Продукція > ISC

Insulated Stud Cover - Negative - Black, Bulk

товар відсутній

ISC-10BK-S

INSULATED STUD COVER 8MM SLEEVE BLK

товар відсутній

ISC-10R

INSULATED STUD COVER POS RED

товар відсутній

ISC-1112

Media Converters Industrial 1 xRS-232 to 1 xRS-422/485 Serial Convertor

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ISC-1112-I

ORing Networking

Description: INDUSTRIAL 1X RS232 TO 1XRS422/4

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC-1112-I

Media Converters 1-port RS-232 to 1-port RS-422/485, 3KV isolation

товар відсутній

ISC-1210

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1210 100uH 5%

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1210-68UH-5R98

2001 SMD

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1210U-I

Media Converters 1-port USB to 1-port RS-422/485, 2KV isolation

товар відсутній

ISC-1212-I

IEI

Media Converters Industrial RS422/485 repeater with 2k

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	9671.6 грн

ISC-1310FB-MM-SC

Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, MM 2km

товар відсутній

ISC-1310FB-SS-SC

Media Converters 1-port RS-232/422/485 to Fiber, SM 30km

товар відсутній

ISC-1310FR-MM-SC

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode SC type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310FR-MM-ST

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Multimode ST type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310FR-SS-SC

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode SC type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310FR-SS-ST

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to Fiber (Single Mode ST type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310FW-SS-SC-L

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Multimode SC type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310FW-SS-SC-R

Media Converters Industrial 1x RS-232/422/485 to WDM Fiber (Single Mode SC type) Convertor

товар відсутній

ISC-1310U-I

Media Converters 1-port USB to 1-port RS-232/422/485, 2KV isolation

товар відсутній

ISC-1812

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812 100 10% ESE3

Vishay

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R

товар відсутній

ISC-1812 100 10% ESE3

Vishay

Inductor RF Chip Shielded/Molded Wirewound 100uH 10% 796KHz 40Q-Factor Ferrite 0.147A 3.25Ohm DCR 1812 T/R

товар відсутній

ISC-1812 82 5% TR-2000

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-07

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-07 1.5 5% R73

на замовлення 326000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-07 R73

на замовлення 121500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-071R5J

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-071R5J

4532(1812)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-0747R0J

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-0747R0J

4532(1812)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-151J

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-1R2

на замовлення 33195 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-1R5J

2005+

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-1R8

на замовлення 8280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-1UH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-2R7K

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-3R9

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-4.7UH

на замовлення 17600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-47UH

02+

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-5R6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-82-J

4532(1812)

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-82-J

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-R33

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812-R82

на замовлення 9690 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-181210UH 10%R13

на замовлення 2612 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-181210UH10%R13

на замовлення 1306 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-18121UH10%

00+

на замовлення 1010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-1812825%TR-2000

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC-2425-25+

Mini-Circuits

Function Generators & Synthesisers Signal Generator and Controller for 2.4-2.5 GHz ISM RF Energy

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	141884.19 грн

ISC-256

Mounting Fixings ISC-256 DBL ENDED NUT

товар відсутній

ISC-4110U

Media Converters Slim size 1 ports USB2.0 to 4 port RS-232 Serial Convertor

товар відсутній

ISC-440

Mounting Fixings ISC-440 DBL ENDED NUT

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.12 грн
10+	34.76 грн
25+	24.18 грн
100+	23.18 грн
250+	21.12 грн
500+	20.13 грн
1000+	17.6 грн

Мінімальне замовлення: 9

ISC-6-2

INSULATED STUD COVER DUAL NEG BLK

товар відсутній

ISC-632

Mounting Fixings ISC-632 DBL ENDED NUT

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.66 грн
10+	40.18 грн
100+	28.03 грн
500+	26.37 грн
1000+	22.39 грн
10000+	21.46 грн
25000+	20.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC-8110U

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

Media Converters Silm size 1 ports USB2.0 to 8 ports RS-232 Serial Convertor

товар відсутній

ISC-832

Mounting Fixings ISC-832 DBL ENDED NUT

товар відсутній

ISC-IC400-000E

Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: RS-232
Mounting Type: Chassis Mount
Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis
Supplier Device Package: 3-DOF

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	46705.65 грн

ISC-IC400-000K

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

товар відсутній

ISC-IC400-000U

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	43127.99 грн

ISC-IC400-0USB

Thales Visionix - a Division of Thales Defense & Security, Inc.

Description: INERTIACUBE4 SENSOR 3-DOF
Packaging: Box
Package / Case: Module
Output Type: USB
Mounting Type: Chassis Mount
Sensor Type: Accelerometer, Gyroscope, Magnetometer, 9 Axis
Supplier Device Package: 3-DOF

товар відсутній

ISC-IDC-6

Description: OMEGA - ISC-IDC-6 - Signalwandler, Strom, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Strom
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

ISC-M3

Mounting Fixings ISC-M3 DBL ENDED NUT

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	32.01 грн
100+	22.32 грн
500+	20.99 грн
1000+	17.8 грн
10000+	17.07 грн
25000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

ISC-M4

Mounting Fixings ISC-M4 DBL ENDED NUT

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.52 грн
10+	44.23 грн
100+	30.36 грн
1000+	25.71 грн
10000+	24.84 грн
25000+	24.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC-M5

Mounting Fixings ISC-M5 DBL ENDED NUT

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.56 грн
10+	48.2 грн
100+	33.08 грн
1000+	28.03 грн
10000+	27.04 грн
25000+	26.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC-M6

Mounting Fixings ISC-M6 DBL ENDED NUT

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.57 грн
10+	64.47 грн
100+	46.17 грн
500+	39.19 грн
2500+	38.86 грн
5000+	37.53 грн
10000+	36.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC-P-6

Description: OMEGA - ISC-P-6 - Signalwandler, Strom, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.2 %, ± 0.2%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Strom, Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.2
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.2%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

ISC-TJ-6

Description: OMEGA - ISC-TJ-6 - Signalwandler, Thermoelement, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Thermoelement
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

ISC-VAC-6

Description: OMEGA - ISC-VAC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

ISC-VDC-6

Description: OMEGA - ISC-VDC-6 - Signalwandler, Spannung, Strom, Spannung, 2 Kanäle, 0.3 %, ± 0.3%, 24 VDC
Versorgungsspannung: 24
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Signalaufbereitereingang: Spannung
Signalaufbereitermontage: DIN-Schienenmontage
Anzahl der Ausgangskanäle: 2
Signalaufbereiterausgang: Strom, Spannung
Isolationseingang: Isoliert
Produktpalette: ISC Series
Genauigkeit %: 0.3
Ausgangsgenauigkeit: ± 0.3%
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

ISC007N04NM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 3167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.94 грн
10+	190.97 грн
25+	164.07 грн
100+	134.84 грн
250+	134.18 грн
500+	119.57 грн
1000+	96.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC007N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

товар відсутній

ISC007N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC007N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.55 грн
10+	196.72 грн
25+	178.84 грн
100+	149.46 грн
500+	118.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC007N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	149.46 грн
500+	118.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC007N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

на замовлення 4488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.82 грн
10+	169.87 грн
100+	137.44 грн
500+	114.65 грн
1000+	98.17 грн
2000+	92.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC009N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC009N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC009N06LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 12729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	358.81 грн
10+	318.54 грн
25+	243.12 грн
100+	226.51 грн
250+	209.91 грн
500+	193.3 грн
1000+	160.09 грн

ISC009N06LM5ATMA1

SP005400730

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	134.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC010N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

на замовлення 2863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	153.77 грн
10+	123.3 грн
100+	98.15 грн
500+	77.94 грн
1000+	66.13 грн
2000+	62.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC010N04NM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 1329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.07 грн
10+	135.21 грн
100+	93.66 грн
500+	79.71 грн
1000+	66.36 грн
2500+	62.77 грн
5000+	60.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC010N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	112.09 грн
500+	84.31 грн
1000+	65.15 грн
5000+	63.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC010N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V

товар відсутній

ISC010N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC010N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 0.00082 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	165.43 грн
10+	149.03 грн
25+	134.87 грн
100+	112.09 грн
500+	84.31 грн
1000+	65.15 грн
5000+	63.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC010N06NM5

ISC010N06NM5

товар відсутній

ISC010N06NM5

Description: INFINEON - ISC010N06NM5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 A, 0.00087 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 870µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	356.19 грн
10+	295.83 грн
25+	256.34 грн
100+	210.35 грн
500+	170.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC010N06NM5

на замовлення 4818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	210.35 грн
500+	170.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A T/R

товар відсутній

ISC010N06NM5ATMA1

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.8 грн
10+	207.3 грн
100+	167.7 грн
500+	139.89 грн
1000+	119.78 грн
2000+	112.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC010N06NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 39A T/R

товар відсутній

ISC010N06NM5ATMA1

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC010N06NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.99 грн
10+	230.7 грн
25+	189.98 грн
100+	162.74 грн
250+	153.44 грн
500+	144.81 грн
1000+	123.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	85.3 грн
140+	83.22 грн
171+	68.1 грн
250+	64.49 грн
500+	51.82 грн
1000+	37.34 грн
3000+	36.56 грн
6000+	34.86 грн

Мінімальне замовлення: 137

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 9500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	97.61 грн
10+	79.21 грн
25+	77.28 грн
100+	60.98 грн
250+	55.45 грн
500+	46.19 грн
1000+	34.67 грн
3000+	33.95 грн
6000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC011N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.17 грн
13+	57.68 грн
100+	45.16 грн
500+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 12

ISC011N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.2 грн
10+	77.15 грн
100+	53.8 грн
500+	46.7 грн
1000+	35.14 грн
2500+	34.47 грн
5000+	33.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 355000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC011N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.32 грн
10000+	33.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC011N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

108+	107.87 грн
110+	105.88 грн
135+	86.69 грн
200+	78.15 грн
500+	65.92 грн
1000+	46.91 грн
2000+	45.63 грн

Мінімальне замовлення: 108

ISC011N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.16 грн
500+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC011N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V

на замовлення 14922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.97 грн
10+	72.65 грн
100+	56.5 грн
500+	44.94 грн
1000+	36.61 грн
2000+	34.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC011N06LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1089 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.14 грн
10+	222.29 грн
25+	189.98 грн
100+	156.1 грн
250+	151.45 грн
500+	141.49 грн
1000+	118.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC011N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 0.00085 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00085ohm

на замовлення 4826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	178.09 грн
250+	161.7 грн
1000+	121.09 грн
3000+	109.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC011N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	115.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	107.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC011N06LM5ATMA1

на замовлення 4826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	213.86 грн
50+	178.09 грн
250+	161.7 грн
1000+	121.09 грн
3000+	109.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC011N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 5063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.18 грн
10+	199.42 грн
100+	161.32 грн
500+	134.57 грн
1000+	115.23 грн
2000+	108.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC011N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 37A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

ISC012N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC012N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 238 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.47 грн
500+	92.61 грн
1000+	71.54 грн
5000+	68.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC012N04LM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	72.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

ISC012N04LM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.12 грн
10+	149.72 грн
100+	103.62 грн
250+	101.63 грн
500+	87.68 грн
1000+	71.08 грн
5000+	68.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC012N04LM6ATMA1

на замовлення 6603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	206.41 грн
10+	163.19 грн
25+	148.29 грн
100+	122.47 грн
500+	92.61 грн
1000+	71.54 грн
5000+	68.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC012N04LM6ATMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

ISC012N04LM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 11309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.14 грн
10+	134.51 грн
100+	107.06 грн
500+	85.02 грн
1000+	72.14 грн
2000+	68.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC012N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 13888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	148.02 грн
10+	118.6 грн
100+	94.38 грн
500+	74.94 грн
1000+	63.59 грн
2000+	60.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC012N04NM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 330-339 дні (днів)

2+	161.19 грн
10+	132.15 грн
100+	91.67 грн
250+	87.68 грн
500+	77.05 грн
1000+	64.23 грн
2500+	62.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 4727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	169.23 грн
77+	151.41 грн
100+	138.54 грн
200+	132.65 грн
500+	108.68 грн
1000+	95.85 грн
2000+	87.37 грн

Мінімальне замовлення: 69

ISC012N04NM6ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC012N04NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.36 грн
500+	80.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC012N04NM6ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.33 грн
10000+	59.9 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 95000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	93.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC012N04NM6ATMA1

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.11 грн
10+	128.91 грн
100+	98.36 грн
500+	80.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC012N04NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC015N04NM5ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC015N04NM5ATMA1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

ISC015N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 5519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.25 грн
10+	91.06 грн
100+	72.48 грн
500+	57.56 грн
1000+	48.84 грн
2000+	46.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC015N04NM5ATMA1

ISC015N04NM5ATMA1

товар відсутній

ISC015N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 206A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	49.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC015N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 8826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.22 грн
10+	100.83 грн
100+	69.75 грн
250+	64.23 грн
500+	58.72 грн
1000+	50.28 грн
2500+	47.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC015N06NM5LF2ATMA1

MOSFET

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	252.64 грн
10+	208.54 грн
25+	172.04 грн
100+	146.8 грн
250+	138.83 грн
500+	130.86 грн
1000+	111.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC015N06NM5LF2ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC015N06NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC015N06NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.45V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 30 V

товар відсутній

ISC017N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.77 грн
10+	101.6 грн
100+	71.08 грн
250+	65.5 грн
500+	59.25 грн
1000+	48.23 грн
2500+	48.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

товар відсутній

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC017N04NM5ATMA1

40V MOSFET Power-Transistor

товар відсутній

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.84 грн
10+	94.31 грн
100+	75.08 грн
500+	59.61 грн
1000+	50.58 грн
2000+	48.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 26049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.08 грн
10+	48.44 грн
100+	37.66 грн
500+	29.96 грн
1000+	24.4 грн
2000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.75 грн
12+	64.83 грн
100+	46.8 грн
500+	35.91 грн
1000+	24.46 грн
2500+	23.82 грн
5000+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

ISC019N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.21 грн
10000+	22.24 грн
25000+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC019N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.68 грн
10+	62.41 грн
100+	42.31 грн
500+	34.94 грн
1000+	25.77 грн
5000+	24.44 грн
10000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC019N03L5SATMA1

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.8 грн
500+	35.91 грн
1000+	24.46 грн
2500+	23.82 грн
5000+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

товар відсутній

ISC019N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.7 грн
10+	100.83 грн
100+	70.41 грн
500+	58.06 грн
1000+	48.09 грн
2500+	44.77 грн
5000+	43.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 12428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.19 грн
10+	83.52 грн
100+	66.44 грн
500+	52.76 грн
1000+	44.77 грн
2000+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	97.62 грн
10+	81.97 грн
100+	59.91 грн
500+	50.51 грн
1000+	37.94 грн
2500+	37.88 грн
5000+	36.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

товар відсутній

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC019N04NM5ATMA1

SP005352244

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0015 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.91 грн
500+	50.51 грн
1000+	37.94 грн
2500+	37.88 грн
5000+	36.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC01P

NKK Switches

OLED Displays & Accessories OLED SmartDisplay 52 X 36 full color

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5880.46 грн
10+	4979.08 грн
100+	4164.23 грн

ISC01P

NKK Switches

Description: DISPLAY OLED 52RGB X 36
Packaging: Box
Display Type: OLED - Passive Matrix
Backlight: Without Backlight
Interface: SPI
Viewing Area: 12.90mm W x 9.90mm H
Dot Pixels: 52 x 36
Graphics Color: Red, Green, Blue (RGB)
Part Status: Active

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3496.46 грн
100+	2626.52 грн

ISC01P-104G

NKK Switches

SWITCH

товар відсутній

ISC022N10NM6ATMA1

SP005339558

на замовлення 5010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	148.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

на замовлення 4402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	307.54 грн
10+	248.47 грн
100+	201 грн
500+	167.67 грн
1000+	143.57 грн
2000+	135.19 грн

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	304.03 грн
10+	235.47 грн
100+	209.39 грн
500+	179.9 грн
1000+	134.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC022N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.01 грн
10+	254.38 грн
100+	191.31 грн
500+	172.71 грн
1000+	139.49 грн
5000+	138.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	209.39 грн
500+	179.9 грн
1000+	134.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товар відсутній

ISC025N08NM5LF2ATMA1

ISC025N08NM5LF2ATMA1

товар відсутній

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товар відсутній

ISC025N08NM5LF2ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.79 грн
10+	226.11 грн
25+	185.33 грн
100+	158.76 грн
250+	150.12 грн
500+	141.49 грн
1000+	120.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC025N08NM5LFATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товар відсутній

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

товар відсутній

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.89 грн
10000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC026N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.14 грн
500+	35.29 грн
1000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC026N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.03 грн
10+	53.93 грн
100+	34.67 грн
500+	28.96 грн
1000+	21.99 грн
2500+	21.92 грн
5000+	20.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 23898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.23 грн
10+	53.07 грн
100+	36.73 грн
500+	28.8 грн
1000+	24.51 грн
2000+	21.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC026N03L5SATMA1

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.97 грн
12+	66.54 грн
100+	48.14 грн
500+	35.29 грн
1000+	23.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

ISC026N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC026N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC027N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 7665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.86 грн
10+	233.75 грн
25+	199.94 грн
100+	164.07 грн
250+	162.08 грн
500+	146.14 грн
1000+	118.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	121.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC027N10NM6ATMA1

SP005339566

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	115.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 217W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 4977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	177.35 грн
500+	154.3 грн
1000+	122.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

на замовлення 5278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.11 грн
10+	210.35 грн
100+	170.13 грн
500+	141.93 грн
1000+	121.52 грн
2000+	114.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 4977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.24 грн
10+	219.08 грн
100+	177.35 грн
500+	154.3 грн
1000+	122.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

товар відсутній

ISC028N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.8 грн
10+	101.6 грн
100+	69.08 грн
500+	57.99 грн
1000+	44.9 грн
2500+	42.78 грн
5000+	40.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 4635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	96.29 грн
10+	75.91 грн
100+	59.03 грн
500+	46.96 грн
1000+	38.25 грн
2000+	36.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC028N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.0026 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.67 грн
10+	227.27 грн
25+	206.41 грн
100+	172.29 грн
500+	135.41 грн
1000+	111.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC030N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 6801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.44 грн
10+	176.58 грн
100+	142.87 грн
500+	119.18 грн
1000+	102.05 грн
2000+	96.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC030N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 8018 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.14 грн
10+	196.32 грн
25+	168.06 грн
100+	138.17 грн
250+	136.17 грн
500+	122.89 грн
1000+	99.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC030N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 109µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC030N10NM6ATMA1

SP005427072

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	99.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 0.0026 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	172.29 грн
500+	135.41 грн
1000+	111.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC030N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 21A 8-Pin TSON EP T/R

товар відсутній

ISC030N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V

товар відсутній

ISC030N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V

товар відсутній

ISC030N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	384.38 грн
10+	318.54 грн
25+	261.05 грн
100+	223.85 грн
250+	211.23 грн
500+	198.61 грн
1000+	170.71 грн

ISC031N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISC0324D05

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 5VDC; Uout2: -5VDC; Iout: 45mA
Power: 3W
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Output current: 45mA
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 77%
Input voltage: 9...36V
Output current 2: 45mA
Number of outputs: 2
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Output voltage: 5V DC
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
Output voltage 2: -5V DC
Switching frequency: 350kHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0324D05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1843.65 грн
5+	1762.31 грн
10+	1485.28 грн
30+	1422.18 грн
100+	1327.19 грн

ISC0324D05

товар відсутній

ISC0324D05

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 77%
Current - Output (Max): 300mA, 300mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1709.43 грн
5+	1596.85 грн
10+	1547.44 грн
25+	1390.42 грн
100+	1297.73 грн

ISC0324D12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 12VDC; Uout2: -12VDC; SMD16
Power: 3W
Case: SMD16
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Output current: 0.125A
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 80%
Input voltage: 9...36V
Output current 2: 125mA
Number of outputs: 2
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Output voltage: 12V DC
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
Output voltage 2: -12V DC
Switching frequency: 350kHz

товар відсутній

ISC0324D12

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1825.83 грн

ISC0324D12

товар відсутній

ISC0324D15

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1773.38 грн
5+	1656.36 грн

ISC0324D15

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

товар відсутній

ISC0324D15

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 15VDC; Uout2: -15VDC; SMD16
Power: 3W
Case: SMD16
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Output current: 0.1A
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 80%
Input voltage: 9...36V
Output current 2: 0.1A
Number of outputs: 2
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Output voltage: 15V DC
Insulation voltage: 1.5kV DC
Type of converter: DC/DC
Output voltage 2: -15V DC
Switching frequency: 350kHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0324D15

товар відсутній

ISC0324S05

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 5VDC; Iout: 90mA; SMD; 350kHz
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 5V DC
Output current: 90mA
Case: SMD
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 78%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1708.8 грн
3+	1559.82 грн

ISC0324S05

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1424 грн
3+	1251.71 грн

ISC0324S05

Description: DC-DC 3W SDM 4:1 INPUT REG

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0324S05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1728.18 грн
5+	1652.31 грн
10+	1392.28 грн
30+	1333.17 грн
100+	1244.16 грн

ISC0324S05-TR

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 5VDC; Iout: 600mA; SMD16; SMD
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.6A
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 78%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

товар відсутній

ISC0324S05-TR

товар відсутній

ISC0324S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

товар відсутній

ISC0324S12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 12VDC; Iout: 250mA; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 12V DC
Output current: 0.25A
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0324S12

товар відсутній

ISC0324S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1605.96 грн
5+	1499.29 грн
10+	1453.41 грн
25+	1305.57 грн
100+	1218.72 грн

ISC0324S12-TR

товар відсутній

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0324S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0324S12-TR

товар відсутній

ISC0324S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0324S15

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 15VDC; Iout: 200mA; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 15V DC
Output current: 0.2A
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0324S15

товар відсутній

ISC0324S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

товар відсутній

ISC0324S15-TR

товар відсутній

ISC0324S15-TR

товар відсутній

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

товар відсутній

ISC0324S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

товар відсутній

ISC0324S24

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 24VDC; Iout: 19mA; SMD; 350kHz
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 24V DC
Output current: 19mA
Case: SMD
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

товар відсутній

ISC0324S24

Description: DC DC CONVERTER 24V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 24V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1603.08 грн
5+	1497.35 грн
10+	1451.47 грн
25+	1303.9 грн
100+	1217.14 грн

ISC0324S24

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1728.18 грн
5+	1652.31 грн
10+	1392.28 грн
30+	1333.17 грн
100+	1244.16 грн

ISC0324S24

товар відсутній

ISC0324S3V3

Description: XP POWER - ISC0324S3V3 - Isol. DC/DC-Wandler, Oberflächenmontage, ITE, 4:1, 3 W, 1 Ausgang, 3.3 V, 600 mA
tariffCode: 85044095
DC-Eingangsspannung, min.: 9V
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: YES
Höhe: 18.1mm
Nominelle DC-Eingangsspannung: 24V
Tiefe: 24mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Breite: 8.25mm
usEccn: EAR99
DC/DC-Wandlerausgang: Fest
Isolationsspannung: 1.5kV
DC-Eingangsspannung, max.: 36V
DC/DC-Wandlermontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: DIP
Ausgangsregelung: Geregelt
Produktpalette: ISC03 Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 600mA
Eingangsverhältnis: 4:1
Anwendungen für das Netzteil: ITE
Ausgangsleistung, max.: 3W
SVHC: No SVHC

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1796.58 грн
5+	1742.93 грн
10+	1689.28 грн
20+	1400.48 грн

ISC0324S3V3

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 9÷36V; Uout: 3.3VDC; Iout: 600mA; SMD; SMT
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 9...36V
Output voltage: 3.3V DC
Output current: 0.6A
Case: SMD
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 75%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMT
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0324S3V3

товар відсутній

ISC0324S3V3

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 9V
Voltage - Output 1: 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 2073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1603.08 грн
5+	1497.35 грн
10+	1451.47 грн
25+	1303.9 грн
100+	1217.14 грн
500+	1086.84 грн

ISC0324S3V3

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1728.18 грн
5+	1652.31 грн
10+	1392.28 грн
30+	1333.17 грн
100+	1244.16 грн

ISC032N12LM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V

товар відсутній

ISC032N12LM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

ISC032N12LM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V

товар відсутній

ISC032N12LM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.86 грн
10+	234.52 грн
25+	191.97 грн
100+	164.74 грн
250+	155.44 грн
500+	146.14 грн
1000+	125.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0348D05

Description: DC DC CONVERTER +/-5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 77%
Current - Output (Max): 300mA, 300mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

товар відсутній

ISC0348D05

ISC0348D05 DC/DC Converters

товар відсутній

ISC0348D12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 12VDC; Uout2: -12VDC; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 18...75V
Output voltage: 12V DC
Output voltage 2: -12V DC
Output current: 125mA
Output current 2: 125mA
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 2

товар відсутній

ISC0348D12

Description: DC DC CONVERTER +/-12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA, 125mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1978.16 грн
5+	1848.3 грн
10+	1791.08 грн
25+	1609.34 грн

ISC0348D12

товар відсутній

ISC0348D15

ISC0348D15 DC/DC Converters

товар відсутній

ISC0348D15

Description: DC DC CONVERTER +/-15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 100mA, 100mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1696.49 грн
5+	1582.73 грн
10+	1531.74 грн
25+	1373.62 грн

ISC0348S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0348S05

Isolated DC/DC Converters - SMD DC-DC, 3W SMD, 4:1 INPUT, REG

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1728.18 грн
5+	1652.31 грн
10+	1392.28 грн
30+	1333.17 грн
100+	1244.16 грн

ISC0348S05

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W

товар відсутній

ISC0348S05

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 5VDC; Iout: 600mA; SMD16
Mounting: SMD
Case: SMD16
Power: 3W
Manufacturer series: ISC03
Operating temperature: -40...100°C
Output voltage: 5V DC
Number of outputs: 1
Input voltage: 18...75V
Switching frequency: 350kHz
Output current: 0.6A
Type of converter: DC/DC
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 78%
Insulation voltage: 1.5kV DC
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ISC0348S05

товар відсутній

ISC0348S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0348S05-TR

товар відсутній

ISC0348S05-TR

товар відсутній

ISC0348S05-TR

Description: DC DC CONVERTER 5V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 78%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0348S12

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 12VDC; Iout: 250mA; SMD16
Type of converter: DC/DC
Power: 3W
Input voltage: 18...75V
Output voltage: 12V DC
Output current: 250mA
Case: SMD16
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Efficiency: 80%
Operating temperature: -40...100°C
Switching frequency: 350kHz
Insulation voltage: 1.5kV DC
Mounting: SMD
Manufacturer series: ISC03
Number of outputs: 1

товар відсутній

ISC0348S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0348S12

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W

товар відсутній

ISC0348S12

товар відсутній

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1646.19 грн

ISC0348S12-TR

товар відсутній

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0348S12-TR

товар відсутній

ISC0348S12-TR

Description: DC DC CONVERTER 12V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active High
Part Status: Active
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1840.2 грн

ISC0348S15

ISC0348S15 DC/DC Converters

товар відсутній

ISC0348S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISC0348S15

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W

товар відсутній

ISC0348S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0348S15-TR

ISC0348S15-TR DC/DC Converters

товар відсутній

ISC0348S15-TR

Description: DC DC CONVERTER 15V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.32" H (24.0mm x 13.7mm x 8.3mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Approval Agency: CE, UKCA, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1

товар відсутній

ISC0348S24

Description: DC DC CONVERTER 24V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 125mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 24V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

товар відсутній

ISC0348S24

ISC0348S24 DC/DC Converters

товар відсутній

ISC0348S3V3

Category: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 3W; Uin: 18÷75V; Uout: 3.3VDC; Iout: 600mA; SMD16
Case: SMD16
Mounting: SMD
Insulation voltage: 1.5kV DC
Power: 3W
Output voltage: 3.3V DC
Number of outputs: 1
Input voltage: 18...75V
Manufacturer series: ISC03
Switching frequency: 350kHz
Output current: 0.6A
Type of converter: DC/DC
Body dimensions: 24x18.1x8.25mm
Operating temperature: -40...100°C
Efficiency: 75%

товар відсутній

ISC0348S3V3

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 3W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, SCP, UVLO
Package / Case: 16-SMD Module, 7 Leads
Size / Dimension: 0.94" L x 0.54" W x 0.31" H (24.0mm x 13.7mm x 8.0mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 3.3V
Control Features: Enable, Active High
Power (Watts): 3 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
Standard Number: 62368-1

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1840.2 грн
5+	1719.32 грн
10+	1666.11 грн

ISC0348S3V3

товар відсутній

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC035N10NM5LF2ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.61 грн
10+	240.63 грн
25+	197.95 грн
100+	169.39 грн
250+	160.09 грн
500+	150.12 грн
1000+	128.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC035N10NM5LF2ATMA1

Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC035N10NM5LF2ATMA1

ISC035N10NM5LF2ATMA1

товар відсутній

ISC035N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC035N10NM5LFATMA1

MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 217-226 дні (днів)

2+	290.61 грн
10+	240.63 грн
25+	197.95 грн
100+	169.39 грн
250+	160.09 грн
500+	150.12 грн
1000+	128.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC035N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC036N04NM5ATMA1

Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 4523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.48 грн
10+	63.04 грн
100+	49.01 грн
500+	38.98 грн
1000+	31.76 грн
2000+	29.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC036N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.87 грн
500+	45.18 грн
1000+	30.72 грн
2500+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC036N04NM5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC036N04NM5ATMA1

Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

товар відсутній

ISC036N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0027 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	96.13 грн
10+	80.48 грн
100+	58.87 грн
500+	45.18 грн
1000+	30.72 грн
2500+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISC036N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.25 грн
10+	68.37 грн
100+	46.3 грн
500+	39.26 грн
1000+	30.09 грн
5000+	30.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC037N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.79 грн
22+	34.95 грн
100+	26.75 грн
500+	19.65 грн
1000+	13.16 грн

Мінімальне замовлення: 19

ISC037N03L5ISATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC037N03L5ISATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC037N03L5ISATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 13167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.04 грн
10+	31.7 грн
100+	21.79 грн
500+	18.4 грн
1000+	15.01 грн
2500+	14.68 грн
5000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 9

ISC037N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 18934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.86 грн
10+	41.17 грн
100+	31.56 грн
500+	23.41 грн
1000+	18.73 грн
2000+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC037N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.75 грн
500+	19.65 грн
1000+	13.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC037N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.49 грн
10000+	16.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC037N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4907 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	324.71 грн
10+	268.89 грн
25+	221.2 грн
100+	189.98 грн
250+	179.35 грн
500+	168.72 грн
1000+	144.81 грн

ISC037N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	139.7 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC037N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Ta), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 111µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 60 V

на замовлення 5461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	298.92 грн
10+	241.83 грн
100+	195.65 грн
500+	163.22 грн
1000+	139.75 грн
2000+	131.59 грн

ISC037N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 19.2A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC037N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISC037N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

ISC037N13NM6ATMA1

MOSFET

товар відсутній

ISC037N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

товар відсутній

ISC045N03L5SATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISC045N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 11108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.8 грн
10+	31.69 грн
100+	22.03 грн
500+	16.14 грн
1000+	13.12 грн
2000+	11.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISC045N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5107 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.77 грн
10+	33 грн
100+	21.26 грн
500+	16.67 грн
1000+	12.09 грн
5000+	11.43 грн
10000+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISC045N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC045N03L5SATMA1

RZ03-1C4-D024

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	8.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC046N04NM5

Infineon

товар відсутній

ISC046N04NM5ATMA1

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

на замовлення 14945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.91 грн
10+	64.42 грн
100+	50.09 грн
500+	39.84 грн
1000+	32.46 грн
2000+	30.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC046N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 17101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.35 грн
10+	71.73 грн
100+	48.36 грн
500+	41.05 грн
1000+	31.49 грн
2500+	31.42 грн
5000+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC046N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC046N04NM5ATMA1

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.2 грн
10000+	29.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC046N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC046N13NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.79 грн
10+	250.56 грн
25+	206.58 грн
100+	176.69 грн
250+	166.73 грн
500+	156.76 грн
1000+	134.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC046N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

ISC046N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

товар відсутній

ISC046N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISC056N08NM6ATMA1

N-channel MOSFET

товар відсутній

ISC058N04NM5ATMA1

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.47 грн
10000+	27.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 0.0045 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm

на замовлення 4864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.73 грн
14+	56.63 грн
100+	41.06 грн
500+	32.31 грн

Мінімальне замовлення: 11

ISC058N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC058N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC058N04NM5ATMA1

Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V

на замовлення 27802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.6 грн
10+	60.96 грн
100+	47.4 грн
500+	37.71 грн
1000+	30.72 грн
2000+	28.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC058N04NM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 8126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.22 грн
10+	81.74 грн
100+	55.27 грн
500+	45.7 грн
1000+	33.68 грн
5000+	31.95 грн
10000+	31.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC058N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 0.0045 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.67 грн
500+	53.49 грн
1000+	38.96 грн
2500+	37.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0602NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 9212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.5 грн
10+	88.61 грн
100+	61.44 грн
250+	56.73 грн
500+	51.48 грн
1000+	44.11 грн
2500+	41.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.91 грн
10+	105.07 грн
100+	81.22 грн
500+	62.2 грн
1000+	44.33 грн
2500+	43.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

на замовлення 11577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.88 грн
10+	79.85 грн
100+	63.59 грн
500+	50.49 грн
1000+	42.84 грн
2000+	40.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0602NLSATMA1

Power-Transistor 80V

товар відсутній

ISC0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0071 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.22 грн
500+	62.2 грн
1000+	44.33 грн
2500+	43.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC0603NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0603NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.59 грн
10+	126.81 грн
100+	86.35 грн
500+	71.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0603NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A/56A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 24µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 6987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.4 грн
10+	100.19 грн
100+	78.12 грн
500+	60.56 грн
1000+	47.81 грн
2000+	44.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0604NLSATMA1

MOSFET

товар відсутній

ISC0604NLSATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISC0605NLSATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISC060N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 20550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.69 грн
10+	145.14 грн
100+	100.3 грн
250+	98.97 грн
500+	84.36 грн
1000+	68.42 грн
5000+	65.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC060N10NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	66.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC060N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	70.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0051 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.32 грн
500+	91.34 грн
1000+	70.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC060N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0051 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	202.68 грн
10+	157.97 грн
25+	143.07 грн
100+	118.32 грн
500+	91.34 грн
1000+	70.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISC060N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 19818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.39 грн
10+	129.74 грн
100+	103.31 грн
500+	82.03 грн
1000+	69.6 грн
2000+	66.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0702NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6756 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.57 грн
10+	102.36 грн
100+	73.07 грн
500+	59.92 грн
1000+	48.69 грн
2500+	46.3 грн
5000+	44.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.32 грн
10+	80.96 грн
100+	64.42 грн
500+	51.15 грн
1000+	43.4 грн
2000+	41.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.04 грн
10000+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0703NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.79 грн
10+	66.46 грн
100+	45.1 грн
500+	37.26 грн
1000+	27.5 грн
5000+	26.04 грн
10000+	25.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R

товар відсутній

ISC0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 16822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.11 грн
10+	52.1 грн
100+	40.51 грн
500+	32.22 грн
1000+	26.25 грн
2000+	24.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC073N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

на замовлення 9066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.92 грн
10+	145.1 грн
100+	117.39 грн
500+	97.92 грн
1000+	83.85 грн
2000+	78.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC073N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	83.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC073N12LM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.29 грн
10+	161.95 грн
25+	132.85 грн
100+	113.59 грн
250+	107.61 грн
500+	101.63 грн
1000+	86.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC073N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC078N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.07 грн
10+	135.21 грн
100+	93 грн
250+	86.35 грн
500+	78.38 грн
1000+	66.43 грн
2500+	63.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0802NLSATMA1

SP005430372

товар відсутній

ISC0802NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V

на замовлення 227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.29 грн
10+	154.23 грн
100+	122.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0802NLSATMA1

ISC0802NLSATMA1

товар відсутній

ISC0802NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 92µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5190 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC0802NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1034 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.02 грн
10+	171.88 грн
100+	118.9 грн
250+	116.25 грн
500+	100.97 грн
1000+	81.7 грн
5000+	78.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0803NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.8A 8-Pin TDSON EP T/R

товар відсутній

ISC0803NLSATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8

товар відсутній

ISC0803NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.15 грн
10+	100.83 грн
100+	68.42 грн
500+	56.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0803NLSATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8

товар відсутній

ISC0804NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.72 грн
10+	122.99 грн
100+	85.69 грн
500+	70.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.11 грн
500+	54.39 грн
1000+	40.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0103 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.48 грн
10+	90.91 грн
100+	68.11 грн
500+	54.39 грн
1000+	40.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

ISC0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/59A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 8951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.75 грн
10+	82.13 грн
100+	65.35 грн
500+	51.9 грн
1000+	44.04 грн
2000+	41.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0805NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

на замовлення 7569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.03 грн
10+	99.85 грн
100+	79.46 грн
500+	63.1 грн
1000+	53.54 грн
2000+	50.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0805NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-46
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	54.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0805NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm

на замовлення 3535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.67 грн
500+	69.89 грн
1000+	51.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC0805NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.17 грн
10+	112.29 грн
100+	77.72 грн
500+	66.09 грн
1000+	55.8 грн
2500+	52.94 грн
5000+	51.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC0805NLSATMA1

Description: INFINEON - ISC0805NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0072 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm

на замовлення 3535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	152.76 грн
10+	114.01 грн
100+	88.67 грн
500+	69.89 грн
1000+	51.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISC0806NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

на замовлення 4880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.7 грн
10+	133.75 грн
100+	106.45 грн
500+	84.53 грн
1000+	71.72 грн
2000+	68.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0806NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.92 грн
10+	179.52 грн
100+	125.54 грн
500+	105.62 грн
1000+	85.69 грн
2500+	83.03 грн
5000+	81.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISC0806NLSATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	66.72 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC0806NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	139.35 грн
10+	112.52 грн
100+	88.67 грн
500+	68.02 грн
1000+	48.22 грн
2500+	47.78 грн
5000+	47.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISC080N10NM6ATMA1

SP005409473

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.5 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISC080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

на замовлення 5995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.53 грн
10+	90.71 грн
100+	72.19 грн
500+	57.33 грн
1000+	48.64 грн
2000+	46.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISC080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.67 грн
500+	68.02 грн
1000+	48.22 грн
2500+	47.78 грн
5000+	47.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISC080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

товар відсутній

ISC080N10NM6ATMA1