на замовлення 12729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 360.62 грн |
10+ | 320.15 грн |
25+ | 244.35 грн |
100+ | 227.66 грн |
250+ | 210.97 грн |
500+ | 194.28 грн |
1000+ | 160.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V.
Інші пропозиції ISC009N06LM5ATMA1 за ціною від 134.75 грн до 134.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISC009N06LM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | SP005400730 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
ISC009N06LM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
товар відсутній |
||||||
ISC009N06LM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
товар відсутній |