НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKY100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U10
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/359ns
Switching Energy: 2.37mJ (on), 2.65mJ (off)
Gate Charge: 714 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 212 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 721 W
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.5 грн
10+ 746.25 грн
100+ 645.42 грн
IKY100N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+935.39 грн
10+ 812.79 грн
25+ 687.51 грн
50+ 648.98 грн
100+ 611.12 грн
240+ 591.19 грн
480+ 553.33 грн
IKY120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 212A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U10
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/359ns
Switching Energy: 2.37mJ (on), 2.65mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 714 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 212 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 721 W
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.45 грн
30+ 753.54 грн
120+ 709.22 грн
IKY120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules INDUSTRY 14
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1050.08 грн
10+ 912.09 грн
25+ 771.87 грн
50+ 728.69 грн
100+ 685.51 грн
240+ 664.26 грн
480+ 621.08 грн
IKY120N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesSP005578301
товар відсутній
IKY120N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKY120N120CH7XKSA1 - IGBT, 220 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 220A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1250.38 грн
5+ 1176.61 грн
10+ 1117.74 грн
50+ 1007.46 грн
100+ 706.41 грн
IKY120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKY120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-2
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 120A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/175ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 244 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 498 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.55 грн
10+ 691.87 грн
IKY120N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules INDUSTRY 14
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+885.79 грн
10+ 769.24 грн
25+ 650.97 грн
50+ 614.44 грн
100+ 578.57 грн
240+ 560.63 грн
480+ 524.1 грн
IKY140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 232A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U10
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/407ns
Switching Energy: 2.64mJ (on), 3.9mJ (off)
Gate Charge: 1032 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 232 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 962 W
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1049.8 грн
30+ 818.4 грн
IKY140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1139.98 грн
10+ 990.01 грн
25+ 838.29 грн
50+ 791.13 грн
100+ 745.3 грн
240+ 720.72 грн
480+ 674.89 грн
IKY140N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesSP005560949
товар відсутній
IKY150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1110.53 грн
10+ 964.8 грн
25+ 816.37 грн
50+ 771.2 грн
100+ 726.03 грн
240+ 702.12 грн
480+ 657.62 грн
IKY150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKY150N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-2
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 150A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/343ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 150A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 300 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 621 W
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1022.49 грн
10+ 867.48 грн
IKY40N120CH3Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKY40N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKY40N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 306ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKY40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+518.75 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKY40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.15 грн
10+ 590.49 грн
25+ 431.1 грн
100+ 388.59 грн
240+ 387.93 грн
480+ 307.55 грн
1200+ 293.6 грн
IKY40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/280ns
Switching Energy: 2.18mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.18 грн
30+ 448.63 грн
120+ 401.41 грн
IKY40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKY40N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKY40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 1.45mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.68 грн
30+ 365.64 грн
120+ 327.15 грн
510+ 270.9 грн
IKY40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+220.09 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKY40N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 342ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKY40N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 342ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKY40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.13 грн
10+ 469.03 грн
25+ 348.74 грн
100+ 315.52 грн
240+ 255.08 грн
480+ 251.09 грн
1200+ 239.13 грн
IKY50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.73 грн
IKY50N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 173W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 325ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKY50N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 173W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 325ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKY50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+864.86 грн
10+ 731.05 грн
25+ 576.58 грн
100+ 516.13 грн
240+ 492.22 грн
480+ 419.81 грн
2640+ 400.55 грн
IKY50N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/296ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 652 W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.15 грн
30+ 611.86 грн
120+ 547.46 грн
IKY50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.9 грн
10+ 567.58 грн
25+ 447.05 грн
100+ 411.18 грн
240+ 385.93 грн
480+ 362.02 грн
1200+ 326.15 грн
IKY50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U10
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/331ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 1.33mJ (off)
Gate Charge: 372 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.95 грн
30+ 474.97 грн
120+ 424.98 грн
IKY50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKY75N120CH3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1
Код товару: 143781
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1238.4 грн
10+ 1176.4 грн
25+ 859.55 грн
100+ 808.4 грн
240+ 799.77 грн
480+ 732.68 грн
IKY75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKY75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 938W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.97 грн
10+ 922.51 грн
25+ 721.32 грн
IKY75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1226.09 грн
10+ 1143.48 грн
25+ 1123.03 грн
IKY75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 335ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1068.9 грн
25+ 1019.55 грн
50+ 978.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
IKY75N120CH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 256W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 335ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKY75N120CH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 150A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 292 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/303ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 938 W
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1139.62 грн
30+ 888.74 грн
120+ 836.46 грн
IKY75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 83A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U10
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/367ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 2.02mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+809.8 грн
30+ 630.88 грн
120+ 593.77 грн
IKY75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+852.46 грн
10+ 740.98 грн
25+ 627.06 грн
50+ 591.85 грн
100+ 557.31 грн
240+ 539.38 грн
480+ 504.17 грн
IKY75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 83A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKY75N120CS6Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKY75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+746.29 грн
10+ 677.58 грн
25+ 503.51 грн
100+ 456.35 грн
240+ 441.73 грн
480+ 402.54 грн
1200+ 362.68 грн
IKY75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 205 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/300ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.95mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 530 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.65 грн
30+ 528.27 грн
120+ 472.66 грн
IKY75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.25 грн
IKY75N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 440W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 530nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKY75N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 440W
Case: TO247PLUS-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 530nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKY75N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 880000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.74 грн
IKY75N120CS6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKY75N120CS6XKSA1 - IGBT, 150 A, 1.85 V, 880 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 880
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+918.78 грн
5+ 874.82 грн
10+ 830.11 грн
50+ 755.59 грн