CSD17551Q3A Texas Instruments
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 18.9 грн |
| 5000+ | 18.02 грн |
| 10000+ | 17.57 грн |
| 12500+ | 16.23 грн |
| 25000+ | 14.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD17551Q3A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V.
Інші пропозиції CSD17551Q3A за ціною від 16.25 грн до 52.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD17551Q3A | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V |
на замовлення 2914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD17551Q3A | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30V N-Chnl MOSFET |
на замовлення 22066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD17551Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17551Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17551Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD17551Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 48A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD17551Q3A | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V |
товар відсутній |