Продукція > DIODES INC. > DMN10H170SFDE-7
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7 DIODES INC.

3199741.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.4 грн
500+ 17.09 грн
1000+ 12.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN10H170SFDE-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.03W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції DMN10H170SFDE-7 за ціною від 10.16 грн до 44.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011090836_1-2543686.pdf MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.73 грн
10+ 30.94 грн
100+ 18.8 грн
500+ 14.61 грн
1000+ 11.89 грн
3000+ 10.96 грн
9000+ 10.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : DIODES INC. 3199741.pdf Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.03W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.11 грн
21+ 35.54 грн
100+ 23.85 грн
500+ 17.78 грн
1000+ 12.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H170SFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
на замовлення 288015000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H170SFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
на замовлення 288015000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN10H170SFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN10H170SFDE-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN10H170SFDE.pdf DMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors
товар відсутній