnologiesRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1426.72 грн
10+ 1266.54 грн
25+ 1039.56 грн
100+ 1005.02 грн
CSD-SMAM-610-NMTE ConnectivityRF Cable Assemblies RF Cable Assemblies Cable Assembly Coaxial SMA to N-Type RG-58 24.00" (609.6mm)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1235.3 грн
CSD-SMAM-610-NMTE Connectivity LinxDescription: CBL ASSY SMA-NTYPE PLUG-PLUG 24"
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 24.00" (609.60mm)
Style: SMA to N-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Cable Type: RG-58
1st Connector: SMA Plug
2nd Connector: N-Type Plug
Part Status: Active
Frequency - Max: 5.8 GHz
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Contact Gender: Male
2nd Contact Gender: Male
Cable Impedance: 50 Ohms
Overall Impedance: 50 Ohms
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1093.63 грн
CSD.M26.GLL.C72AZLEMOStandard Circular Connector
товар відсутній
CSD01060AWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - CSD01060A - SiC-Schottky-Diode, Z-Rec 600V, Einfach, 600 V, 2 A, 3.3 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.3
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Z-Rec 600V
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 216
CSD01060AWolfspeed(CREE)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; 21.4W; TO220-2
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.12 грн
10+ 51.2 грн
18+ 45.67 грн
49+ 42.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD01060A
Код товару: 57916		Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товар відсутній
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товар відсутній
CSD01060ACree, IncДіод Шоттки TO-220-2 U=600V I=4A(T=25C) Vf=1,6V; Silicon Carbide
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+49.34 грн
10+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD01060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.66 грн
50+ 85.65 грн
100+ 70.47 грн
500+ 55.96 грн
1000+ 47.48 грн
2000+ 45.11 грн
5000+ 42.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9650+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 9650
CSD01060AWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+67.65 грн
10+ 62.29 грн
25+ 61.66 грн
50+ 58.87 грн
100+ 48.85 грн
500+ 35.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD01060AWolfspeed(CREE)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 1A; 21.4W; TO220-2
Case: TO220-2
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+72.43 грн
10+ 61.44 грн
18+ 54.8 грн
49+ 51.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD01060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
на замовлення 9109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.05 грн
10+ 65.7 грн
100+ 47.76 грн
500+ 44.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD01060AWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+67.08 грн
176+ 66.41 грн
178+ 65.75 грн
198+ 56.82 грн
500+ 39.58 грн
Мінімальне замовлення: 174
CSD01060EWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 3163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.66 грн
75+ 85.65 грн
150+ 70.47 грн
525+ 55.96 грн
1050+ 47.48 грн
2025+ 45.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+44.97 грн
3000+ 43.69 грн
Мінімальне замовлення: 75
CSD01060EWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
на замовлення 14307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.35 грн
10+ 97.78 грн
75+ 67.75 грн
525+ 57.66 грн
1050+ 46.43 грн
2550+ 44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060EWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
товар відсутній
CSD01060EWolfspeed(CREE)Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 1A; TO252-2; 21.4W
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
товар відсутній
CSD01060EWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
товар відсутній
CSD01060EWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 Tube
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+48.43 грн
3000+ 47.05 грн
Мінімальне замовлення: 241
CSD01060EWolfspeed(CREE)Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 1A; TO252-2; 21.4W
Case: TO252-2
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 21.4W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1A, 600V
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.35 грн
10+ 97.78 грн
100+ 67.75 грн
500+ 57.66 грн
1000+ 48.89 грн
2500+ 46.43 грн
5000+ 44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65 грн
5000+ 59.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 19394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.66 грн
10+ 88.57 грн
100+ 70.47 грн
500+ 55.96 грн
1000+ 47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD01060E-TRWolfspeedRectifier Diode Schottky SiC 600V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
CSD01060E-TRWolfspeedDiode Schottky SiC 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.65 грн
5000+ 45.3 грн
10000+ 43.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD01060E-TRWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.91 грн
5000+ 46.26 грн
12500+ 44.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD02060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO220-2
товар відсутній
CSD02060GCree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO263-2
товар відсутній
CSD04060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 7A TO220-2
товар відсутній
CSD04060ACree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD04060ECree, Inc.Schottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD04060ECree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2
товар відсутній
CSD06060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD06060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD06060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD06060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD08060ACree/WolfspeedDescription: DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220
товар відсутній
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.4 грн
10+ 190.49 грн
25+ 173.92 грн
50+ 139.92 грн
100+ 128.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 5.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 5 A
товар відсутній
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.98 грн
10+ 152.43 грн
25+ 139.16 грн
50+ 111.94 грн
100+ 102.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-150MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 39.2mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 15 µH
Current Rating (Amps): 3.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+110.1 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+110.1 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 51.6mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 3.2A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 2.5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.98 грн
10+ 152.43 грн
25+ 139.16 грн
50+ 111.94 грн
100+ 102.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+110.1 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-3R3MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 11.5mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 10.5A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 6 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.98 грн
10+ 152.43 грн
25+ 139.16 грн
50+ 111.94 грн
100+ 102.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+110.1 грн
Мінімальне замовлення: 300
CSD0910B-6R8MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18.7mOhm Max
Ratings: AEC-Q200
Current - Saturation (Isat): 8.7A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.394" (10.00mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 5 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.98 грн
10+ 152.43 грн
25+ 139.16 грн
50+ 111.94 грн
100+ 102.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD10Apex Tool GroupRibbon Cables / IDC Cables IDC Socket Cable Assemblies, 2.00mm Pitch
товар відсутній
CSD100-427-2BXVishay / Thin FilmThin Film Resistors - Through Hole CSD CUSTOM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 344-353 дні (днів)
1+1933.54 грн
10+ 1065.64 грн
CSD1000B-MFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK MAC
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10695.59 грн
CSD1000B-WFantom DrivesDescription: SSD 1TB USB BLACK WINDOWS
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 116.84mm x 81.28mm x 15.24mm
Memory Size: 1TB
Type: USB
Speed - Read: 560MB/s
Speed - Write: 530MB/s
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10695.59 грн
CSD10030ACree IncDescription: DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2
товар відсутній
CSD10060AWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD10060AWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD10060ACREE LED (See account 19947)Rectifier Diode Schottky 600V 16.5A 2-Pin(2+Tab) TO-220
товар відсутній
CSD10060GWolfspeedSchottky Diodes & Rectifiers
товар відсутній
CSD10060GWolfspeed, Inc.Description: DIODE SIL CARB 600V 16.5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
CSD1006ACTripp LiteDescription: BATT CHARGING STATION 15A
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 13.54" L x 16.54" W x 8.94" H (343.92mm x 420.12mm x 227.08mm)
Mounting Type: Custom
Voltage - Input: 120VAC
Type: Charging Station
Termination Style: NEMA 5-15R
Battery Chemistry: Mobile Devices
Charge Current - Max: 15A
Part Status: Active
Number of Cells: 10
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16911.75 грн
CSD1006USBTripp LiteBattery Chargers Tripp Lite 10-Device USB Desktop Charging Station with Surge Protection
товар відсутній
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
товар відсутній
CSD1013B-100MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 18mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 7.1A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 4.2 A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.44 грн
10+ 175.89 грн
25+ 160.56 грн
50+ 129.16 грн
100+ 118.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
товар відсутній
CSD1013B-220MCODACADescription: SMD HIGH CURRENT POWER INDUCTORS
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.512" L x 0.413" W (13.00mm x 10.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 38mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.3A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 1 kHz
Supplier Device Package: 4-SMD
Height - Seated (Max): 0.413" (10.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 3 A
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.44 грн
10+ 175.89 грн
25+ 160.56 грн
50+ 129.16 грн
100+ 118.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
товар відсутній
CSD104-162UFVishayCERAMIC SANDWICH, DUAL-IN-LINE, RESISTOR NETWORK (CUSTOM)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+495.21 грн
Мінімальне замовлення: 24
CSD108Power IntegrationsDescription: MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
товар відсутній
CSD12106NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD12106 - ENCLOSURE, IP66, STEEL, GREY
tariffCode: 73102990
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Gray
Außenhöhe - imperial: 12"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 152mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 304.8mm
Außentiefe - imperial: 6"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 254mm
Produktpalette: CONCEPT Series
productTraceability: No
Konfigurierbar: Yes
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 10"
Gehäusematerial: Steel
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34300.52 грн
3+ 32895.15 грн
5+ 31207.35 грн
CSD12126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 12.01"L X 12.01"W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27195.62 грн
CSD12126SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 12.008" L x 12.008" W (305.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 144in² (929cm²)
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+78302.37 грн
5+ 74056.33 грн
CSD130699 DIP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD1306EУЎ¶И06+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.58 грн
6000+ 7.92 грн
9000+ 7.13 грн
30000+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13201W10Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13201W10Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 462 pF @ 6 V
на замовлення 31694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.62 грн
12+ 23.8 грн
100+ 14.25 грн
500+ 12.39 грн
1000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13201W10Texas InstrumentsMOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 7162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.87 грн
12+ 26.28 грн
100+ 12.69 грн
1000+ 8.5 грн
3000+ 7.64 грн
9000+ 6.84 грн
24000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
на замовлення 10474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.36 грн
10+ 30.65 грн
100+ 21.31 грн
500+ 15.61 грн
1000+ 12.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.51 грн
25+ 30.55 грн
100+ 20.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
CSD13202Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.55 грн
6000+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13202Q2Texas InstrumentsMOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
на замовлення 4294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.17 грн
11+ 28.42 грн
100+ 18 грн
500+ 14.35 грн
1000+ 11.56 грн
3000+ 10.69 грн
9000+ 9.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+15.43 грн
40+ 14.62 грн
100+ 12.68 грн
250+ 11.55 грн
500+ 9.98 грн
1000+ 7.83 грн
Мінімальне замовлення: 38
CSD13202Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD13202Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13202Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 22 A, 0.0075 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD13202Q2TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 6 V
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.53 грн
13+ 23.6 грн
100+ 12.02 грн
1000+ 7.9 грн
3000+ 7.17 грн
9000+ 6.38 грн
24000+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+28.56 грн
594+ 19.63 грн
602+ 19.37 грн
833+ 13.49 грн
1122+ 9.27 грн
Мінімальне замовлення: 408
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.81 грн
22+ 26.78 грн
25+ 26.52 грн
100+ 17.58 грн
250+ 16.06 грн
500+ 11.13 грн
1000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 18
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.3 грн
14+ 20.34 грн
100+ 12.2 грн
500+ 10.6 грн
1000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13302WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.51 грн
10+ 48.92 грн
100+ 38.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 29A
Case: DSBGA4
Mounting: SMD
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13302WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 25.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 29A
Case: DSBGA4
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150
товар відсутній
CSD13302WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.21 грн
10+ 28.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13303W1015Texas InstrumentsMOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.47 грн
11+ 27.88 грн
100+ 18.13 грн
500+ 14.28 грн
1000+ 11.03 грн
3000+ 10.03 грн
9000+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 143944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1998+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 1998
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13303W1015Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+6.18 грн
111+ 5.24 грн
112+ 5.19 грн
155+ 3.6 грн
250+ 3.3 грн
500+ 2.46 грн
1000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 94
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.49 грн
10+ 28.23 грн
100+ 19.63 грн
500+ 14.38 грн
1000+ 11.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13306WTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
товар відсутній
CSD13306WTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13306WTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 10.2 mOhm 6-DSBGA
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
10+ 30.71 грн
100+ 18.6 грн
500+ 14.55 грн
1000+ 11.89 грн
3000+ 8.77 грн
9000+ 8.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.14 грн
10+ 56.12 грн
100+ 43.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 44A
Case: DSBGA6
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.38 грн
26+ 21.5 грн
100+ 19.8 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13306WTTexas InstrumentsMOSFET 12V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.03 грн
10+ 55.31 грн
100+ 38.33 грн
500+ 35.74 грн
1000+ 29.09 грн
2500+ 27.37 грн
5000+ 26.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13306WTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+44.88 грн
500+ 36.99 грн
1250+ 30.13 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13306WTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
товар відсутній
CSD13306WTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 15.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 44A
Case: DSBGA6
Mounting: SMD
товар відсутній
CSD13380F3Texas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 8488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.53 грн
15+ 20.63 грн
100+ 7.64 грн
1000+ 5.51 грн
3000+ 4.58 грн
9000+ 3.79 грн
24000+ 3.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 53430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.74 грн
15+ 19.44 грн
100+ 9.8 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.77 грн
28+ 20.74 грн
30+ 19.87 грн
100+ 13.49 грн
250+ 11.22 грн
500+ 9.11 грн
1000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 21
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
773+15.07 грн
861+ 13.53 грн
1017+ 11.45 грн
1248+ 9 грн
Мінімальне замовлення: 773
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
6000+ 4.78 грн
9000+ 4.13 грн
30000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+66.08 грн
178+ 65.44 грн
Мінімальне замовлення: 177
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 13.5A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
товар відсутній
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 29138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.36 грн
10+ 50.37 грн
100+ 34.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13380F3TTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 76 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 64889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.55 грн
10+ 37.66 грн
100+ 25.18 грн
500+ 23.38 грн
1000+ 21.32 грн
2500+ 20.13 грн
5000+ 19.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.11 грн
10+ 61.36 грн
25+ 60.76 грн
100+ 44.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 13.5A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.53 грн
500+ 20.47 грн
1250+ 19.17 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
6000+ 3.27 грн
9000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.32 грн
37+ 15.61 грн
100+ 7.19 грн
250+ 6.6 грн
500+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 29
CSD13381F4Texas InstrumentsMOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET
на замовлення 95686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.83 грн
16+ 20.32 грн
100+ 7.17 грн
1000+ 5.31 грн
3000+ 4.32 грн
9000+ 3.65 грн
24000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 471355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.12 грн
21+ 13.29 грн
100+ 6.72 грн
500+ 5.15 грн
1000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2958000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
9000+ 3.79 грн
24000+ 3.63 грн
45000+ 3.04 грн
99000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 7A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.05 грн
23+ 35.7 грн
62+ 33.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.8 грн
23+ 25.6 грн
27+ 22.09 грн
Мінімальне замовлення: 22
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.05 грн
500+ 29.24 грн
1250+ 24.88 грн
2500+ 20.8 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.17 грн
500+ 27.03 грн
1000+ 24.1 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 850
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.03 грн
12+ 64.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 7A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+58.63 грн
23+ 42.84 грн
62+ 40.44 грн
250+ 38.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.56 грн
500+ 24.27 грн
1000+ 22.37 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13381F4TTexas InstrumentsMOSFET 12V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 5663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.41 грн
10+ 38.04 грн
100+ 25.84 грн
500+ 23.71 грн
1000+ 21.52 грн
2500+ 20.19 грн
5000+ 19.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD13381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.36 грн
10+ 50.51 грн
100+ 34.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13381F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+27.55 грн
753+ 15.47 грн
761+ 15.31 грн
985+ 11.41 грн
1272+ 8.18 грн
Мінімальне замовлення: 423
CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 1009850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.28 грн
18+ 15.43 грн
100+ 7.76 грн
500+ 6.46 грн
1000+ 5.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13383F4Texas InstrumentsMOSFET CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR
на замовлення 11738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31 грн
14+ 22.76 грн
100+ 8.97 грн
1000+ 6.84 грн
3000+ 5.98 грн
9000+ 5.38 грн
24000+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13383F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 1008000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
6000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13383F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.03 грн
23+ 25.86 грн
25+ 25.59 грн
100+ 13.85 грн
250+ 12.7 грн
500+ 9.41 грн
1000+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18.5A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13383F4TTexas InstrumentsMOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.49 грн
10+ 44.92 грн
100+ 31.02 грн
500+ 28.83 грн
1000+ 23.45 грн
2500+ 22.12 грн
5000+ 21.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 15125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.67 грн
10+ 55.49 грн
100+ 43.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13383F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.9A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 18.5A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
товар відсутній
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.55 грн
16+ 37.61 грн
25+ 37.23 грн
100+ 31.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
CSD13383F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V
на замовлення 14750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42 грн
500+ 35.74 грн
1250+ 28.22 грн
2500+ 24.72 грн
6250+ 23.48 грн
12500+ 22.6 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13383F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+24.59 грн
22+ 15.78 грн
27+ 13.01 грн
100+ 10.52 грн
130+ 6.16 грн
358+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+20.79 грн
897+ 12.99 грн
906+ 12.86 грн
915+ 12.27 грн
1525+ 6.82 грн
Мінімальне замовлення: 560
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 47207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.9 грн
12+ 23.25 грн
100+ 13.94 грн
500+ 12.12 грн
1000+ 8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.29 грн
30+ 19.31 грн
100+ 11.63 грн
250+ 10.66 грн
500+ 10.13 грн
1000+ 6.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
CSD13385F5TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+29.51 грн
14+ 19.66 грн
25+ 15.61 грн
100+ 12.62 грн
130+ 7.39 грн
358+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD13385F5Texas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 14256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.83 грн
14+ 21.92 грн
100+ 11.23 грн
1000+ 7.24 грн
3000+ 6.64 грн
9000+ 6.38 грн
45000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD13385F5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.94 грн
6000+ 6.87 грн
9000+ 6.68 грн
30000+ 6.39 грн
45000+ 5.68 грн
75000+ 5.26 грн
99000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13385F5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.39 грн
6000+ 7.75 грн
9000+ 6.97 грн
30000+ 6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+27.53 грн
500+ 22.69 грн
1250+ 22.44 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD13385F5TTexas InstrumentsMOSFET 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 19 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.24 грн
10+ 36.36 грн
100+ 26.77 грн
500+ 24.25 грн
1000+ 22.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+67.72 грн
10+ 61.04 грн
25+ 60.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD13385F5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V
на замовлення 22565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.83 грн
10+ 34.46 грн
100+ 26.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD13385F5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD13385F5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.1A
Drain-source voltage: 12V
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 41A
Case: PICOSTAR3
Mounting: SMD
товар відсутній
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.4 грн
6000+ 4.05 грн
9000+ 3.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15380F3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15380F3Texas InstrumentsMOSFET 20-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 1460 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 17172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.53 грн
15+ 20.4 грн
100+ 7.51 грн
1000+ 5.51 грн
3000+ 4.45 грн
9000+ 3.79 грн
45000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD15380F3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 28869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.43 грн
17+ 16.47 грн
100+ 8.31 грн
500+ 6.37 грн
1000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.36 грн
10+ 50.51 грн
100+ 34.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.99ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.58 грн
17+ 34.71 грн
25+ 34.36 грн
100+ 27.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
CSD15380F3TTexas InstrumentsMOSFET 20-V N-Ch FemtoFET
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.3 грн
10+ 53.47 грн
100+ 32.62 грн
500+ 28.23 грн
1000+ 24.05 грн
2500+ 21.39 грн
5000+ 20.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD15380F3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5 pF @ 10 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.05 грн
500+ 29.24 грн
1250+ 24.88 грн
2500+ 20.8 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD15380F3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.99 ohm, LGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: LGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FemtoFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.99ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD15380F3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 900mA; Idm: 1.6A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD15380F3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD15571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 20V 22A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15571Q2Texas InstrumentsMOSFET 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 12822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.53 грн
13+ 25.13 грн
100+ 15.94 грн
500+ 12.49 грн
1000+ 10.16 грн
3000+ 8.57 грн
9000+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.46 грн
12+ 23.8 грн
100+ 16.5 грн
500+ 12.09 грн
1000+ 9.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD15571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 20V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD15571Q2
Код товару: 130599		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16126Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
товар відсутній
CSD16128Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 12.008" W (406.00mm x 305.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 192in² (1239cm²)
Part Status: Active
товар відсутній
CSD161610Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 10.000" (254.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32499.23 грн
CSD16166Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28646.37 грн
CSD16166SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 15.98"LX15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 5.984" (152.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+101988.6 грн
CSD16168Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.98"L X 15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31823.79 грн
CSD16168NVENT HOFFMANDescription: NVENT HOFFMAN - CSD16168 - ENCLOSURE, WALL MOUNT, CONCEPT, STEEL, GRAY
Gehäusefarbe: Grey
Außenhöhe - imperial: 16
IP-Schutzart: IP66
NEMA-Bewertung: NEMA 4, 12, 13
Außentiefe - metrisch: 203
Außenhöhe - metrisch: 406
Außentiefe - imperial: 8
Außenbreite - metrisch: 406
Produktpalette: Concept Series
Gehäusetyp: Electrical / Industrial
Außenbreite - Zoll: 16
Gehäusematerial: Steel
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46635.92 грн
CSD16168SSHoffman Enclosures, Inc.Description: BOX S STEEL NAT 15.98"LX15.98"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Stainless Steel Hinge, Wall Mount
Color: Natural
Size / Dimension: 15.984" L x 15.984" W (406.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Stainless Steel
Thickness: 16 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 3R,4,4X,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 255in² (1645cm²)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+104929.62 грн
CSD16208Hoffman Enclosures, Inc.Description: BOX STEEL GRAY 15.984"L X 20"W
Packaging: Bulk
Features: Sealing Gasket, Wall Mount
Color: Gray
Size / Dimension: 20.000" L x 15.984" W (508.00mm x 406.00mm)
Material: Metal, Steel
Thickness: 18 Gauge
Height: 7.992" (203.00mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 4,12,13, UL-508A
Container Type: Box
Area (L x W): 320in² (2065cm²)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36983.69 грн
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+41.95 грн
338+ 34.46 грн
359+ 32.51 грн
500+ 28.01 грн
1000+ 22.09 грн
Мінімальне замовлення: 278
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
на замовлення 13509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.33 грн
11+ 26.85 грн
100+ 18.65 грн
500+ 13.67 грн
1000+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.46 грн
6000+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD16301Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD16301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 12.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
6000+ 10.04 грн
9000+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 5A 6-Pin SON T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD16301Q2Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 45845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.34 грн
11+ 29.87 грн
100+ 18 грн
500+ 14.02 грн
1000+ 11.43 грн
3000+ 9.7 грн
9000+ 8.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.55 грн
22+ 26.87 грн
42+ 13.97 грн
Мінімальне замовлення: 19
CSD16301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 8.2A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.78 грн
10+ 69.02 грн
25+ 68.62 грн
100+ 58.22 грн
250+ 53.6 грн
500+ 46.21 грн
1000+ 42.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.47 грн
10+ 94.72 грн
100+ 65.5 грн
500+ 55.2 грн
1000+ 46.83 грн
2500+ 44.44 грн
5000+ 42.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5
Код товару: 94698		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.47 грн
500+ 57.5 грн
1000+ 48.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.35 грн
10+ 84.69 грн
100+ 67.45 грн
500+ 53.56 грн
1000+ 45.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16321Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0019 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.93 грн
10+ 96.13 грн
100+ 73.47 грн
500+ 57.5 грн
1000+ 48.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16321Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.01 грн
5000+ 49.21 грн
10000+ 47.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16321Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.77 грн
5000+ 44.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16321Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16321Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+92.55 грн
500+ 77.98 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16321Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.57 грн
10+ 122.99 грн
100+ 88.35 грн
250+ 74.4 грн
500+ 70.41 грн
1000+ 60.85 грн
2500+ 57.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas InstrumentsDescription: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.52 грн
10+ 118.11 грн
25+ 111.4 грн
100+ 89.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5TTexas Instruments25-V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5TTexas InstrumentsCSD16321Q5T
товар відсутній
CSD16322Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.6 грн
10+ 66.15 грн
100+ 45.97 грн
500+ 38.99 грн
1000+ 31.75 грн
2500+ 29.83 грн
5000+ 28.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.81 грн
5000+ 32.81 грн
10000+ 30.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.54 грн
500+ 36.46 грн
1000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16322Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 97 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.67 грн
11+ 69.3 грн
100+ 51.57 грн
500+ 40.62 грн
1000+ 28.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16322Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.6 грн
10+ 61.31 грн
100+ 47.7 грн
500+ 37.94 грн
1000+ 30.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97 грн
10+ 76.46 грн
100+ 59.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16322Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16322Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1365 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16322Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 11629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16322Q5CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.54 грн
14+ 54.92 грн
100+ 39.72 грн
500+ 31.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD16323Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 30646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.6 грн
10+ 65.31 грн
100+ 43.51 грн
500+ 36.73 грн
1000+ 28.7 грн
2500+ 27.9 грн
5000+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.54 грн
10000+ 29.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.73 грн
10+ 58.75 грн
100+ 45.67 грн
500+ 36.33 грн
1000+ 29.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16323Q3Texas InstrumentsN-Channel 25 V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+144.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.27 грн
5000+ 30.65 грн
10000+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16323Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16323Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.72 грн
500+ 31.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16323Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.83 грн
5000+ 28.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16323Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.1 грн
10+ 65.25 грн
25+ 64.6 грн
100+ 47.94 грн
250+ 42.7 грн
500+ 34.32 грн
1000+ 26.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16323Q3CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3CTexas InstrumentsMOSFET Dual Cool NCh NexFET Power MOSFET
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16323Q3CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SON-EP (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16323Q3CTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16323Q3TTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 74W (Tc)
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+65.79 грн
10+ 64.24 грн
25+ 63.6 грн
100+ 58.52 грн
250+ 53.64 грн
500+ 50.93 грн
1000+ 50.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
на замовлення 11756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.18 грн
10+ 101.85 грн
100+ 81.07 грн
500+ 64.37 грн
1000+ 54.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16325Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.97 грн
10+ 111.53 грн
100+ 78.38 грн
250+ 69.08 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 54 грн
2500+ 51.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD16325Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 12.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.42 грн
5000+ 53.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16325Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
товар відсутній
CSD16325Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
товар відсутній
CSD16325Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.74 грн
5000+ 27.27 грн
12500+ 26.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.46 грн
5000+ 29.53 грн
10000+ 29.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+50.66 грн
233+ 50.16 грн
265+ 44 грн
268+ 42.01 грн
500+ 35.24 грн
1000+ 27.22 грн
Мінімальне замовлення: 230
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.26 грн
16+ 47.69 грн
100+ 37.26 грн
500+ 31.76 грн
1000+ 27.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.53 грн
13+ 47.04 грн
25+ 46.57 грн
100+ 39.4 грн
250+ 36.12 грн
500+ 31.41 грн
1000+ 25.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD16327Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 14785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.49 грн
10+ 47.06 грн
100+ 34.01 грн
500+ 30.95 грн
1000+ 27.3 грн
2500+ 26.11 грн
5000+ 25.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 13605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.85 грн
10+ 56.6 грн
100+ 44.06 грн
500+ 35.04 грн
1000+ 28.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16327Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.13 грн
5000+ 64.48 грн
10000+ 63.83 грн
25000+ 60.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16327Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16327Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0034 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.54 грн
500+ 36.46 грн
1000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16327Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 74W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: -8...10V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
CSD16327Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 60A; Idm: 240A; 74W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 74W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: -8...10V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.2 грн
10+ 80.97 грн
100+ 53.87 грн
500+ 46.1 грн
1000+ 37.53 грн
2500+ 35.34 грн
5000+ 33.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+57.85 грн
500+ 47.67 грн
1250+ 38.83 грн
2500+ 34.31 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 8V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 12.5 V
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.26 грн
10+ 72.31 грн
100+ 56.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16327Q3T
Код товару: 153742		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16327Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 22002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.89 грн
10+ 42.21 грн
100+ 32.87 грн
500+ 26.14 грн
1000+ 25.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16340Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16340Q3Texas InstrumentsMOSFET N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.19 грн
10+ 45.45 грн
100+ 31.22 грн
500+ 26.9 грн
1000+ 26.7 грн
2500+ 26.64 грн
10000+ 26.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.85 грн
10+ 74.59 грн
100+ 58 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16340Q3TTexas InstrumentsMOSFET 25V, -55 to 150
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.07 грн
10+ 83.26 грн
100+ 53.54 грн
500+ 46.03 грн
1000+ 38.66 грн
2500+ 36.47 грн
5000+ 34.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+40.88 грн
500+ 39.7 грн
Мінімальне замовлення: 285
CSD16340Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+59.66 грн
500+ 49.16 грн
1250+ 40.05 грн
2500+ 35.38 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.96 грн
500+ 36.86 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16340Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.99 грн
5000+ 29.3 грн
10000+ 28.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 6019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.57 грн
10+ 56.88 грн
100+ 44.21 грн
500+ 35.17 грн
1000+ 28.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+35.24 грн
332+ 35.11 грн
357+ 32.68 грн
358+ 31.39 грн
500+ 28.79 грн
1000+ 27.38 грн
Мінімальне замовлення: 331
CSD16342Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.84 грн
5000+ 27.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16342Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.53 грн
18+ 32.72 грн
25+ 32.6 грн
100+ 29.27 грн
250+ 26.99 грн
500+ 25.67 грн
1000+ 25.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
CSD16342Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 6476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.49 грн
10+ 46.75 грн
100+ 34.01 грн
500+ 30.62 грн
1000+ 27.63 грн
2500+ 26.7 грн
5000+ 26.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsDescription: EVAL MODULE FOR MOSFETS/TPS40304
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 1.2V
Voltage - Input: 8V ~ 14V
Current - Output: 25A
Frequency - Switching: 600kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: TPS40304
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3901.72 грн
CSD163CEVM-591Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD163CEVM-591
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4697.08 грн
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+116.71 грн
10+ 106.68 грн
25+ 106.05 грн
100+ 91.83 грн
250+ 82.9 грн
500+ 67.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16401Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 4565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.59 грн
10+ 122.99 грн
100+ 91.67 грн
500+ 77.72 грн
1000+ 71.74 грн
2500+ 68.42 грн
5000+ 67.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16401Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16401Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0013 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.72 грн
10+ 123.7 грн
100+ 104.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16401Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 5449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.14 грн
10+ 134.51 грн
100+ 107.06 грн
500+ 85.01 грн
1000+ 72.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16401Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+125.68 грн
102+ 114.2 грн
114+ 98.9 грн
250+ 89.27 грн
500+ 72.32 грн
Мінімальне замовлення: 93
CSD16401Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.01 грн
10+ 156.79 грн
100+ 126.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16401Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
CSD16401Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 240A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16401Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.3 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.79 грн
10+ 174.93 грн
25+ 143.48 грн
100+ 122.89 грн
250+ 103.62 грн
500+ 96.32 грн
1000+ 88.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16401Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+124.4 грн
500+ 112.75 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16403Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 87.85 грн
100+ 61.38 грн
250+ 56.73 грн
500+ 51.48 грн
1000+ 44.04 грн
2500+ 41.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 15018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.63 грн
10+ 84.42 грн
100+ 67.19 грн
500+ 53.36 грн
1000+ 45.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16403Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16403Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.6 грн
5000+ 44.11 грн
12500+ 42.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.28 грн
500+ 31.69 грн
1000+ 23.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16404Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16404Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0041 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.87 грн
15+ 52.91 грн
100+ 41.28 грн
500+ 31.69 грн
1000+ 23.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
CSD16404Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 12.5 V
на замовлення 4701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+ 54.39 грн
100+ 42.3 грн
500+ 33.65 грн
1000+ 27.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16404Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 8028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.54 грн
10+ 59.13 грн
100+ 39.99 грн
500+ 33.94 грн
1000+ 27.63 грн
2500+ 25.18 грн
5000+ 24.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3Texas InstrumentsN-MOSFET 25V 60A 2.7W 5.3mΩ CSD16406Q3 Texas Instruments TCSD16406q3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.14 грн
10+ 62.32 грн
25+ 61.69 грн
100+ 48.11 грн
250+ 42.95 грн
500+ 35.35 грн
1000+ 28.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16406Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 6949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.5 грн
10+ 66.46 грн
100+ 45.04 грн
500+ 37.8 грн
1000+ 30.36 грн
2500+ 28.56 грн
5000+ 26.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+67.11 грн
176+ 66.44 грн
217+ 53.73 грн
250+ 49.96 грн
500+ 39.66 грн
1000+ 30.27 грн
Мінімальне замовлення: 174
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.9 грн
5000+ 30.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16406Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16406Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.0042 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.44 грн
10+ 76.01 грн
100+ 60.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD16406Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16406Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12.5 V
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.85 грн
10+ 56.74 грн
100+ 44.11 грн
500+ 35.09 грн
1000+ 28.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16406Q3 MOSFET N-CH - Texas Instruments
Код товару: 108023		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16407Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.67 грн
10+ 103.89 грн
100+ 72.4 грн
250+ 69.08 грн
500+ 59.65 грн
1000+ 50.35 грн
2500+ 47.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 5527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+ 89.67 грн
100+ 71.35 грн
500+ 56.66 грн
1000+ 48.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16407Q5TI0950+ QFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD16407Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.54 грн
5000+ 46.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16407Q5TI
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16407Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16407Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 419
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD16408Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
товар відсутній
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD16408Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
на замовлення 37665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD16408Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
товар відсутній
CSD16408Q5CTexas InstrumentsMOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD16408Q5CTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.38 грн
10+ 96.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.8 грн
10+ 48.64 грн
100+ 37.81 грн
500+ 30.08 грн
1000+ 24.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16409Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16409Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.96 грн
10+ 47.21 грн
100+ 32.95 грн
500+ 31.02 грн
1000+ 25.24 грн
2500+ 23.71 грн
5000+ 22.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16409Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 12.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16410Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16410Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 41.86 грн
100+ 27.17 грн
500+ 24.25 грн
1000+ 20.92 грн
2500+ 20.72 грн
5000+ 19.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
на замовлення 12508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.64 грн
10+ 51 грн
100+ 39.08 грн
500+ 28.99 грн
1000+ 23.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16410Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 12.5 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.26 грн
5000+ 20.85 грн
12500+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.06 грн
25+ 31.93 грн
100+ 27.42 грн
250+ 25.24 грн
500+ 22.11 грн
1000+ 19.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+34.53 грн
339+ 34.38 грн
381+ 30.63 грн
383+ 29.36 грн
500+ 24.8 грн
1000+ 21.42 грн
Мінімальне замовлення: 338
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
на замовлення 21289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.05 грн
10+ 43.73 грн
100+ 34.02 грн
500+ 27.06 грн
1000+ 22.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16411Q3Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.09 грн
10+ 45.99 грн
100+ 31.75 грн
500+ 27.1 грн
1000+ 22.52 грн
2500+ 21.19 грн
5000+ 20.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD16411Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 14A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.78 грн
5000+ 22.61 грн
10000+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16411Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 12.5 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.96 грн
5000+ 21.06 грн
12500+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16411Q3/2801Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
товар відсутній
CSD16411Q3TTexas InstrumentsCSD16411Q3T
товар відсутній
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16412Q5ATI/BB09+
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CSD16412Q5A
Код товару: 144313		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.08 грн
10+ 50.72 грн
100+ 35.14 грн
500+ 27.55 грн
1000+ 23.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16412Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.34 грн
10+ 57.37 грн
100+ 35.01 грн
500+ 29.23 грн
1000+ 24.25 грн
2500+ 21.85 грн
5000+ 19.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.3 грн
5000+ 22.08 грн
10000+ 21.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16412Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/52A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16412Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16413Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 12.5 V
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.82 грн
10+ 70.51 грн
100+ 54.88 грн
500+ 43.66 грн
1000+ 35.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16413Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.65 грн
10+ 78.68 грн
100+ 53.07 грн
500+ 44.97 грн
1000+ 36.6 грн
2500+ 35.21 грн
5000+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD16413Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.13 грн
5000+ 60.13 грн
10000+ 59.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16414Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.62 грн
10+ 90.14 грн
100+ 67.75 грн
500+ 60.98 грн
1000+ 55.47 грн
2500+ 53.41 грн
5000+ 51.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+101.3 грн
124+ 94.03 грн
126+ 93.09 грн
139+ 81.18 грн
250+ 73.6 грн
500+ 63.91 грн
1000+ 57.67 грн
Мінімальне замовлення: 115
CSD16414Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 34A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 12.5 V
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.65 грн
10+ 106.9 грн
100+ 85.07 грн
500+ 67.55 грн
1000+ 57.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+94.07 грн
10+ 87.32 грн
25+ 86.44 грн
100+ 75.38 грн
250+ 68.35 грн
500+ 59.34 грн
1000+ 53.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD16414Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.44 грн
10+ 131.39 грн
100+ 94.32 грн
250+ 93.66 грн
500+ 81.7 грн
1000+ 70.41 грн
2500+ 66.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16415Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16415Q5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 990
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.8 грн
10+ 126.97 грн
100+ 101.05 грн
500+ 80.24 грн
1000+ 68.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16415Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+95.32 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 200A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.49 грн
10+ 167.29 грн
25+ 136.84 грн
100+ 122.89 грн
250+ 103.62 грн
1000+ 89.01 грн
2500+ 83.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+113.66 грн
500+ 112.5 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16415Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16415Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 12.5 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.39 грн
10+ 149.87 грн
100+ 121.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.37 грн
5000+ 94.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
на замовлення 7169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+148.02 грн
10+ 118.6 грн
100+ 94.38 грн
500+ 74.94 грн
1000+ 63.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16556Q5BTexas InstrumentsMOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MosFET
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.42 грн
10+ 132.15 грн
100+ 91.67 грн
250+ 84.36 грн
500+ 76.39 грн
1000+ 66.09 грн
2500+ 60.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16556Q5B - MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.52 грн
10+ 109.26 грн
100+ 86.93 грн
500+ 69.04 грн
1000+ 58.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD16570Q5BTexas InstrumentsMOSFET 25-V N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.57 грн
10+ 122.99 грн
100+ 85.03 грн
250+ 83.7 грн
500+ 71.74 грн
1000+ 60.91 грн
2500+ 54.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+85.89 грн
10+ 85.3 грн
25+ 84.72 грн
100+ 81.13 грн
250+ 74.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 25V NCH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 13219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.24 грн
10+ 148.2 грн
100+ 105.62 грн
250+ 100.97 грн
500+ 94.99 грн
1000+ 81.04 грн
2500+ 77.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 25968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.67 грн
10+ 147.31 грн
100+ 117.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BT
Код товару: 196756		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
товар відсутній
CSD16570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD16570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.59mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 12 V
на замовлення 25750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+118.67 грн
500+ 99.24 грн
1250+ 84.2 грн
2500+ 75.07 грн
6250+ 72.25 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD16570Q5BT .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD16570Q5BT . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 490 µohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 195
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 195
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 490
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.47 грн
10+ 73.18 грн
100+ 54 грн
250+ 53.41 грн
500+ 47.63 грн
1000+ 43.71 грн
2500+ 43.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+76.48 грн
164+ 71.38 грн
165+ 70.66 грн
184+ 61.07 грн
250+ 55.88 грн
500+ 48.63 грн
1000+ 45.3 грн
Мінімальне замовлення: 153
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.02 грн
10+ 66.28 грн
25+ 65.61 грн
100+ 56.7 грн
250+ 51.89 грн
500+ 45.15 грн
1000+ 42.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17301Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 13376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.29 грн
10+ 59.02 грн
100+ 46.98 грн
500+ 39.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.99 грн
5000+ 24.75 грн
12500+ 23.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17302Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.56 грн
10+ 53.17 грн
100+ 37.53 грн
500+ 32.75 грн
1000+ 26.64 грн
2500+ 25.11 грн
5000+ 23.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+37.34 грн
315+ 36.97 грн
341+ 34.21 грн
344+ 32.66 грн
500+ 28.54 грн
1000+ 26.36 грн
Мінімальне замовлення: 312
CSD17302Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+37.14 грн
17+ 34.67 грн
25+ 34.33 грн
100+ 30.63 грн
250+ 28.08 грн
500+ 25.44 грн
1000+ 24.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD17302Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 19870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.67 грн
10+ 51.34 грн
100+ 39.98 грн
500+ 31.8 грн
1000+ 25.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.38 грн
10+ 89.19 грн
100+ 70.97 грн
500+ 56.36 грн
1000+ 47.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17303Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 6685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.12 грн
10+ 97.78 грн
100+ 67.75 грн
250+ 66.09 грн
500+ 56.53 грн
1000+ 47.23 грн
2500+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+118.33 грн
10+ 102.83 грн
25+ 101.79 грн
100+ 79.54 грн
250+ 72.91 грн
500+ 56.3 грн
1000+ 44.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17303Q5TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17303Q5 - MOSFET TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
товар відсутній
CSD17303Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+127.43 грн
106+ 110.73 грн
107+ 109.62 грн
132+ 85.66 грн
250+ 78.52 грн
500+ 60.63 грн
1000+ 48.12 грн
Мінімальне замовлення: 92
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.05 грн
10+ 44.15 грн
100+ 34.33 грн
500+ 27.31 грн
1000+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17304Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17304Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.64 грн
5000+ 23.37 грн
10000+ 22.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17304Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 13749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.52 грн
10+ 49.04 грн
100+ 33.15 грн
500+ 28.1 грн
1000+ 22.92 грн
2500+ 21.52 грн
5000+ 20.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17305Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.72 грн
10+ 87.08 грн
100+ 58.85 грн
500+ 49.89 грн
1000+ 40.65 грн
2500+ 37.73 грн
5000+ 36.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17305Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.85 грн
5000+ 43.78 грн
12500+ 42.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17305Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.72 грн
10+ 108.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
на замовлення 4816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.51 грн
10+ 67.19 грн
100+ 52.29 грн
500+ 41.6 грн
1000+ 33.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17306Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17306Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17306Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0029 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17306Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.55 грн
10+ 83.26 грн
100+ 56.06 грн
500+ 46.37 грн
1000+ 36.6 грн
2500+ 32.15 грн
10000+ 30.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.36 грн
19+ 30.44 грн
25+ 30.34 грн
100+ 24.37 грн
250+ 22.43 грн
500+ 16.4 грн
Мінімальне замовлення: 18
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 165896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
775+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 775
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17307Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 10570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.41 грн
10+ 39.49 грн
100+ 25.44 грн
500+ 20.86 грн
1000+ 19.13 грн
2500+ 17.47 грн
5000+ 16.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+51.31 грн
229+ 50.95 грн
330+ 35.32 грн
334+ 33.71 грн
566+ 18.39 грн
Мінімальне замовлення: 227
CSD17307Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.45 грн
10+ 43.8 грн
100+ 30.29 грн
500+ 23.75 грн
1000+ 20.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17307Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.11 грн
5000+ 21.08 грн
12500+ 19.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17308Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 9438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.34 грн
10+ 56.38 грн
100+ 34.01 грн
500+ 28.43 грн
1000+ 24.25 грн
2500+ 21.52 грн
5000+ 20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 16,5mOhm; 44A; 28W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: CSD17308Q3T; CSD17308Q3 TCSD17308q3
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.88 грн
13+ 59.69 грн
100+ 38.15 грн
500+ 29.61 грн
1000+ 20.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.91 грн
10+ 35.01 грн
25+ 30.72 грн
31+ 26.57 грн
83+ 25.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17308Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 18116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.08 грн
10+ 50.72 грн
100+ 35.14 грн
500+ 27.55 грн
1000+ 23.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 585 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.49 грн
6+ 43.63 грн
25+ 36.87 грн
31+ 31.88 грн
83+ 30.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.15 грн
500+ 29.61 грн
1000+ 20.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17308Q3 .TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 . - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 47 A, 0.0094 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 47
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 2.7
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0094
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.85 грн
8+ 48.57 грн
22+ 37.23 грн
60+ 35.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+43.33 грн
500+ 37.41 грн
1000+ 30.68 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.24 грн
500+ 34.81 грн
1250+ 28.35 грн
2500+ 25.05 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3T
Код товару: 133334		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+46.66 грн
500+ 40.29 грн
1000+ 33.04 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
CSD17308Q3TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.2 грн
10+ 56.45 грн
100+ 39.12 грн
500+ 33.61 грн
1000+ 27.37 грн
2500+ 25.77 грн
5000+ 24.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0082 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 28
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD17308Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.82 грн
10+ 52.79 грн
100+ 41.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17308Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17308Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 167A; 2.7W; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 167A
Power dissipation: 2.7W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.22 грн
5+ 60.53 грн
22+ 44.67 грн
60+ 42.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.27 грн
5000+ 29.78 грн
10000+ 28.81 грн
12500+ 27.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 7237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.57 грн
10+ 57.22 грн
100+ 44.5 грн
500+ 35.4 грн
1000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.75 грн
14+ 43.36 грн
25+ 43.13 грн
100+ 37.12 грн
250+ 34.03 грн
500+ 29.42 грн
1000+ 27.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
CSD17309Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.51 грн
10+ 58.51 грн
100+ 40.39 грн
500+ 34.81 грн
1000+ 29.63 грн
2500+ 27.83 грн
5000+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.51 грн
500+ 37.23 грн
1000+ 27.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+46.69 грн
251+ 46.45 грн
281+ 41.45 грн
284+ 39.58 грн
500+ 33.01 грн
1000+ 29.18 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17309Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.04 грн
5000+ 27.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.93 грн
5000+ 30.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.38 грн
5000+ 32.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17309Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17309Q3TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17309Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.75 грн
13+ 61.4 грн
100+ 48.51 грн
500+ 37.23 грн
1000+ 27.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.72 грн
5000+ 24.58 грн
10000+ 24.08 грн
12500+ 23.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 22075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.08 грн
10+ 47.95 грн
100+ 37.27 грн
500+ 29.64 грн
1000+ 24.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+64.98 грн
12+ 52.3 грн
25+ 51.77 грн
100+ 38.29 грн
250+ 35.07 грн
500+ 29.72 грн
1000+ 21.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17310Q5ATEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17310Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0039 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.88 грн
14+ 56.63 грн
100+ 40.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+56.32 грн
209+ 55.75 грн
273+ 42.76 грн
276+ 40.79 грн
500+ 33.34 грн
1000+ 23.68 грн
Мінімальне замовлення: 207
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.16 грн
5000+ 23.07 грн
12500+ 22.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17310Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 15 V
на замовлення 210429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 756
CSD17310Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.34 грн
10+ 52.71 грн
100+ 35.34 грн
500+ 29.89 грн
1000+ 23.71 грн
2500+ 22.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17310Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.9 грн
5000+ 52.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17311Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.72 грн
10+ 113.82 грн
100+ 79.05 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 56.53 грн
2500+ 53.61 грн
5000+ 51.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 324
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17311Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17311Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V
на замовлення 5264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.46 грн
10+ 100.95 грн
100+ 80.34 грн
500+ 63.79 грн
1000+ 54.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17312Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.44 грн
10+ 107.71 грн
100+ 79.71 грн
500+ 70.41 грн
1000+ 63.04 грн
2500+ 60.31 грн
5000+ 58.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.9 грн
5000+ 67.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17312Q5Texas InstrumentsN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5240 @ 15; Qg, нКл = 36 @ 4.5 В; Rds = 1.5 мОм @ 35 А, 8 В; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SON-8
на замовлення 85 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+105.32 грн
10+ 98.28 грн
100+ 91.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17312Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5240 pF @ 15 V
на замовлення 14022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.52 грн
10+ 137.83 грн
100+ 110.76 грн
500+ 85.4 грн
1000+ 70.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17312Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 38A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.03 грн
10+ 73.87 грн
25+ 72.71 грн
100+ 69 грн
250+ 62.86 грн
500+ 59.35 грн
1000+ 58.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 267
CSD17313Q2Texas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55°C ~ 150°C; CSD17313Q2T CSD17313Q2 TCSD17313q2
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.79 грн
21+ 27.7 грн
25+ 27.38 грн
100+ 20.15 грн
250+ 18.47 грн
500+ 13.65 грн
1000+ 11.06 грн
Мінімальне замовлення: 19
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.97 грн
24+ 32.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Texas InstrumentsMOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 48721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.87 грн
11+ 28.72 грн
100+ 17.34 грн
500+ 13.62 грн
1000+ 11.03 грн
3000+ 9.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17313Q2TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.024 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17313Q2
Код товару: 126922		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
CSD17313Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.9 грн
11+ 25.81 грн
100+ 17.96 грн
500+ 13.16 грн
1000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
на замовлення 6117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.64 грн
10+ 50.23 грн
100+ 38.51 грн
500+ 28.57 грн
1000+ 22.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsMOSFET Auto 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.12 грн
10+ 50.8 грн
100+ 33.88 грн
500+ 26.84 грн
1000+ 21.46 грн
3000+ 19.4 грн
9000+ 17.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 57A
Power dissipation: 17W
Case: WSON6
Gate-source voltage: -8...10V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+67.47 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2Q1TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 57A; 17W; WSON6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 57A
Power dissipation: 17W
Case: WSON6
Gate-source voltage: -8...10V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17313Q2Q1TTexas InstrumentsMOSFET Automotive 30-V N channel NexFET power MOSFET 6-WSON 0 to 0
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.15 грн
10+ 99.31 грн
100+ 67.09 грн
500+ 55.93 грн
1000+ 44.11 грн
2500+ 41.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+53.87 грн
500+ 46.31 грн
1000+ 37.94 грн
2500+ 34.26 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 17W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 2x2mm
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.81 грн
7+ 52.59 грн
20+ 40.82 грн
54+ 38.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+50.02 грн
500+ 43.01 грн
1000+ 35.23 грн
2500+ 31.82 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+48.51 грн
500+ 39.97 грн
1250+ 32.56 грн
2500+ 28.77 грн
6250+ 27.4 грн
12500+ 26.13 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 17W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 17W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 2x2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+126.98 грн
5+ 65.53 грн
20+ 48.99 грн
54+ 46.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17313Q2TTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.13 грн
10+ 47.36 грн
100+ 31.75 грн
500+ 27.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.34 грн
10+ 84.2 грн
100+ 61.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.41 грн
13+ 46.84 грн
25+ 46.6 грн
100+ 39.24 грн
250+ 28.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17313Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+50.44 грн
232+ 50.19 грн
266+ 43.82 грн
338+ 33.3 грн
Мінімальне замовлення: 231
CSD17313Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 24751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.88 грн
10+ 60.61 грн
100+ 47.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17313Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17313Q2T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 0.024 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 11444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.33 грн
12+ 24.15 грн
100+ 14.51 грн
500+ 12.61 грн
1000+ 8.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17318Q2Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.12 грн
10+ 31.7 грн
100+ 20.59 грн
500+ 16.14 грн
1000+ 12.49 грн
3000+ 11.36 грн
9000+ 9.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.73 грн
6000+ 8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2Texas InstrumentsN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25 А; Ptot, Вт = 16; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 879 @ 15; Qg, нКл = 6 @ 4,5 В; Rds = 15,1 мОм @ 8 A, 8 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; WDFN-6 (Exp. Pad)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+124.8 грн
10+ 62.4 грн
100+ 22.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+41.23 грн
25+ 40.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.14 грн
10+ 56.12 грн
100+ 43.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+33.91 грн
500+ 30.62 грн
1000+ 28.68 грн
1250+ 27.38 грн
2500+ 24.83 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21.5A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 16W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17318Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+44.88 грн
500+ 36.99 грн
1250+ 30.13 грн
2500+ 26.62 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17318Q2TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
на замовлення 5172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.36 грн
10+ 49.04 грн
100+ 33.01 грн
500+ 30.22 грн
1000+ 27.17 грн
2500+ 26.57 грн
5000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17318Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.5A; Idm: 68A; 16W; WSON6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21.5A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 16W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17318Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 21.5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17322Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.37 грн
10+ 57.67 грн
100+ 39.12 грн
500+ 33.08 грн
1000+ 26.97 грн
2500+ 25.97 грн
5000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.5 грн
5000+ 27.06 грн
12500+ 25.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17322Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17322Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 24835000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17327Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
на замовлення 24835000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17327Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSON-FET EP T/R
товар відсутній
CSD17327Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.9 грн
10+ 56.53 грн
100+ 38.33 грн
500+ 32.42 грн
1000+ 26.44 грн
2500+ 24.51 грн
5000+ 23.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 31898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.15 грн
17+ 17.16 грн
100+ 8.64 грн
500+ 7.18 грн
1000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17381F4Texas InstrumentsMOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 125-134 дні (днів)
12+27.36 грн
16+ 19.94 грн
100+ 7.9 грн
1000+ 5.65 грн
3000+ 4.98 грн
9000+ 4.32 грн
24000+ 3.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.54 грн
6000+ 5.21 грн
9000+ 4.62 грн
30000+ 4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17381F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4RTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 12482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.52 грн
10+ 48.81 грн
100+ 32.75 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 22.78 грн
2500+ 21.46 грн
5000+ 20.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+54.88 грн
13+ 45.64 грн
25+ 45.24 грн
100+ 22.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 38141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.05 грн
10+ 43.87 грн
100+ 34.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17381F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 12A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17381F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.13 грн
500+ 28.95 грн
1250+ 23.58 грн
2500+ 20.83 грн
6250+ 19.84 грн
12500+ 18.92 грн
25000+ 18.58 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17381F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.81 грн
500+ 26.28 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 12790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.74 грн
15+ 19.72 грн
100+ 9.95 грн
500+ 8.27 грн
1000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17382F4Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 8322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31 грн
14+ 21.92 грн
100+ 8.5 грн
1000+ 6.58 грн
3000+ 5.65 грн
9000+ 4.98 грн
24000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17382F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
6000+ 6 грн
9000+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17382F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.09 грн
500+ 28.92 грн
1250+ 23.56 грн
2500+ 20.81 грн
6250+ 19.82 грн
12500+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 13102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.3 грн
10+ 49.35 грн
100+ 27.3 грн
500+ 24.25 грн
1000+ 21.85 грн
2500+ 21.32 грн
5000+ 20.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 15 V
на замовлення 14010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.33 грн
10+ 43.87 грн
100+ 34.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 14.8A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17382F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.08 грн
500+ 22.98 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17382F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 14.8A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 14.8A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
товар відсутній
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
9000+ 3.63 грн
24000+ 3.44 грн
45000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.19 грн
6000+ 4.78 грн
9000+ 4.13 грн
30000+ 3.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+19.25 грн
38+ 15.21 грн
100+ 7.55 грн
250+ 6.94 грн
500+ 6.58 грн
1000+ 3.95 грн
Мінімальне замовлення: 30
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
9000+ 3.63 грн
24000+ 3.44 грн
45000+ 3.11 грн
99000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 53115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.74 грн
15+ 19.44 грн
100+ 9.8 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17483F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1380+8.44 грн
1392+ 8.37 грн
1409+ 8.27 грн
Мінімальне замовлення: 1380
CSD17483F4Texas InstrumentsMOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET
на замовлення 63240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.66 грн
16+ 19.1 грн
100+ 7.44 грн
1000+ 5.05 грн
3000+ 4.32 грн
9000+ 3.45 грн
24000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+28.18 грн
500+ 25.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.05 грн
500+ 29.24 грн
1250+ 24.88 грн
2500+ 20.8 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17483F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.3 грн
10+ 52.86 грн
100+ 32.68 грн
500+ 28.23 грн
1000+ 24.05 грн
2500+ 21.39 грн
5000+ 20.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17483F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; Idm: 5A; 500mW; PICOSTAR3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17483F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.58 грн
17+ 34.37 грн
26+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
CSD17483F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 15 V
на замовлення 5187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.36 грн
10+ 50.51 грн
100+ 34.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17484F4Texas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 128 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.13 грн
16+ 20.17 грн
100+ 8.5 грн
1000+ 5.98 грн
3000+ 5.18 грн
9000+ 4.65 грн
24000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 49135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.87 грн
16+ 17.92 грн
100+ 9.04 грн
500+ 7.52 грн
1000+ 5.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+22.09 грн
34+ 17.02 грн
35+ 16.87 грн
100+ 8.74 грн
250+ 8.01 грн
500+ 7.62 грн
1000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 27
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
9000+ 4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17484F4Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
6000+ 5.45 грн
9000+ 4.83 грн
30000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 25630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.77 грн
10+ 44.77 грн
100+ 34.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
товар відсутній
CSD17484F4TTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch FemtoFET MOSFET
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.92 грн
10+ 39.11 грн
100+ 28.36 грн
500+ 25.18 грн
1000+ 21.79 грн
2500+ 20.86 грн
5000+ 20.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.39 грн
500+ 24.08 грн
1000+ 22.3 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17484F4TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PICOSTAR
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.04 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.82 грн
500+ 29.52 грн
1250+ 24.05 грн
2500+ 21.24 грн
6250+ 20.23 грн
12500+ 19.3 грн
25000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17484F4TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; Idm: 18A; 500mW; PICOSTAR3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
CSD17484F4TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin PicoStar T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+78.32 грн
159+ 73.39 грн
160+ 73.03 грн
170+ 66.07 грн
250+ 59.68 грн
500+ 55.34 грн
1000+ 54.24 грн
Мінімальне замовлення: 149
CSD17501Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.62 грн
10+ 89.38 грн
100+ 66.43 грн
250+ 66.09 грн
500+ 59.32 грн
1000+ 53.41 грн
2500+ 52.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.73 грн
10+ 68.14 грн
25+ 67.81 грн
100+ 61.35 грн
250+ 55.42 грн
500+ 51.39 грн
1000+ 50.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17501Q5A
Код товару: 107837		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
на замовлення 6977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.46 грн
10+ 101.3 грн
100+ 80.61 грн
500+ 64.01 грн
1000+ 54.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17501Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17501Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
товар відсутній
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17505Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.66 грн
10+ 88.84 грн
100+ 70.72 грн
500+ 56.16 грн
1000+ 47.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17505Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Power MOSFET
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.47 грн
10+ 94.72 грн
100+ 65.5 грн
250+ 60.12 грн
500+ 54.54 грн
1000+ 46.76 грн
2500+ 44.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17505Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+98.4 грн
120+ 97.07 грн
155+ 75.35 грн
250+ 71.84 грн
500+ 55.88 грн
1000+ 40.86 грн
Мінімальне замовлення: 119
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.73 грн
13+ 46.55 грн
25+ 46.39 грн
100+ 44.55 грн
250+ 41.07 грн
500+ 39.26 грн
1000+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.57 грн
10+ 73.87 грн
100+ 52.81 грн
500+ 46.37 грн
1000+ 41.38 грн
2500+ 39.26 грн
5000+ 38.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.17 грн
5000+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17506Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.91 грн
10+ 82.76 грн
100+ 64.35 грн
500+ 51.19 грн
1000+ 41.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17507Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.89 грн
10+ 40.72 грн
100+ 26.77 грн
500+ 23.78 грн
1000+ 20.79 грн
2500+ 19.46 грн
5000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.2 грн
10+ 48.71 грн
100+ 33.68 грн
500+ 26.41 грн
1000+ 22.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.32 грн
5000+ 21.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+53.34 грн
221+ 52.87 грн
294+ 39.69 грн
297+ 37.92 грн
500+ 29.27 грн
1000+ 20.93 грн
Мінімальне замовлення: 219
CSD17507Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.88 грн
12+ 48.63 грн
25+ 48.19 грн
100+ 33.87 грн
250+ 31.06 грн
500+ 25.78 грн
1000+ 18.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsMOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 10.8 mOhm 8-VSONP -55 to 150
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
CSD17507Q5ATTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V NChannel Lo Side NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.47 грн
10+ 67.76 грн
100+ 45.9 грн
500+ 38.93 грн
1000+ 31.69 грн
2500+ 28.7 грн
5000+ 28.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 6479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.88 грн
10+ 60.2 грн
100+ 46.83 грн
500+ 37.25 грн
1000+ 30.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 20A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17510Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+ 66.46 грн
100+ 44.97 грн
500+ 38.13 грн
1000+ 31.09 грн
2500+ 28.76 грн
5000+ 28.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17522Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 15 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.6 грн
10+ 61.1 грн
100+ 47.49 грн
500+ 37.77 грн
1000+ 30.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17522Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SON EP T/R
товар відсутній
CSD17522Q5A /Texas Instruments
Код товару: 108620		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
на замовлення 12544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.01 грн
10+ 58.75 грн
100+ 45.66 грн
500+ 36.32 грн
1000+ 29.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17527Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.11 грн
10+ 64.7 грн
100+ 43.84 грн
500+ 36.67 грн
1000+ 29.49 грн
2500+ 27.57 грн
5000+ 26.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17527Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 506 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17527Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
товар відсутній
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.42 грн
10+ 39.86 грн
100+ 27.59 грн
500+ 21.63 грн
1000+ 18.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
CSD17551Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.85 грн
5000+ 17.97 грн
10000+ 17.53 грн
12500+ 16.19 грн
25000+ 14.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17551Q3ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-Chnl MOSFET
на замовлення 22066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.92 грн
10+ 44.31 грн
100+ 26.7 грн
500+ 22.32 грн
1000+ 19 грн
2500+ 16.87 грн
5000+ 16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.96 грн
5000+ 22.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17551Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17551Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.36 грн
10+ 47.54 грн
100+ 36.98 грн
500+ 29.41 грн
1000+ 23.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17551Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.17 грн
10+ 52.86 грн
100+ 35.74 грн
500+ 30.29 грн
1000+ 24.44 грн
2500+ 21.99 грн
5000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-Channel MOSFET
на замовлення 16379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.03 грн
10+ 54.08 грн
100+ 36.53 грн
500+ 30.95 грн
1000+ 25.18 грн
2500+ 23.71 грн
5000+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.52 грн
5000+ 23.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 7037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.8 грн
10+ 48.64 грн
100+ 37.81 грн
500+ 30.08 грн
1000+ 24.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q3ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 74A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 14939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.54 грн
10+ 58.4 грн
100+ 45.51 грн
500+ 35.28 грн
1000+ 27.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.07 грн
10+ 57.9 грн
100+ 39.26 грн
500+ 33.21 грн
1000+ 27.04 грн
2500+ 26.11 грн
5000+ 24.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17552Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.76 грн
5000+ 26.31 грн
12500+ 25.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17552Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 88A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.01 грн
5000+ 36.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17553Q5ATexas InstrumentsMOSFET NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.65 грн
10+ 79.45 грн
100+ 53.47 грн
500+ 45.37 грн
1000+ 36.93 грн
2500+ 35.54 грн
5000+ 35.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17553Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3252 pF @ 15 V
на замовлення 9638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97 грн
10+ 76.18 грн
100+ 59.27 грн
500+ 47.15 грн
1000+ 38.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17553Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 23.5A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
на замовлення 147241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+58.48 грн
Мінімальне замовлення: 344
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17555Q5ATexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17555Q5ATexas InstrumentsMOSFET 30V N-ch NexFET Pwr MOSFET
товар відсутній
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Power MOSFETs
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.49 грн
10+ 148.2 грн
100+ 103.62 грн
250+ 101.63 грн
500+ 85.03 грн
1000+ 71.74 грн
2500+ 66.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.13 грн
10+ 164.89 грн
100+ 132.54 грн
500+ 102.19 грн
1000+ 84.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17556Q5BTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17556Q5B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0012 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.1
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.2 грн
5000+ 72.45 грн
10000+ 71.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17556Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
товар відсутній
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.89 грн
10+ 175.7 грн
100+ 121.56 грн
250+ 110.93 грн
500+ 101.63 грн
1000+ 87.02 грн
2500+ 83.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+145.92 грн
500+ 122.95 грн
1250+ 101.87 грн
2500+ 89.01 грн
6250+ 85.71 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 191W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17556Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 191W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 191W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
CSD17556Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 191W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.65V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 15 V
на замовлення 10442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.56 грн
10+ 186.2 грн
100+ 149.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+86.92 грн
Мінімальне замовлення: 229
CSD17559Q5Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5Texas InstrumentsMOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.74 грн
10+ 158.13 грн
100+ 110.27 грн
250+ 101.63 грн
500+ 92.33 грн
1000+ 78.38 грн
2500+ 75.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.26 грн
10+ 150.57 грн
100+ 119.8 грн
500+ 95.13 грн
1000+ 80.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 96W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+134.09 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17559Q5TTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.07 грн
10+ 187.92 грн
25+ 161.41 грн
100+ 132.19 грн
250+ 124.88 грн
500+ 117.57 грн
1000+ 100.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 96W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 15 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.1 грн
10+ 168.97 грн
100+ 136.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17559Q5TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.76 грн
109+ 106.92 грн
125+ 90.02 грн
250+ 82.13 грн
500+ 70.73 грн
1000+ 61.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.81 грн
5000+ 62.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.88 грн
5000+ 66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+108.42 грн
10+ 99.36 грн
25+ 99.28 грн
100+ 83.59 грн
250+ 76.26 грн
500+ 65.68 грн
1000+ 57.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17570Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 7136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.9 грн
10+ 120.33 грн
100+ 95.74 грн
500+ 76.02 грн
1000+ 64.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+154.99 грн
10+ 131.39 грн
100+ 93 грн
250+ 91.67 грн
500+ 77.72 грн
1000+ 65.5 грн
2500+ 62.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.1 грн
10+ 149.25 грн
100+ 118.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.69mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 15 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+120.2 грн
500+ 100.52 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET
на замовлення 6707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.27 грн
10+ 166.53 грн
100+ 114.92 грн
250+ 89.01 грн
500+ 82.37 грн
1000+ 75.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+85.49 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17570Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+94.7 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17570Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
товар відсутній
CSD17570Q5BT /Texas Instruments
Код товару: 109943		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsMOSFET 30V N-CH Pwr MOSFETs
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.7 грн
12+ 26.43 грн
100+ 17.2 грн
500+ 13.55 грн
1000+ 10.43 грн
3000+ 9.3 грн
9000+ 8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
на замовлення 24361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.62 грн
11+ 26.22 грн
100+ 18.2 грн
500+ 13.33 грн
1000+ 10.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
CSD17571Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2TEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 22A 6SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-SON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 468 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
6000+ 9.8 грн
9000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CSD17571Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 22A 6-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
CSD17571Q2 (Texas Instruments)
Код товару: 199547		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+111.14 грн
120+ 97.49 грн
121+ 96.6 грн
146+ 76.94 грн
250+ 66.83 грн
500+ 56.18 грн
1000+ 45.8 грн
Мінімальне замовлення: 105
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.49 грн
5000+ 47.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.22 грн
10+ 86.35 грн
100+ 67.18 грн
500+ 53.44 грн
1000+ 43.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 88.61 грн
100+ 60.71 грн
500+ 52.08 грн
1000+ 43.51 грн
2500+ 39.66 грн
5000+ 38.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+103.2 грн
10+ 90.52 грн
25+ 89.7 грн
100+ 71.44 грн
250+ 62.06 грн
500+ 52.17 грн
1000+ 42.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17573Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17573Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+332.64 грн
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+86.48 грн
500+ 72.32 грн
1250+ 61.36 грн
2500+ 54.71 грн
6250+ 52.65 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+68.17 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17573Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.47 грн
10+ 119.93 грн
100+ 83.7 грн
250+ 77.05 грн
500+ 69.08 грн
1000+ 59.45 грн
2500+ 56.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 15 V
на замовлення 13742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.37 грн
10+ 107.39 грн
100+ 85.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+82.62 грн
500+ 75.11 грн
1000+ 66.23 грн
1250+ 62.19 грн
2500+ 54.61 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17573Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+39.27 грн
300+ 38.88 грн
345+ 33.77 грн
349+ 32.24 грн
500+ 28.79 грн
Мінімальне замовлення: 297
CSD17575Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.71 грн
16+ 36.46 грн
25+ 36.1 грн
100+ 30.24 грн
250+ 27.72 грн
500+ 25.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.19 грн
5000+ 26.87 грн
10000+ 26.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17575Q3Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 58389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.3 грн
10+ 39.65 грн
100+ 30.87 грн
500+ 24.55 грн
1000+ 24.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
CSD17575Q3Texas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.51 грн
10+ 55.54 грн
100+ 37.93 грн
500+ 32.22 грн
1000+ 27.17 грн
2500+ 24.25 грн
10000+ 23.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17575Q3Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17575Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 19522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.51 грн
10+ 49.27 грн
100+ 38.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+95.93 грн
123+ 95.05 грн
158+ 73.94 грн
250+ 68.33 грн
500+ 53.6 грн
Мінімальне замовлення: 122
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 108W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+123.4 грн
5+ 92.26 грн
15+ 67.26 грн
40+ 63.93 грн
100+ 61.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17575Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0019 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 108
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.21 грн
13+ 47.14 грн
25+ 46.67 грн
100+ 34.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
CSD17575Q3TTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 15 V
на замовлення 19250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+39.39 грн
500+ 32.46 грн
1250+ 32.11 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17575Q3TTexas InstrumentsMOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.07 грн
10+ 61.11 грн
100+ 44.64 грн
500+ 37.4 грн
1000+ 33.61 грн
2500+ 32.55 грн
5000+ 32.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 108W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.83 грн
5+ 74.04 грн
15+ 56.05 грн
40+ 53.28 грн
100+ 51.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17575Q3TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD17575Q3T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0019 ohm, VSON, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 108
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CSD17575Q3TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 250
CSD17576Q5BTexas InstrumentsMOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.45 грн
10+ 73.87 грн
100+ 49.82 грн
500+ 42.18 грн
1000+ 34.34 грн
2500+ 32.28 грн
5000+ 30.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17576Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
на замовлення 6487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.07 грн
10+ 66.15 грн
100+ 51.44 грн
500+ 40.92 грн
1000+ 33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTexas InstrumentsTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 184A; 125W; -55°C ~ 150°C; CSD17576Q5BT CSD17576Q5B TCSD17576q5b
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
товар відсутній
CSD17576Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+112.67 грн
5+ 91.4 грн
14+ 73.07 грн
37+ 68.92 грн
100+ 67.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17576Q5BTTEXAS INSTRUMENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.89 грн
5+ 73.35 грн
14+ 60.89 грн
37+ 57.43 грн
100+ 56.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17576Q5BTTexas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V
на замовлення 10477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 85.32 грн
100+ 66.36 грн
Мінімальне замовлення: 3