Продукція > DMN

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8100 C0

02+

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8100 C0

02+

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8100CO

BGA

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8100CO

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600

04+ QFP

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600

N/A

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600 BO

BGA

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600 BO

BGA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600 D0

BGA

на замовлення 767 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8600DU

03+

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602

BGA 04+

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602

06+ PBGA308;

на замовлення 166 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602 BO

BGA

на замовлення 325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602 BO

BGA

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602 BO

03+

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602-BO

на замовлення 532 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602B0

LSILOGIG

0614+

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602BO

05+

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602BO

QFP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602BO

QFP

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8602BO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8603

на замовлення 269 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8603B1

на замовлення 271 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8623

на замовлення 738 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652

на замовлення 439 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652 BO

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652B0

2005 BGA

на замовлення 399 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652BO

06PB

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652BO

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8652BO

BGA

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN-8802BO

BGA

на замовлення 230 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN100

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN100

MOSFET

товар відсутній

DMN100-7

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

товар відсутній

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	43.75 грн
16+	37.75 грн
25+	37.05 грн
50+	35.37 грн
100+	25.37 грн
250+	23.18 грн
500+	18.13 грн
1000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN100-7-F

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.46 грн
6000+	14.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN100-7-F

MOSFET N-Channel

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

товар відсутній

DMN100-7-F

Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

292+	39.9 грн
295+	39.51 грн
381+	30.6 грн
400+	28.09 грн
512+	20.33 грн
1000+	15.33 грн

Мінімальне замовлення: 292

DMN100-7-F

Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

на замовлення 43263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.71 грн
10+	38.33 грн
100+	28.63 грн
500+	21.11 грн
1000+	16.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1001UCA10-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 1656 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.03 грн
10+	52.63 грн
100+	34.34 грн
500+	30.69 грн
1000+	25.91 грн
3000+	21.92 грн
6000+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN1001UCA10-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN1001UCA10-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1001UCA10-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 16A
On-state resistance: 6.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 90A
Kind of channel: enhanced
Case: X2-TSN1820-10

товар відсутній

DMN1001UCA10-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10

товар відсутній

DMN1001UCA10-7

товар відсутній

DMN1002UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R

товар відсутній

DMN1002UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1002UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN1002UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R

товар відсутній

DMN1002UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.92 грн
6000+	21.94 грн
9000+	20.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1003UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товар відсутній

DMN1003UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.53 грн
6000+	22.5 грн
9000+	21.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1003UCA6-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 2409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62 грн
10+	50.49 грн
100+	34.14 грн
500+	28.96 грн
1000+	23.58 грн
3000+	22.19 грн
6000+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN1003UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товар відсутній

DMN1003UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1003UFDE-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 6 V

товар відсутній

DMN1003UFDE-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товар відсутній

DMN1003UFDE-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товар відсутній

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.15 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN1004UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.29 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1004UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

товар відсутній

DMN1004UFDF-13

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN1004UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	36.65 грн
10+	29.96 грн
100+	20.86 грн
500+	15.29 грн
1000+	12.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1004UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.85 грн
500+	17.92 грн
1000+	12.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN1004UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN1004UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.29 грн
6000+	11.23 грн
9000+	10.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1004UFDF-7

на замовлення 2105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.82 грн
22+	34.2 грн
100+	23.85 грн
500+	17.92 грн
1000+	12.84 грн

Мінімальне замовлення: 18

DMN1004UFDF-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 11681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	38.9 грн
10+	32.54 грн
100+	19.73 грн
500+	15.41 грн
1000+	12.55 грн
3000+	11.69 грн
9000+	10.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1004UFDF-7

товар відсутній

DMN1004UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1004UFV-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

DMN1004UFV-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1004UFV-13

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 92885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.8 грн
10+	31.83 грн
100+	22.14 грн
500+	16.22 грн
1000+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1004UFV-13

товар відсутній

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN1004UFV-13

Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.04 грн
6000+	11.92 грн
9000+	11.07 грн
30000+	10.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1004UFV-13

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN1004UFV-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: PowerDI®3333-8

на замовлення 1846 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	20.12 грн
25+	16.74 грн
57+	14.09 грн
157+	13.32 грн

Мінімальне замовлення: 19

DMN1004UFV-7

Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.01 грн
500+	14.67 грн
2000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN1004UFV-7

на замовлення 105842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.08 грн
10+	31.07 грн
100+	21.6 грн
500+	15.82 грн
1000+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1004UFV-7

на замовлення 1846 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

12+	24.14 грн
25+	20.87 грн
57+	16.9 грн
157+	15.98 грн
2000+	15.36 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN1004UFV-7

на замовлення 2658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	46.2 грн
20+	38.67 грн
100+	26.01 грн
500+	14.67 грн
2000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 17

DMN1004UFV-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.07 грн
10+	34.53 грн
100+	20.86 грн
500+	16.34 грн
1000+	13.29 грн
2000+	11.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN1004UFV-7

Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN1004UFV-7

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.72 грн
6000+	11.63 грн
10000+	10.8 грн
50000+	9.65 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN1006UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товар відсутній

DMN1006UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товар відсутній

DMN1006UCA6-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 13.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.4W
Case: X3-DSN2718-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

DMN1006UCA6-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	48.97 грн
100+	29.03 грн
500+	24.25 грн
1000+	20.66 грн
3000+	18.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN1006UCA6-7

товар відсутній

DMN1006UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6

товар відсутній

DMN1006UCA6-7

Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R

товар відсутній

DMN1006UCA6-7-01

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN1008UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6

товар відсутній

DMN1008UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 590000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.34 грн
30000+	6.96 грн
50000+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1008UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10000+	8.45 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1008UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN1008UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 1250000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.21 грн
20000+	7.15 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1008UFDF-13

товар відсутній

DMN1008UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 599900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.62 грн
12+	23.53 грн
100+	14.14 грн
500+	12.28 грн
1000+	8.35 грн
2000+	7.69 грн
5000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1008UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 167535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.62 грн
12+	23.53 грн
100+	14.14 грн
500+	12.28 грн
1000+	8.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1008UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 100376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
14+	22.92 грн
100+	12.42 грн
1000+	8.7 грн
3000+	7.17 грн
9000+	6.91 грн
24000+	6.84 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN1008UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN1008UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN1008UFDF-7

товар відсутній

DMN1008UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 165000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.51 грн
6000+	7.85 грн
9000+	7.07 грн
30000+	6.54 грн
75000+	6.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1008UFDF-7

товар відсутній

DMN1008UFDFQ-13

товар відсутній

DMN1008UFDFQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V

товар відсутній

DMN1008UFDFQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товар відсутній

DMN1008UFDFQ-13

DMN1008UFDFQ-13

товар відсутній

DMN1008UFDFQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товар відсутній

DMN1008UFDFQ-13

товар відсутній

DMN1008UFDFQ-7

на замовлення 237000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.98 грн
6000+	7.37 грн
9000+	6.63 грн
30000+	6.13 грн
75000+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1008UFDFQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товар відсутній

DMN1008UFDFQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товар відсутній

DMN1014UFDF-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

товар відсутній

DMN1014UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN1014UFDF-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

товар відсутній

DMN1014UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.34 грн
12+	26.05 грн
100+	14.08 грн
1000+	7.44 грн
3000+	6.24 грн
9000+	5.71 грн
24000+	5.31 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN1016UCB6-7

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V

товар відсутній

DMN1016UCB6-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товар відсутній

DMN1016UCB6-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A

на замовлення 849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.54 грн
10+	44.08 грн
100+	28.56 грн
500+	22.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1016UCB6-7

Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V

на замовлення 3520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.99 грн
10+	38.13 грн
100+	28.48 грн
500+	21 грн
1000+	16.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1017UCP3-7

Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

товар відсутній

DMN1017UCP3-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.82 грн
10+	41.4 грн
100+	26.9 грн
500+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 2146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

463+	25.17 грн
592+	19.67 грн
599+	19.47 грн
762+	14.74 грн
1000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 463

DMN1019UFDE-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 27950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31 грн
12+	25.74 грн
100+	16.47 грн
500+	12.95 грн
1000+	10.83 грн
3000+	9.23 грн
9000+	8.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

на замовлення 1654861 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.9 грн
11+	25.81 грн
100+	17.93 грн
500+	13.14 грн
1000+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1019UFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.73 грн
500+	16.54 грн
1000+	11.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0.69W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 0.69W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 2146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	27.86 грн
25+	23.37 грн
100+	17.61 грн
250+	16.14 грн
500+	12.17 грн
1000+	10.49 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN1019UFDE-7

Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V

на замовлення 1653000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.57 грн
6000+	9.66 грн
9000+	8.97 грн
30000+	8.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UFDE-7

на замовлення 1703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.54 грн
22+	33.9 грн
100+	22.73 грн
500+	16.54 грн
1000+	11.82 грн

Мінімальне замовлення: 19

DMN1019UFDE-7

Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R

на замовлення 495000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UFDE-7

товар відсутній

DMN1019USN

Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 10K

товар відсутній

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 8375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	25.79 грн
28+	21.05 грн
33+	17.96 грн
100+	11.99 грн
250+	10.98 грн
500+	10.44 грн
1000+	7.12 грн
3000+	6.97 грн
6000+	6.48 грн

Мінімальне замовлення: 23

DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 42698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	37.26 грн
26+	29.14 грн
100+	17.81 грн
500+	12.39 грн
1000+	7.86 грн
2500+	7.41 грн
5000+	7.15 грн
10000+	6.9 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN1019USN-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товар відсутній

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товар відсутній

DMN1019USN-13

MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W

на замовлення 71234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.47 грн
13+	24.9 грн
100+	12.02 грн
1000+	7.51 грн
2500+	7.24 грн
10000+	7.17 грн
100000+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.46 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

на замовлення 59248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.9 грн
13+	22.9 грн
100+	13.73 грн
500+	11.94 грн
1000+	8.12 грн
2000+	7.47 грн
5000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1019USN-13

товар відсутній

DMN1019USN-13
Код товару: 121899

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

DMN1019USN-13

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 42698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.81 грн
500+	12.39 грн
1000+	7.86 грн
2500+	7.41 грн
5000+	7.15 грн
10000+	6.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1019USN-13

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 8375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

602+	19.34 грн
870+	13.39 грн
880+	13.24 грн
888+	12.65 грн
1301+	7.99 грн
3000+	7.5 грн
6000+	6.98 грн

Мінімальне замовлення: 602

DMN1019USN-13

Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.13 грн
30000+	6.77 грн
50000+	6.36 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.31 грн
9000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC

на замовлення 57650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.47 грн
13+	24.9 грн
100+	11.82 грн
1000+	8.17 грн
3000+	6.84 грн
9000+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1019USN-7

на замовлення 360000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.06 грн
6000+	7.44 грн
9000+	6.7 грн
30000+	6.19 грн
75000+	5.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товар відсутній

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm

на замовлення 10440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	27.2 грн
50+	20.27 грн
100+	13.26 грн
500+	8.51 грн
1500+	7.73 грн

Мінімальне замовлення: 28

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.62 грн
6000+	7.88 грн
12000+	7.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm

на замовлення 10440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.26 грн
500+	8.51 грн
1500+	7.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

товар відсутній

DMN1019USN-7

на замовлення 363721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
13+	22.35 грн
100+	13.4 грн
500+	11.64 грн
1000+	7.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 357000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USN-7

Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USNQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019USNQ-13

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1019USNQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10K

товар відсутній

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019USNQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K

товар відсутній

DMN1019USNQ-7

12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

DMN1019USNQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.95 грн
6000+	8.27 грн
9000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UVT-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.11W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN1019UVT-13

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN1019UVT-13

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

товар відсутній

DMN1019UVT-13

товар відсутній

DMN1019UVT-13

MOSFET 12V Enh Mode FET

товар відсутній

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN1019UVT-7

на замовлення 147000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.94 грн
6000+	7.33 грн
9000+	6.6 грн
30000+	6.1 грн
75000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.07 грн
15000+	7.37 грн
30000+	6.86 грн
45000+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UVT-7

товар відсутній

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.54 грн
9000+	6.78 грн
24000+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UVT-7

MOSFET 12V Enh Mode FET

на замовлення 13152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.47 грн
13+	24.83 грн
100+	11.76 грн
1000+	8.17 грн
3000+	7.17 грн
9000+	6.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN1019UVT-7

Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V

на замовлення 149711 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.46 грн
13+	22 грн
100+	13.2 грн
500+	11.47 грн
1000+	7.8 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1019UVT-7

товар відсутній

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1019UVT-7

Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN1023UCB4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN1023UCB4-7

Description: MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 6 V

товар відсутній

DMN1025UFDB-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

35+	11.92 грн
40+	8.72 грн
100+	7.75 грн
120+	6.78 грн
330+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 35

DMN1025UFDB-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN1025UFDB-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W

на замовлення 2183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.83 грн
14+	22.69 грн
100+	13.48 грн
1000+	7.57 грн
3000+	5.91 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN1025UFDB-7

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

20+	14.31 грн
25+	10.86 грн
100+	9.3 грн
120+	8.14 грн
330+	7.64 грн
3000+	7.39 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN1029UFDB-13

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN1029UFDB-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

товар відсутній

DMN1029UFDB-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5.8A; Idm: 20A; 2.2W
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

DMN1029UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1029UFDB-13

товар відсутній

DMN1029UFDB-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 149772 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	21.56 грн
18+	16.12 грн
100+	9.65 грн
500+	8.39 грн
1000+	5.91 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN1029UFDB-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3.7A; 1.4W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN1029UFDB-7

на замовлення 144000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1029UFDB-7

товар відсутній

DMN1029UFDB-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN1029UFDB-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC

на замовлення 16200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.17 грн
14+	22.46 грн
100+	11.82 грн
1000+	8.37 грн
3000+	7.37 грн
9000+	6.64 грн
24000+	6.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

товар відсутній

DMN1032UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

на замовлення 48049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

товар відсутній

DMN1032UCB4-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W

на замовлення 16939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN1032UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	42.87 грн
16+	36.66 грн
25+	34.1 грн
100+	26.62 грн
250+	24.4 грн
500+	16.41 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN1032UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN1032UCP4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V

товар відсутній

DMN1033UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN1033UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

на замовлення 5174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.42 грн
10+	39.92 грн
100+	30.58 грн
500+	22.68 грн
1000+	18.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1033UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1033UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 5.5A 4-Pin UWLP T/R

товар відсутній

DMN1045UFR4-7

Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.51 грн
30+	25.11 грн
100+	10.36 грн
500+	7.54 грн
1000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN1045UFR4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: X2-DFN1010-3
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.26W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V

товар відсутній

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

на замовлення 73421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
14+	20.62 грн
100+	10.42 грн
500+	8.67 грн
1000+	6.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1045UFR4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss

на замовлення 14322 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.17 грн
14+	22.92 грн
100+	8.97 грн
1000+	6.97 грн
3000+	5.25 грн
9000+	4.78 грн
24000+	4.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1045UFR4-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.36 грн
500+	7.54 грн
1000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1045UFR4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.68 грн
6000+	6.29 грн
9000+	5.57 грн
30000+	5.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1045UFR4-7

товар відсутній

DMN1045UFR4-7

Trans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin X2-DFN T/R

товар відсутній

DMN1053UCP4-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V

на замовлення 30789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.31 грн
12+	26.58 грн
100+	17.2 грн
500+	13.55 грн
1000+	10.5 грн
3000+	9.5 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.3 грн
13+	22.63 грн
100+	15.73 грн
500+	11.53 грн
1000+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN1053UCP4-7

Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.27 грн
6000+	8.47 грн
9000+	7.87 грн
30000+	7.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 945000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.04 грн
6000+	14.64 грн
9000+	13.55 грн
30000+	12.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1054UCB4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB0808-4
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

DMN1054UCB4-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товар відсутній

DMN1054UCB4-7

Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V

на замовлення 947642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.22 грн
100+	24.4 грн
500+	19.13 грн
1000+	16.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN1054UCB4-7

товар відсутній

DMN1054UCB4-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A

на замовлення 5976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H099SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H099SFG-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Power dissipation: 1.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A

товар відсутній

DMN10H099SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN10H099SFG-13

MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

на замовлення 8040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.58 грн
10+	41.1 грн
100+	24.31 грн
500+	20.39 грн
1000+	17.34 грн
3000+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H099SFG-13

товар відсутній

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.99 грн
10+	38.96 грн
100+	29.88 грн
500+	22.16 грн
1000+	17.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H099SFG-7

товар відсутній

DMN10H099SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN10H099SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H099SFG-7

товар відсутній

DMN10H099SFG-7

MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC

на замовлення 1971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.58 грн
10+	40.41 грн
100+	24.31 грн
500+	20.39 грн
1000+	17.34 грн
2000+	15.41 грн
4000+	14.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.44 грн
5000+	14.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H099SK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 20A; 22W; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

DMN10H099SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

DMN10H099SK3-13

товар відсутній

DMN10H099SK3-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC

на замовлення 4958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.55 грн
10+	37.2 грн
100+	24.84 грн
500+	19.6 грн
1000+	15.74 грн
2500+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H099SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 5730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.96 грн
10+	33.9 грн
100+	23.48 грн
500+	18.41 грн
1000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H100SK3-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V

на замовлення 2840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.79 грн
10+	46.52 грн
100+	27.97 грн
500+	23.38 грн
1000+	19.93 грн
2500+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 47500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.81 грн
5000+	17.16 грн
12500+	15.89 грн
25000+	14.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H100SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V

на замовлення 49728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.58 грн
10+	41.31 грн
100+	28.6 грн
500+	22.43 грн
1000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN10H100SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

DMN10H120SE-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.4A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

DMN10H120SE-13

товар відсутній

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 977500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.82 грн
5000+	12.63 грн
12500+	11.73 грн
25000+	10.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

DMN10H120SE-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC

на замовлення 3739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	44.72 грн
10+	37.51 грн
100+	22.72 грн
500+	17.74 грн
1000+	14.41 грн
2500+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H120SE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 975000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H120SE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 978275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.96 грн
10+	33.77 грн
100+	23.46 грн
500+	17.19 грн
1000+	13.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H120SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN10H120SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 1019848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.11 грн
10+	35.77 грн
100+	24.79 грн
500+	19.44 грн
1000+	16.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H120SFG-13

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.64 грн
18+	42.85 грн
100+	26.9 грн
500+	20.83 грн
1000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 15

DMN10H120SFG-13

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

на замовлення 3026 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.89 грн
10+	39.8 грн
100+	23.98 грн
500+	19.99 грн
1000+	17.07 грн
3000+	15.48 грн
6000+	15.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H120SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1017000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H120SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 1017000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.3 грн
6000+	14.87 грн
9000+	13.77 грн
30000+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H120SFG-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

DMN10H120SFG-13

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.9 грн
500+	20.83 грн
1000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H120SFG-13

товар відсутній

DMN10H120SFG-7

Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.64 грн
18+	42.85 грн
100+	26.9 грн
500+	20.9 грн
1000+	16.61 грн

Мінімальне замовлення: 15

DMN10H120SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H120SFG-7

товар відсутній

DMN10H120SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 204000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	16.3 грн
6000+	14.87 грн
10000+	13.77 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H120SFG-7

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.9 грн
500+	20.9 грн
1000+	16.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H120SFG-7

товар відсутній

DMN10H120SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN10H120SFG-7

Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V

на замовлення 210281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.11 грн
10+	35.77 грн
100+	24.79 грн
500+	19.44 грн
1000+	16.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H120SFG-7

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF

на замовлення 5797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	39.8 грн
100+	23.91 грн
500+	19.99 грн
1000+	17.01 грн
2000+	13.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H170SFDE-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W

товар відсутній

DMN10H170SFDE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

товар відсутній

DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H170SFDE-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

на замовлення 288015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H170SFDE-7

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W

на замовлення 2847 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.73 грн
10+	30.94 грн
100+	18.8 грн
500+	14.61 грн
1000+	11.89 грн
3000+	10.96 грн
9000+	10.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN10H170SFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm

на замовлення 2955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.4 грн
500+	17.09 грн
1000+	12.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H170SFDE-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN10H170SFDE-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H170SFDE-7

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.03W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.11 грн
21+	35.54 грн
100+	23.85 грн
500+	17.78 грн
1000+	12.71 грн

Мінімальне замовлення: 17

DMN10H170SFDE-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

на замовлення 288015000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H170SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H170SFG-13

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

на замовлення 10300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.77 грн
10+	33 грн
100+	21.32 грн
500+	18.07 грн
1000+	13.95 грн
3000+	11.89 грн
9000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H170SFG-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.08 грн
25+	32.74 грн
100+	24.59 грн
250+	22.83 грн
500+	19.32 грн
1000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H170SFG-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN10H170SFG-7

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.08 грн
25+	32.74 грн
100+	24.59 грн
250+	22.83 грн
500+	19.32 грн
1000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H170SFG-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

на замовлення 1486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.77 грн
10+	33 грн
100+	21.32 грн
500+	18.07 грн
1000+	13.95 грн
2000+	11.89 грн
10000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H170SFG-7

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H170SFG-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN10H170SFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

товар відсутній

DMN10H170SFGQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H170SFGQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K

товар відсутній

DMN10H170SK3-13

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

DMN10H170SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 162500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H170SK3-13

MOSFET 100V N-CH MOSFET 100V 12A

на замовлення 39906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.15 грн
10+	35.75 грн
100+	23.85 грн
500+	18.86 грн
1000+	15.08 грн
2500+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H170SK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 164569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.02 грн
12+	23.18 грн
100+	16.07 грн
500+	12.61 грн
1000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN10H170SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 727500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.06 грн
5000+	15.56 грн
12500+	14.41 грн
25000+	13.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H170SK3Q-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V

товар відсутній

DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H170SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 732505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.55 грн
10+	37.43 грн
100+	25.94 грн
500+	20.34 грн
1000+	17.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H170SK3Q-13

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H170SVT-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

товар відсутній

DMN10H170SVT-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN10H170SVT-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

товар відсутній

DMN10H170SVT-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN10H170SVT-7

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

на замовлення 49225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.73 грн
10+	30.94 грн
100+	18.8 грн
500+	14.61 грн
1000+	11.89 грн
3000+	10.1 грн
9000+	9.43 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN10H170SVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN10H170SVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

товар відсутній

DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H170SVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

товар відсутній

DMN10H170SVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN10H170SVTQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

товар відсутній

DMN10H170SVTQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS

товар відсутній

DMN10H170SVTQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.11 грн
10+	35.43 грн
100+	26.45 грн
500+	19.5 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H170SVTQ-7

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN10H170SVTQ-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN10H170SVTQ-7

Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V

товар відсутній

DMN10H170SVTQ-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN10H220L

MOSFET

товар відсутній

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

DMN10H220L-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN10H220L-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.24 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN10H220L-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

на замовлення 8884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
12+	25.67 грн
100+	16.67 грн
500+	13.09 грн
1000+	10.16 грн
2500+	9.3 грн
10000+	7.71 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN10H220L-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.21 грн
30000+	7.72 грн
50000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN10H220L-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

DMN10H220L-13

товар відсутній

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

на замовлення 58657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.73 грн
500+	10.45 грн
1500+	9.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220L-7

на замовлення 588000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.41 грн
6000+	8.6 грн
9000+	7.99 грн
30000+	7.32 грн
75000+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.15 грн
9000+	8.51 грн
45000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W

на замовлення 160299 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.53 грн
13+	24.06 грн
100+	15.21 грн
500+	11.96 грн
1000+	9.63 грн
3000+	7.71 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.86 грн
9000+	9.17 грн
45000+	8.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.64 грн
9000+	8.49 грн
24000+	8.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 160 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

14+	20.21 грн
27+	9.83 грн
30+	8.39 грн
100+	7.47 грн
133+	7.26 грн
365+	6.86 грн

Мінімальне замовлення: 14

DMN10H220L-7

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

23+	16.84 грн
44+	7.89 грн
50+	6.99 грн
100+	6.23 грн
133+	6.05 грн

Мінімальне замовлення: 23

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.01 грн
9000+	7.32 грн
18000+	6.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

на замовлення 590700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.02 грн
13+	22.97 грн
100+	15.98 грн
500+	11.7 грн
1000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.43 грн
9000+	7.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 276000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.17 грн
26+	22.8 грн
100+	16.44 грн
250+	15.07 грн
500+	11.31 грн
1000+	6.7 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN10H220L-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

на замовлення 58657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	26.97 грн
50+	22.35 грн
100+	17.73 грн
500+	10.45 грн
1500+	9.45 грн

Мінімальне замовлення: 28

DMN10H220L-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

475+	24.56 грн
635+	18.36 грн
641+	18.18 грн
820+	13.7 грн
1383+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 475

DMN10H220LDV-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

товар відсутній

DMN10H220LDV-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K

товар відсутній

DMN10H220LDV-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.72 грн
28+	27.12 грн
100+	19.9 грн
500+	16.68 грн
1000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 19

DMN10H220LDV-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H220LDV-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K

товар відсутній

DMN10H220LDV-7

на замовлення 1310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.9 грн
500+	16.68 грн
1000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LDV-7

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	10.18 грн
6000+	9.3 грн
10000+	8.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H220LE-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN10H220LE-13

MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC

на замовлення 8620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	36.74 грн
100+	22.12 грн
500+	18.53 грн
1000+	15.74 грн
2500+	14.35 грн
5000+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.04 грн
5000+	7.96 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LE-13

товар відсутній

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LE-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.81 грн
500+	19.3 грн
1000+	13.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 216941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	32.73 грн
100+	22.63 грн
500+	17.75 грн
1000+	15.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

DMN10H220LE-13

на замовлення 2395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	47.62 грн
19+	39.72 грн
100+	24.81 грн
500+	19.3 грн
1000+	13.35 грн

Мінімальне замовлення: 16

DMN10H220LE-13

Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LE-13

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 215000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.89 грн
5000+	13.58 грн
12500+	12.58 грн
25000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LFDF-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

товар відсутній

DMN10H220LFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

товар відсутній

DMN10H220LFDF-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.66 грн
6000+	6.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 5815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.04 грн
13+	24.67 грн
100+	13.35 грн
1000+	9.7 грн
3000+	8.24 грн
9000+	7.17 грн
24000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN10H220LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12 грн
500+	9 грн
1000+	6.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

DMN10H220LFDF-7

товар відсутній

DMN10H220LFDF-7

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 8770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
14+	20.62 грн
100+	10.39 грн
500+	8.64 грн
1000+	6.73 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LFDF-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LFDF-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN10H220LFDF-7

на замовлення 2760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	31.74 грн
35+	21.61 грн
100+	12 грн
500+	9 грн
1000+	6.32 грн

Мінімальне замовлення: 24

DMN10H220LFVW-13

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V

товар відсутній

DMN10H220LFVW-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K

товар відсутній

DMN10H220LFVW-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.1 грн
30+	25.11 грн
100+	15.95 грн
500+	12.73 грн
1000+	9.77 грн

Мінімальне замовлення: 18

DMN10H220LFVW-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN10H220LFVW-7

товар відсутній

DMN10H220LFVW-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DMN10H220LFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	8.1 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H220LFVW-7

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN10H220LFVW-7

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.95 грн
500+	12.73 грн
1000+	9.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LFVW-7

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	8.66 грн
6000+	7.99 грн
10000+	7.19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN10H220LK3-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

на замовлення 17889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.7 грн
12+	26.58 грн
100+	16.14 грн
500+	12.62 грн
1000+	10.16 грн
2500+	7.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LK3-13

High Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LK3-13

High Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN10H220LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 56467 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.74 грн
12+	23.66 грн
100+	16.45 грн
500+	12.06 грн
1000+	9.8 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LK3-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.11 грн
500+	13.15 грн
1000+	10.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LK3-13

Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V

на замовлення 52500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.7 грн
5000+	8.86 грн
12500+	8.23 грн
25000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN10H220LK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

13+	21.64 грн
16+	16.47 грн
30+	14.03 грн
81+	11.88 грн
223+	11.23 грн

Мінімальне замовлення: 13

DMN10H220LK3-13

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

21+	18.03 грн
27+	13.22 грн
30+	11.69 грн
81+	9.9 грн
223+	9.36 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN10H220LK3-13

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.95 грн
26+	28.99 грн
100+	18.11 грн
500+	13.15 грн
1000+	10.16 грн

Мінімальне замовлення: 22

DMN10H220LPDW-13

Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.42 грн
500+	20.9 грн
1000+	13.22 грн
5000+	12.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LPDW-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN10H220LPDW-13

товар відсутній

DMN10H220LPDW-13

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.97 грн
19+	39.64 грн
100+	27.42 грн
500+	20.9 грн
1000+	13.22 грн
5000+	12.97 грн

Мінімальне замовлення: 15

DMN10H220LPDW-13

MOSFET MOSFET BVDSS61V-100V

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.41 грн
10+	35.98 грн
100+	23.98 грн
500+	19.66 грн
1000+	15.94 грн
2500+	13.48 грн
10000+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN10H220LPDW-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN10H220LPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 8A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)

товар відсутній

DMN10H220LQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K

товар відсутній

DMN10H220LQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

DMN10H220LQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.46 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN10H220LQ-13

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.07 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN10H220LQ-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
14+	20.2 грн
100+	10.19 грн
500+	7.81 грн
1000+	5.79 грн
2000+	4.87 грн
5000+	4.58 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LQ-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

35+	12.3 грн
55+	6.78 грн
100+	6.02 грн
160+	5.07 грн
435+	4.79 грн

Мінімальне замовлення: 35

DMN10H220LQ-7

на замовлення 548640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
14+	20.2 грн
100+	10.19 грн
500+	7.81 грн
1000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

DMN10H220LQ-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.51 грн
30+	24.89 грн
100+	9.24 грн
500+	7.27 грн
1000+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

DMN10H220LQ-7

на замовлення 543000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.39 грн
6000+	4.96 грн
9000+	4.29 грн
30000+	3.95 грн
75000+	3.27 грн
150000+	3.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LQ-7

на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.24 грн
500+	7.27 грн
1000+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 3K

на замовлення 164154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.17 грн
14+	22.69 грн
100+	7.9 грн
1000+	6.04 грн
3000+	4.32 грн
9000+	3.79 грн
24000+	3.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H220LQ-7

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 495000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LQ-7

на замовлення 2945 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

20+	14.75 грн
35+	8.45 грн
100+	7.22 грн
160+	6.08 грн
435+	5.75 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN10H220LVT-13

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

товар відсутній

DMN10H220LVT-13

Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

товар відсутній

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LVT-7

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.33 грн
6000+	11.27 грн
9000+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LVT-7

Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.95 грн
500+	16.68 грн
1000+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H220LVT-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.79A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.07W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN10H220LVT-7

товар відсутній

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

товар відсутній

DMN10H220LVT-7

Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V

на замовлення 26779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	36.65 грн
10+	30.1 грн
100+	20.92 грн
500+	15.33 грн
1000+	12.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H220LVT-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.49 грн
21+	36.66 грн
100+	22.95 грн
500+	16.68 грн
1000+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 17

DMN10H220LVT-7

MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs

на замовлення 2635 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.38 грн
10+	33.84 грн
100+	20.46 грн
500+	16.01 грн
1000+	12.95 грн
3000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN10H220LVT-7

Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H6D2LFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товар відсутній

DMN10H6D2LFDB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

товар відсутній

DMN10H6D2LFDB-7

товар відсутній

DMN10H6D2LFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	26.08 грн
44+	17.29 грн
100+	9.39 грн
500+	6.57 грн
1000+	4.15 грн

Мінімальне замовлення: 29

DMN10H6D2LFDB-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

товар відсутній

DMN10H6D2LFDB-7

на замовлення 2510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.39 грн
500+	6.57 грн
1000+	4.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN10H700S-13

DMN10H700S-13 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H700S-13

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 9976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.9 грн
13+	22 грн
100+	12.44 грн
500+	7.73 грн
1000+	5.93 грн
2000+	5.16 грн
5000+	4.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H700S-13

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

DMN10H700S-13

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

товар відсутній

DMN10H700S-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 6816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.78 грн
13+	24.22 грн
100+	11.96 грн
500+	7.97 грн
1000+	5.91 грн
2500+	5.45 грн
5000+	4.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H700S-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H700S-7

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm

на замовлення 17366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.13 грн
32+	23.7 грн
100+	8.79 грн
500+	6.37 грн
1000+	4.22 грн
5000+	3.77 грн

Мінімальне замовлення: 22

DMN10H700S-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 24790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.08 грн
14+	22.76 грн
100+	11.69 грн
500+	7.77 грн
1000+	5.91 грн
3000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H700S-7

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 31696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
13+	21.73 грн
100+	12.32 грн
500+	7.66 грн
1000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN10H700S-7

DMN10H700S-7 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN10H700S-7

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.65 грн
6000+	4.89 грн
15000+	4.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN10H700S-7

Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm

на замовлення 17366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.79 грн
500+	6.37 грн
1000+	4.22 грн
5000+	3.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN1150UFB-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V

на замовлення 257659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.74 грн
15+	19.1 грн
100+	9.66 грн
500+	7.4 грн
1000+	5.49 грн
2000+	4.62 грн
5000+	4.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN1150UFB-7B

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A

товар відсутній

DMN1150UFB-7B

товар відсутній

DMN1150UFB-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V

на замовлення 240000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	4.22 грн
30000+	3.99 грн
50000+	3.31 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1150UFB-7B

MOSFET N-CH MOSFET 12V

на замовлення 19099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.53 грн
20+	15.74 грн
100+	6.78 грн
1000+	4.58 грн
2500+	4.38 грн
10000+	3.92 грн
20000+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN1150UFL3-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

DMN1150UFL3-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 5890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN1150UFL3-7

Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R

товар відсутній

DMN1150UFL3-7

Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R

товар відсутній

DMN1150UFL3-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6

товар відсутній

DMN1150UFL3-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

DMN1150UFL3-7

товар відсутній

DMN11M2UCA14-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 34A X2-TSN3027
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6083pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN3027-14

товар відсутній

DMN1250UFEL-7

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN1250UFEL-7

MOSFET 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss

на замовлення 1947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.52 грн
10+	48.81 грн
100+	33.08 грн
500+	27.97 грн
1000+	22.85 грн
3000+	22.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN1250UFEL-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet

товар відсутній

DMN1250UFEL-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x8; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 10A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Drain-source voltage: 12V
Gate charge: 1.9nC
Case: U-QFN1515-12
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.55Ω
Pulsed drain current: 10A
Type of transistor: N-MOSFET x8
Power dissipation: 1.25W

товар відсутній

DMN1250UFEL-7

товар відсутній

DMN1250UFEL-7

Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active

на замовлення 7552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.48 грн
10+	45.11 грн
100+	35.08 грн
500+	27.9 грн
1000+	22.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN1260UFA-7B

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 960pC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: X2-DFN0806-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

DMN1260UFA-7B

товар відсутній

DMN1260UFA-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

на замовлення 260000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.72 грн
30000+	3.52 грн
50000+	2.91 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN1260UFA-7B

MOSFET 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC

на замовлення 15780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.66 грн
16+	19.86 грн
100+	9.76 грн
1000+	4.92 грн
2500+	4.32 грн
10000+	3.45 грн
20000+	3.19 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN1260UFA-7B

Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V

на замовлення 274610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.15 грн
17+	16.88 грн
100+	8.51 грн
500+	6.51 грн
1000+	4.83 грн
2000+	4.07 грн
5000+	3.82 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN1260UFA-7B

Trans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin X2-DFN T/R

товар відсутній

DMN12M3UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN3118-6 T&R 3K

товар відсутній

DMN12M7UCA10-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-

товар відсутній

DMN12M7UCA10-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 10.8A; Idm: 80A; 1.73W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.73W
Case: X4-DSN3015-10
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

DMN12M7UCA10-7

товар відсутній

DMN12M7UCA10-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.73 грн
10+	59.13 грн
100+	35.07 грн
500+	29.36 грн
1000+	22.58 грн
2500+	22.45 грн
5000+	20.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN12M8UCA10-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.45 грн
10+	43.62 грн
100+	25.91 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.4 грн
2500+	17.4 грн
5000+	14.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN13H750S-13

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

товар відсутній

DMN13H750S-13

DMN13H750S-13 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN13H750S-13

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

товар відсутній

DMN13H750S-7

Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V

на замовлення 14096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.24 грн
10+	33.01 грн
100+	24.65 грн
500+	18.18 грн
1000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	35.4 грн
20+	28.92 грн
25+	28.65 грн
100+	20.04 грн
250+	18.37 грн
500+	14.28 грн
1000+	11.59 грн
3000+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 17

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.31 грн
6000+	9.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN13H750S-7

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.17 грн
6000+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN13H750S-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss

на замовлення 3399 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.54 грн
10+	35.6 грн
100+	23.18 грн
500+	18.2 грн
1000+	14.08 грн
3000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN13H750S-7

DMN13H750S-7 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN13H750S-7

Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

DMN13M9UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2964 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.24 грн
10+	60.12 грн
100+	40.65 грн
500+	34.47 грн
1000+	28.1 грн
3000+	27.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN14M8UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.21 грн
10+	32.08 грн
100+	20.86 грн
500+	16.41 грн
1000+	13.09 грн
3000+	11.03 грн
9000+	10.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN15H310SE-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω

товар відсутній

DMN15H310SE-13

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V

на замовлення 349123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.45 грн
10+	59.78 грн
100+	46.52 грн
500+	37 грн
1000+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

DMN15H310SE-13

MOSFET 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A

на замовлення 3176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.92 грн
10+	67.15 грн
100+	45.44 грн
500+	38.46 грн
1000+	31.35 грн
2500+	27.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

DMN15H310SE-13

товар відсутній

DMN15H310SE-13

Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V

на замовлення 342500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.4 грн
5000+	28.8 грн
12500+	27.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN15H310SE-13

Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

DMN15H310SK3

MOSFET

товар відсутній

DMN15H310SK3-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

DMN15H310SK3-13

Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	32.73 грн
100+	22.65 грн
500+	17.77 грн
1000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	15.28 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN15H310SK3-13

Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

DMN15H310SK3-13

MOSFET 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A

на замовлення 1508 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	37.28 грн
100+	22.12 грн
500+	18.53 грн
1000+	15.74 грн
2500+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN15H310SK3-13

товар відсутній

DMN15H310SK3-13

Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

DMN15M3UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K

товар відсутній

DMN15M5UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA
Supplier Device Package: X4-DSN2117-6

товар відсутній

DMN16M0UCA6-7

Description: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN2112-6

товар відсутній

DMN16M0UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN16M9UCA6-7

Description: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

товар відсутній

DMN16M9UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.03 грн
10+	58.13 грн
100+	34.47 грн
500+	28.83 грн
1000+	24.51 грн
3000+	21.79 грн
6000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

DMN2004DMK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004DMK-7

MOSFET Dual N-Channel

на замовлення 34311 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.53 грн
13+	24.98 грн
100+	15.41 грн
500+	11.96 грн
1000+	9.76 грн
3000+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

DMN2004DMK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 225mW; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 1223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	50.66 грн
15+	39.24 грн
25+	37.54 грн
100+	27.82 грн
250+	23.5 грн
500+	19.94 грн
1000+	16.49 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2004DMK-7

товар відсутній

DMN2004DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

на замовлення 310681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	19.4 грн
18+	16.05 грн
100+	11.14 грн
500+	8.17 грн
1000+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 15

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 1223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

289+	40.42 грн
375+	31.07 грн
411+	28.35 грн
500+	24.16 грн
1000+	18.5 грн

Мінімальне замовлення: 289

DMN2004DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

на замовлення 310681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004DMK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

DMN2004DWK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 498000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.81 грн
6000+	8.13 грн
9000+	7.32 грн
30000+	6.77 грн
75000+	6.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004DWK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 0.95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2004DWK-7

MOSFET Dual N-Channel

на замовлення 24144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.56 грн
13+	25.06 грн
100+	12.49 грн
1000+	8.83 грн
3000+	7.71 грн
9000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2004DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

на замовлення 502083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.33 грн
12+	24.43 грн
100+	14.64 грн
500+	12.72 грн
1000+	8.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2004DWK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004DWK-7

товар відсутній

DMN2004DWK-7-R

DIODES/ZETEX

2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	5.07 грн

Мінімальне замовлення: 200

DMN2004DWKQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2004DWKQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 225000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.58 грн
6000+	7 грн
9000+	6.3 грн
30000+	5.82 грн
75000+	5.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004DWKQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

товар відсутній

DMN2004DWKQ-7

товар відсутній

DMN2004DWKQ-7

товар відсутній

DMN2004K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004K

MOSFET

товар відсутній

DMN2004K-7

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 34154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.44 грн
500+	8.1 грн
1000+	5.93 грн
5000+	5.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	25.9 грн
30+	19.64 грн
100+	12.23 грн

Мінімальне замовлення: 23

DMN2004K-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

30+	12.82 грн
55+	6.37 грн
100+	5.67 грн
165+	4.84 грн
455+	4.57 грн

Мінімальне замовлення: 30

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7

MOSFET 20V 540mA

на замовлення 82570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	24.49 грн
20+	15.74 грн
100+	5.85 грн
1000+	4.98 грн
3000+	4.45 грн
9000+	4.05 грн
24000+	3.99 грн

Мінімальне замовлення: 13

DMN2004K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 25210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.15 грн
17+	17.09 грн
100+	8.63 грн
500+	7.18 грн
1000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2004K-7

Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 34154 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	28.69 грн
35+	21.54 грн
100+	12.44 грн
500+	8.1 грн
1000+	5.93 грн
5000+	5.81 грн

Мінімальне замовлення: 26

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

20+	15.38 грн
35+	7.93 грн
100+	6.81 грн
165+	5.81 грн
455+	5.48 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN2004K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.53 грн
6000+	5.21 грн
9000+	4.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2004K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

DMN2004K-7 NAB

DIODES/ZETEX

N-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.24 грн

Мінімальне замовлення: 300

DMN2004K-7-F

10+ROHS SOT-23

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004L

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004TK-7

MOSFET 20V N-CHANNEL

на замовлення 223329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.66 грн
16+	20.24 грн
100+	9.83 грн
1000+	7.9 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2004TK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 639000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004TK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 150mW; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2004TK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R

товар відсутній

DMN2004TK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

на замовлення 642241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	24.43 грн
16+	18.2 грн
100+	10.94 грн
500+	9.5 грн
1000+	6.69 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2004TK-7

товар відсутній

DMN2004VK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 1230000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.71 грн
6000+	7.11 грн
9000+	6.4 грн
30000+	5.92 грн
75000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004VK-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.39A; 0.25W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar

товар відсутній

DMN2004VK-7

MOSFET 20V 540mA

на замовлення 13852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31 грн
14+	22.84 грн
100+	10.83 грн
1000+	6.91 грн
3000+	5.98 грн
9000+	5.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004VK-7

товар відсутній

DMN2004VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

на замовлення 1234767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.74 грн
13+	21.31 грн
100+	12.8 грн
500+	11.13 грн
1000+	7.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004VK-7B

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

на замовлення 176000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.3 грн
16+	18.13 грн
100+	9.17 грн
500+	7.02 грн
1000+	5.21 грн
2000+	4.38 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2004VK-7B

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 8.0K

товар відсутній

DMN2004VK-7B

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

на замовлення 176000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8000+	4.64 грн
16000+	3.86 грн
24000+	3.79 грн
56000+	2.94 грн

Мінімальне замовлення: 8000

DMN2004VK-7B

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2004WK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2004WK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

товар відсутній

DMN2004WK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6370488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.74 грн
15+	19.51 грн
100+	9.83 грн
500+	8.17 грн
1000+	6.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004WK-7
Код товару: 183759

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,54 A
Rds(on), Ohm: 0,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD

товар відсутній

DMN2004WK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004WK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6366000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.3 грн
6000+	5.93 грн
9000+	5.25 грн
30000+	4.86 грн
75000+	4.13 грн
150000+	3.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004WK-7

MOSFET N-Channel

на замовлення 38953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
15+	21.08 грн
100+	8.3 грн
1000+	6.11 грн
3000+	5.58 грн
9000+	5.05 грн
24000+	4.72 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2004WK-7

товар відсутній

DMN2004WK-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V

товар відсутній

DMN2004WKQ-7

Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1167134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.33 грн
13+	22.07 грн
100+	11.15 грн
500+	9.28 грн
1000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2004WKQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 5387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.47 грн
14+	22.61 грн
100+	9.43 грн
1000+	7.57 грн
3000+	6.64 грн
9000+	5.91 грн
24000+	5.31 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2004WKQ-7

на замовлення 1167000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.15 грн
6000+	6.73 грн
9000+	5.96 грн
30000+	5.52 грн
75000+	4.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2004WKQ-7

товар відсутній

DMN2004WKQ-7

товар відсутній

DMN2004WKQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2004WKQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2005DLP4K-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.4W
Case: X2-DFN1310-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

DMN2005DLP4K-7

товар відсутній

DMN2005DLP4K-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)

на замовлення 132075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.33 грн
12+	24.43 грн
100+	14.64 грн
500+	12.72 грн
1000+	8.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2005DLP4K-7

Description: DIODES INC. - DMN2005DLP4K-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.35ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.35ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.97 грн
26+	29.58 грн
100+	14.23 грн
500+	11.76 грн
1000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN2005DLP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005DLP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 6-Pin DFN T/R

товар відсутній

DMN2005DLP4K-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.81 грн
6000+	8.13 грн
9000+	7.32 грн
30000+	6.77 грн
75000+	6.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005DLP4K-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.23 грн
500+	11.76 грн
1000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2005DLP4K-7

MOSFET N-Channel

на замовлення 23333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.34 грн
12+	27.12 грн
100+	12.69 грн
1000+	8.97 грн
3000+	7.37 грн
9000+	6.91 грн
24000+	6.84 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2005K

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	21.15 грн
34+	17 грн
35+	16.86 грн
100+	9.4 грн
250+	8.61 грн
500+	4.46 грн

Мінімальне замовлення: 28

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

DMN2005K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 974271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.15 грн
15+	19.1 грн
100+	11.45 грн
500+	9.95 грн
1000+	6.76 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	18.15 грн

Мінімальне замовлення: 642

DMN2005K-7

MOSFET N-Channel

на замовлення 33044 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.66 грн
16+	20.24 грн
100+	9.3 грн
1000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2005K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 972000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.6 грн
6000+	6.21 грн
9000+	5.5 грн
30000+	5.1 грн
75000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	24.5 грн
28+	20.71 грн
29+	20.48 грн
100+	9.4 грн
250+	8.62 грн
500+	8.19 грн
1000+	6.34 грн
3000+	4.63 грн

Мінімальне замовлення: 24

DMN2005LP4K-7

MOSFET 20V 300mA

на замовлення 71596 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	24.49 грн
15+	21.39 грн
100+	8.7 грн
1000+	6.78 грн
3000+	5.85 грн
9000+	5.18 грн
24000+	5.05 грн

Мінімальне замовлення: 13

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.57 грн
9000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LP4K-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 0.4W
Case: X2-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.1 грн
9000+	5.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LP4K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V

на замовлення 1697672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.9 грн
13+	21.45 грн
100+	10.81 грн
500+	9 грн
1000+	7 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 1668000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

DMN2005LP4K-7

товар відсутній

DMN2005LP4K-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

528+	22.05 грн
1109+	10.5 грн
1121+	10.39 грн
1132+	9.92 грн
1461+	7.12 грн
3000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 528

DMN2005LP4K-7

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 3 V

на замовлення 1692000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.93 грн
6000+	6.53 грн
9000+	5.78 грн
30000+	5.36 грн
75000+	4.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LP4K-7-52

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V

товар відсутній

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	25.18 грн
30+	19.54 грн
33+	17.52 грн
100+	10.07 грн
250+	9.07 грн
500+	8.12 грн
1000+	4.69 грн

Мінімальне замовлення: 23

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

DMN2005LPK-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Power dissipation: 0.45W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

на замовлення 1175 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

45+	8.35 грн
55+	6.37 грн
100+	5.67 грн
382+	5.47 грн
500+	5.26 грн

Мінімальне замовлення: 45

DMN2005LPK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 49957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.9 грн
13+	21.45 грн
100+	10.81 грн
500+	9 грн
1000+	7 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2005LPK-7

Description: DIODES INC. - DMN2005LPK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 440 mA, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.77 грн
30+	24.96 грн
100+	10.43 грн
500+	8.58 грн
1000+	6.9 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN2005LPK-7

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R

на замовлення 2328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

618+	18.87 грн
1036+	11.25 грн
1064+	10.94 грн
1142+	9.83 грн
1977+	5.26 грн

Мінімальне замовлення: 618

DMN2005LPK-7

Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.93 грн
6000+	6.53 грн
9000+	5.78 грн
30000+	5.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005LPK-7

MOSFET 20V 200mA

на замовлення 1692 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.47 грн
14+	22.76 грн
100+	9.03 грн
1000+	7.11 грн
3000+	6.11 грн
9000+	5.58 грн
24000+	5.18 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2005LPK-7

на замовлення 2910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.43 грн
500+	8.58 грн
1000+	6.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2005LPK-7

на замовлення 1175 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

27+	10.01 грн
33+	7.93 грн
100+	6.81 грн
382+	6.56 грн
500+	6.31 грн

Мінімальне замовлення: 27

DMN2005LPK-7B

Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin X1-DFN T/R

товар відсутній

DMN2005UFG

MOSFET

товар відсутній

DMN2005UFG-13

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.37 грн
500+	15.78 грн
1000+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

444+	26.23 грн
565+	20.62 грн
638+	18.27 грн
1000+	15.76 грн
3000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 444

DMN2005UFG-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V

на замовлення 752947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.08 грн
10+	31.69 грн
100+	21.96 грн
500+	17.21 грн
1000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2005UFG-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	27.37 грн
24+	24.35 грн
100+	19.15 грн
500+	16.36 грн
1000+	13.55 грн
3000+	11.84 грн

Мінімальне замовлення: 22

DMN2005UFG-13

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.38 грн
27+	28.47 грн
100+	19.37 грн
500+	15.78 грн
1000+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 23

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN2005UFG-13

товар відсутній

DMN2005UFG-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V

на замовлення 750000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.44 грн
6000+	13.17 грн
9000+	12.2 грн
30000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005UFG-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

на замовлення 4128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.53 грн
12+	25.59 грн
100+	17.01 грн
500+	14.95 грн
1000+	13.29 грн
3000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2005UFG-13

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 747000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2005UFG-7

на замовлення 76000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.44 грн
6000+	13.17 грн
10000+	12.2 грн
50000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2005UFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	16.92 грн
36+	16.22 грн
100+	14.02 грн
250+	12.85 грн
500+	11.89 грн
1000+	9.98 грн

Мінімальне замовлення: 35

DMN2005UFG-7

Description: DIODES INC. - DMN2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 50 A, 0.004 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	45.23 грн
20+	37.78 грн
100+	23.62 грн
500+	18.27 грн
1000+	14.75 грн

Мінімальне замовлення: 17

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

667+	17.46 грн
744+	15.66 грн
752+	15.5 грн
780+	14.41 грн
1000+	11.19 грн

Мінімальне замовлення: 667

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN2005UFG-7

товар відсутній

DMN2005UFG-7

MOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC

на замовлення 5065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.38 грн
10+	34.22 грн
100+	20.79 грн
500+	17.74 грн
1000+	12.55 грн
2000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2005UFG-7

на замовлення 77298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.08 грн
10+	31.69 грн
100+	21.96 грн
500+	17.21 грн
1000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2005UFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.67 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2005UFG-7

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.62 грн
500+	18.27 грн
1000+	14.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2005UFG-7
Код товару: 201744

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

очікується 50 шт:

50 шт - очікується

DMN2005UFGQ-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8

товар відсутній

DMN2005UFGQ-13

товар відсутній

DMN2005UFGQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2005UFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

DMN2005UFGQ-13

товар відсутній

DMN2005UFGQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2005UFGQ-7

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	25.89 грн
6000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2005UFGQ-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 Automotive AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	27.45 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2005UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V

на замовлення 7375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.05 грн
10+	43.87 грн
100+	34.15 грн
500+	27.17 грн
1000+	22.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	26.52 грн
24+	24.76 грн
100+	22.44 грн
500+	20.04 грн
1000+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 22

DMN2005UPS-13

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A

на замовлення 2464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.52 грн
10+	48.81 грн
100+	33.08 грн
500+	27.97 грн
1000+	22.78 грн
2500+	20.79 грн
5000+	20.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2005UPS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

DMN2005UPS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5337 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.05 грн
5000+	21.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2005UPS-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

DMN2005UPS-13

товар відсутній

DMN2008LFU-13

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2008LFU-13

Description: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товар відсутній

DMN2008LFU-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN2008LFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.68 грн
6000+	14.31 грн
9000+	13.25 грн
30000+	12.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2008LFU-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 9489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	44.72 грн
10+	38.27 грн
100+	23.05 грн
500+	19.26 грн
1000+	16.41 грн
3000+	14.55 грн
6000+	13.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors

товар відсутній

DMN2008LFU-7

Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2008LFU-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 54997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.96 грн
10+	34.46 грн
100+	23.84 грн
500+	18.69 грн
1000+	15.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2009LSS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V

на замовлення 31957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.86 грн
10+	40.69 грн
100+	28.19 грн
500+	22.1 грн
1000+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2009LSS-13

MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A

на замовлення 5979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN2009LSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.6A; Idm: 42A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2W
Drain current: 9.6A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 42A
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 58.3nC

товар відсутній

DMN2009LSS-13

товар відсутній

DMN2009LSS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOP T/R

товар відсутній

DMN2009LSS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.54 грн
5000+	16.91 грн
12500+	15.66 грн
25000+	14.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2009UCA4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товар відсутній

DMN2009UFDF-13

Transistor MOSFET

товар відсутній

DMN2009USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V

на замовлення 1732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.96 грн
10+	33.9 грн
100+	23.49 грн
500+	18.42 грн
1000+	15.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2009USS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 6594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	37.28 грн
100+	22.12 грн
500+	18.53 грн
1000+	15.74 грн
2500+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2009USS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V

товар відсутній

DMN2009USS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 100A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2W
Drain current: 9.7A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 34nC

товар відсутній

DMN2009USS-13

товар відсутній

DMN2010UDZ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

на замовлення 10644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2010UDZ-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2010UDZ-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W

товар відсутній

DMN2011UFDE-13

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V

товар відсутній

DMN2011UFDE-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

товар відсутній

DMN2011UFDE-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

на замовлення 75295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.41 грн
10+	36.06 грн
100+	23.25 грн
500+	19.4 грн
1000+	16.54 грн
3000+	13.48 грн
6000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN2011UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 131560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.68 грн
10+	34.67 грн
100+	24.02 грн
500+	18.83 грн
1000+	16.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN2011UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.27W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

DMN2011UFDE-7

товар відсутній

DMN2011UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 129000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.8 грн
6000+	14.41 грн
9000+	13.34 грн
30000+	12.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2011UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V

товар відсутній

DMN2011UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 29786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
12+	25.12 грн
100+	17.45 грн
500+	12.79 грн
1000+	10.39 грн
2000+	9.29 грн
5000+	8.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2011UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товар відсутній

DMN2011UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.06 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2011UFDF-13

товар відсутній

DMN2011UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

товар відсутній

DMN2011UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 1126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.87 грн
11+	28.8 грн
100+	18.33 грн
500+	14.48 грн
1000+	11.16 грн
3000+	9.3 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2011UFDF-7

товар відсутній

DMN2011UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V

товар відсутній

DMN2011UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2011UFDF-7

товар відсутній

DMN2011UFX-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.8A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN2050-4
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

DMN2011UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.68 грн
6000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2011UFX-7

товар відсутній

DMN2011UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active

на замовлення 7101 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.61 грн
10+	45.39 грн
100+	31.44 грн
500+	24.65 грн
1000+	20.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2011UFX-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF

на замовлення 5945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.83 грн
10+	51.18 грн
100+	30.82 грн
500+	25.77 грн
1000+	21.92 грн
3000+	17.6 грн

Мінімальне замовлення: 6

DMN2011UTS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.06 грн
5000+	12.67 грн
12500+	11.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2011UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.38 грн
10+	34.22 грн
100+	20.72 грн
500+	16.21 грн
1000+	13.15 грн
2500+	11.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2011UTS-13

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

на замовлення 12723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.24 грн
10+	32.73 грн
100+	24.46 грн
500+	18.04 грн
1000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2012UCA6-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2012UCA6-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718-

товар відсутній

DMN2013UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

товар відсутній

DMN2013UFDE-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.76 грн
10+	33.61 грн
100+	21.79 грн
500+	17.54 грн
1000+	13.55 грн
3000+	12.02 грн
6000+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2013UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

DMN2013UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

товар відсутній

DMN2013UFDE-7

товар відсутній

DMN2013UFDEQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товар відсутній

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

товар відсутній

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

на замовлення 2828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2013UFX-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2013UFX-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W

товар відсутній

DMN2013UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

на замовлення 2828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2014LHAB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.27 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2014LHAB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K

товар відсутній

DMN2014LHAB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.49 грн
10+	28.44 грн
100+	19.78 грн
500+	14.49 грн
1000+	11.78 грн
2000+	10.53 грн
5000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2014LHAB-7

MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF

на замовлення 2768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.73 грн
10+	31.7 грн
100+	20.59 грн
500+	16.14 грн
1000+	12.49 грн
3000+	11.36 грн
9000+	10.43 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2014LHAB-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.4A; Idm: 45A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 1.1W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2014LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.65 грн
6000+	10.65 грн
9000+	9.89 грн
30000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2014LHAB-7

товар відсутній

DMN2014LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2014LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 110886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.49 грн
10+	28.44 грн
100+	19.78 грн
500+	14.49 грн
1000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2015UFDE-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45.6nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 80A

товар відсутній

DMN2015UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.22 грн
6000+	11.91 грн
15000+	11.09 грн
30000+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2015UFDE-7

Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V

на замовлення 66015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.36 грн
10+	30.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2015UFDE-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.21 грн
10+	31.85 грн
100+	19.26 грн
500+	15.08 грн
1000+	12.22 грн
3000+	10.03 грн
9000+	9.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2015UFDE-7

на замовлення 66015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.36 грн
10+	30.79 грн
100+	23 грн
500+	16.96 грн
1000+	13.1 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2015UFDE-7

товар відсутній

DMN2015UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2015UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN

товар відсутній

DMN2015UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.3A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.3nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2015UFDF-7

товар відсутній

DMN2015UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.7 грн
12+	26.43 грн
100+	16.01 грн
500+	12.49 грн
1000+	10.16 грн
3000+	8.7 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2015UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DMN2016LFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.77W
Case: U-DFN3030-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

DMN2016LFG-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

товар відсутній

DMN2016LFG-7

товар відсутній

DMN2016LFG-7

MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	38.81 грн
100+	24.18 грн
500+	18.86 грн
1000+	15.34 грн
3000+	13.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

DMN2016LFG-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

товар відсутній

DMN2016LFG-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

DMN2016LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	34.8 грн
100+	24.23 грн
500+	17.75 грн
1000+	14.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN2016LHAB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2016LHAB-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; Idm: 45A; 1W; U-DFN2030-6
Case: U-DFN2030-6
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 6A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

DMN2016LHAB-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.27 грн
6000+	13.05 грн
9000+	12.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2016LHAB-7

товар відсутній

DMN2016LHAB-7

MOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DMN2016UFX-7

MOSFET MOSFET

товар відсутній

DMN2016UFX-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2016UFX-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4

товар відсутній

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товар відсутній

DMN2016UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 124015 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	32.94 грн
100+	22.9 грн
500+	16.78 грн
1000+	13.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2016UTS-13

MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS

на замовлення 10583 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	36.74 грн
100+	23.85 грн
500+	18.8 грн
1000+	14.55 грн
2500+	12.29 грн
10000+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2016UTS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 0.88W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товар відсутній

DMN2016UTS-13

товар відсутній

DMN2016UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 122500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.49 грн
5000+	12.33 грн
12500+	11.45 грн
25000+	10.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2016UTS-13

Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R

товар відсутній

DMN2019UTS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

DMN2019UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active

на замовлення 40246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.59 грн
13+	21.8 грн
100+	15.15 грн
500+	11.1 грн
1000+	9.02 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2019UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.93 грн
5000+	8.16 грн
12500+	7.58 грн
25000+	6.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2019UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5

на замовлення 2357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.83 грн
13+	24.29 грн
100+	15.81 грн
500+	12.42 грн
1000+	9.63 грн
2500+	8.17 грн
10000+	7.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2019UTS-13

товар відсутній

DMN2020LSN-7

Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.59 грн
500+	12.73 грн
1000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

товар відсутній

DMN2020LSN-7

MOSFET MOSFET,N-CHANNEL

на замовлення 19820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.47 грн
13+	24.9 грн
100+	12.02 грн
1000+	8.37 грн
3000+	7.17 грн
9000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2020LSN-7

на замовлення 2559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38 грн
27+	27.94 грн
100+	17.59 грн
500+	12.73 грн
1000+	8.49 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN2020LSN-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 3095 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

20+	14.66 грн
25+	10.69 грн
100+	9.13 грн
125+	7.8 грн
340+	7.38 грн

Мінімальне замовлення: 20

DMN2020LSN-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.16 грн
6000+	7.53 грн
9000+	6.78 грн
30000+	6.27 грн
75000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

490+	23.79 грн
786+	14.82 грн
819+	14.22 грн
854+	13.15 грн
1473+	7.06 грн

Мінімальне замовлення: 490

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

товар відсутній

DMN2020LSN-7

на замовлення 3095 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

35+	12.22 грн
45+	8.58 грн
100+	7.61 грн
125+	6.5 грн
340+	6.15 грн

Мінімальне замовлення: 35

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	31.32 грн
24+	24.68 грн
27+	22.09 грн
100+	13.27 грн
250+	11.79 грн
500+	10.85 грн
1000+	6.29 грн

Мінімальне замовлення: 19

DMN2020LSN-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V

на замовлення 90541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
13+	22.56 грн
100+	13.56 грн
500+	11.78 грн
1000+	8.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2020UFCL-7

Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.85 грн
6000+	8.09 грн
9000+	7.51 грн
30000+	6.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2020UFCL-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.61W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товар відсутній

DMN2020UFCL-7

товар відсутній

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товар відсутній

DMN2020UFCL-7

Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V

на замовлення 48211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.87 грн
13+	21.66 грн
100+	15.03 грн
500+	11.01 грн
1000+	8.95 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2020UFCL-7

Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R

товар відсутній

DMN2020UFCL-7

MOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC

на замовлення 9246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.83 грн
13+	24.37 грн
100+	14.68 грн
500+	11.49 грн
1000+	9.3 грн
3000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2022UCA4-7

MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товар відсутній

DMN2022UCA4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN1717-4

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.53 грн
6000+	13.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2022UCA4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1717-4 T&R 3K

товар відсутній

DMN2022UDH-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2022UDH-13

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R

товар відсутній

DMN2022UDH-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R

товар відсутній

DMN2022UDH-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2022UDH-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товар відсутній

DMN2022UFDF-13

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

товар відсутній

DMN2022UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.15 грн
30000+	7.67 грн
50000+	7.48 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2022UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.2 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2022UFDF-7

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.19 грн
6000+	7.56 грн
9000+	6.8 грн
30000+	6.29 грн
75000+	5.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2022UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.08 грн
500+	13.35 грн
1000+	9.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2022UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V

на замовлення 77699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
13+	22.63 грн
100+	13.6 грн
500+	11.82 грн
1000+	8.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2022UFDF-7

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.72 грн
24+	31.37 грн
100+	19.08 грн
500+	13.35 грн
1000+	9.2 грн

Мінімальне замовлення: 19

DMN2022UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; 0.42W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

DMN2022UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2022UFDF-7

товар відсутній

DMN2022UFDF-7

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.17 грн
13+	25.44 грн
100+	12.02 грн
1000+	8.37 грн
3000+	7.37 грн
9000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2022UNS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)

товар відсутній

DMN2022UNS-13

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

товар відсутній

DMN2022UNS-7

MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W

товар відсутній

DMN2022UNS-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	32.59 грн
100+	22.58 грн
500+	17.71 грн
1000+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2022UNS-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DMN2022UNS-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.85 грн
6000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2022UNS-7

Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.28 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DMN2023LSD

MOSFET

товар відсутній

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.41 грн
15000+	18.64 грн
30000+	17.35 грн
45000+	15.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2023UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.96 грн
10+	33.9 грн
100+	23.48 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2023UCB4-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB1818-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

DMN2023UCB4-7

MOSFET N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF

товар відсутній

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

товар відсутній

DMN2023UCB4-7

товар відсутній

DMN2023UCB4-7

Description: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2023UCB4-7

на замовлення 432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.8 грн
10+	32.31 грн
100+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

DMN2023UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R

товар відсутній

DMN2024LCA4-7

MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K

товар відсутній

DMN2024LCA4-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.54 грн
6000+	8.59 грн
15000+	8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024LCA4-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1313-4 T&R 3K

товар відсутній

DMN2024U

MOSFET

товар відсутній

DMN2024U-13

MOSFET MOSFET

товар відсутній

DMN2024U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

DMN2024U-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.99 грн
30000+	5.69 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2024U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.67 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2024U-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.62 грн
13+	21.38 грн
100+	10.79 грн
500+	8.97 грн
1000+	6.98 грн
2000+	6.25 грн
5000+	6.01 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.8 грн
9000+	6.03 грн
24000+	5.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 408161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.62 грн
13+	21.45 грн
100+	10.82 грн
500+	9 грн
1000+	7 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.7 грн
9000+	5.93 грн
24000+	5.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 408000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.93 грн
6000+	6.53 грн
9000+	5.78 грн
30000+	5.36 грн
75000+	4.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U-7

MOSFET MOSFET

на замовлення 19988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.56 грн
13+	24.06 грн
100+	9.37 грн
1000+	7.51 грн
3000+	6.64 грн
9000+	5.85 грн
24000+	5.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2024U-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

DMN2024U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 432000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024U-7

товар відсутній

DMN2024U-7-ML

MOSLEADER

Description: N 20V 6.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	3.28 грн
3000+	2.88 грн
6000+	2.78 грн
15000+	2.52 грн
30000+	2.43 грн
75000+	2.21 грн
150000+	2.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

DMN2024UDH-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2024UDH-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

DMN2024UDH-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.86 грн
6000+	11.76 грн
9000+	10.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UDH-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFDF-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

DMN2024UFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 1.67W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.67W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

DMN2024UFDF-13

товар відсутній

DMN2024UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2024UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

товар відсутній

DMN2024UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 0.96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.96W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

DMN2024UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.3 грн
14+	20.48 грн
100+	12.3 грн
500+	10.69 грн
1000+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2024UFDF-7

товар відсутній

DMN2024UFDF-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.06 грн
500+	7.89 грн
1000+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2024UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 4546 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
17+	18.87 грн
100+	10.43 грн
1000+	7.57 грн
3000+	6.11 грн
9000+	5.98 грн
24000+	5.85 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

DMN2024UFDF-7

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.4 грн
6000+	6.83 грн
9000+	6.15 грн
30000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

DMN2024UFDF-7

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	23.32 грн
54+	13.93 грн
100+	10.06 грн
500+	7.89 грн
1000+	5.88 грн

Мінімальне замовлення: 32

DMN2024UFDF-7

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFU-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 10K

товар відсутній

DMN2024UFU-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active

товар відсутній

DMN2024UFU-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFU-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.54 грн
6000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFU-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2024UFU-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	31 грн
36+	20.72 грн
100+	17.36 грн
500+	14.88 грн
1000+	12.58 грн

Мінімальне замовлення: 25

DMN2024UFU-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 50A; 1.71W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.71W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DMN2024UFU-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 3K

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.89 грн
10+	31.85 грн
100+	25.77 грн
3000+	21.92 грн
9000+	16.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

DMN2024UFU-7

товар відсутній

DMN2024UFU-7

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.36 грн
500+	14.88 грн
1000+	12.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2024UFX-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	28.54 грн
38+	19.9 грн
100+	14.46 грн
500+	12.11 грн
1000+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 27

DMN2024UFX-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 T&R 3K

товар відсутній

DMN2024UFX-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UFX-7

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.46 грн
500+	12.11 грн
1000+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2024UFX-7

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.36 грн
6000+	11.29 грн
9000+	10.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UQ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

DMN2024UQ-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

DMN2024UQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

DMN2024UQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K

товар відсутній

DMN2024UQ-13

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K

товар відсутній

DMN2024UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 198000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.69 грн
6000+	7.1 грн
9000+	6.39 грн
30000+	5.91 грн
75000+	5.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 384000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.21 грн
28+	26.68 грн
100+	16.77 грн
500+	12.11 грн
1000+	8.94 грн
3000+	7.47 грн

Мінімальне замовлення: 21

DMN2024UQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 3413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.47 грн
13+	24.98 грн
100+	14.81 грн
1000+	9.03 грн
3000+	7.57 грн
9000+	7.44 грн
24000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

DMN2024UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K

товар відсутній

DMN2024UQ-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 200010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.02 грн
13+	21.31 грн
100+	12.78 грн
500+	11.1 грн
1000+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2024UQ-7

на замовлення 5865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.77 грн
500+	12.11 грн
1000+	8.94 грн
3000+	7.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2024UTS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.73 грн
10+	30.94 грн
100+	20.06 грн
500+	15.81 грн
1000+	12.22 грн
2500+	10.03 грн
10000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2024UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.21 грн
5000+	10.25 грн
12500+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2024UTS-13

High Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DMN2024UTS-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.05 грн
11+	27.4 грн
100+	19.04 грн
500+	13.95 грн
1000+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

DMN2024UVT-13

High Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2024UVT-13

High Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2024UVT-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6

товар відсутній

DMN2024UVT-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2024UVT-13

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 35A; 1.6W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

DMN2024UVT-13

товар відсутній

DMN2024UVT-7

High Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2024UVT-7

товар відсутній

DMN2024UVT-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2024UVTQ-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

DMN2024UVTQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

DMN2024UVTQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K

товар відсутній

DMN2024UVTQ-7

Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.46 грн
500+	11 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2024UVTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UVTQ-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.16 грн
6000+	8.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2024UVTQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K

товар відсутній

DMN2024UVTQ-7

товар відсутній

DMN2024UVTQ-7

товар відсутній

DMN2024UVTQ-7

на замовлення 2915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	27.27 грн
36+	21.16 грн
100+	14.46 грн
500+	11 грн

Мінімальне замовлення: 28

DMN2024UVTQ-7

MOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K

товар відсутній

DMN2024UVTQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

DMN2025U

Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V

товар відсутній

DMN2025U-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.35 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2025U-13

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.65 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2025U-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

товар відсутній

DMN2025U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.42 грн
6000+	4.07 грн
9000+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2025U-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 3002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.36 грн
16+	19.78 грн
100+	9.76 грн
1000+	4.98 грн
3000+	3.99 грн
9000+	3.39 грн
24000+	3.19 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2025U-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2025U-7

Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	24.43 грн
17+	16.54 грн
100+	8.35 грн
500+	6.39 грн
1000+	4.74 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2025U-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3481+	3.35 грн

Мінімальне замовлення: 3481

DMN2025UFDB-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товар відсутній

DMN2025UFDB-13

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2025UFDB-13

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товар відсутній

DMN2025UFDB-7

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 35A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V

товар відсутній

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2025UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.39 грн
500+	11.9 грн
1000+	7.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

DMN2025UFDB-7

на замовлення 2730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.74 грн
29+	26.3 грн
100+	16.39 грн
500+	11.9 грн
1000+	7.86 грн

Мінімальне замовлення: 18

DMN2025UFDB-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товар відсутній

DMN2025UFDB-7

Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2025UFDB-7

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.08 грн
6000+	8.38 грн
9000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2025UFDB-7

товар відсутній

DMN2025UFDF-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товар відсутній

DMN2025UFDF-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.15 грн
30000+	5.83 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2025UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2025UFDF-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 10000

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2025UFDF-7

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.87 грн
15+	19.72 грн
100+	11.83 грн
500+	10.28 грн
1000+	6.99 грн

Мінімальне замовлення: 12

DMN2025UFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2025UFDF-7

товар відсутній

DMN2025UFDF-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товар відсутній

DMN2025UFDF-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.83 грн
14+	22.23 грн
100+	10.76 грн
1000+	7.37 грн
3000+	6.18 грн
9000+	6.11 грн

Мінімальне замовлення: 11

DMN2025UFDF-7

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.12 грн
6000+	6.58 грн
9000+	5.92 грн
30000+	5.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DMN2026UVT-13

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V

товар відсутній

DMN2026UVT-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.75W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

DMN2026UVT-13