Продукція > MJW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJW0281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 260V 150W NPN
товар відсутній
MJW0281ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
MJW0281AonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
MJW0281AONTO-247 09+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW0281AGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN DIP PWR XTOR
товар відсутній
MJW0281AGonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO-247
товар відсутній
MJW0281AG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW0302AonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
MJW0302A
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW0302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW0302AG - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 480
MJW0302AGonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
MJW0302AG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW1102L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW13003
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW13009
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW1302A
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW1302AonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJW1302AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
товар відсутній
MJW1302AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 706-715 дні (днів)
2+288.29 грн
10+ 238.34 грн
30+ 167.39 грн
300+ 152.78 грн
600+ 134.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW1302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW1302AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.62 грн
10+ 264.53 грн
100+ 216.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW1302AGonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJW1302AMJW3281A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW16010
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW16010
Код товару: 47199		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MJW16010A--TO-3PI 09+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW16018
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW16110
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW16206onsemiDescription: TRANS GP BJT NPN 500V 12A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+205.02 грн
Мінімальне замовлення: 98
MJW16206
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW16212MotorolaDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.2A, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 2.75MHz
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+353.53 грн
Мінімальне замовлення: 61
MJW16212ON SEMICONDUCTORnpn 650V 10A 125W TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+126.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJW16212 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29090		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJW18020onsemiBipolar Transistors - BJT 20A 450V 250W NPN
товар відсутній
MJW18020
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW18020GonsemiBipolar Transistors - BJT 30A 450V 250W NPN
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 590-599 дні (днів)
1+506.05 грн
10+ 472.09 грн
240+ 306.89 грн
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW18020GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 450V
Power dissipation: 250W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 4...34
Case: TO247-3
Frequency: 13MHz
Collector current: 30A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW18020GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 450V
Power dissipation: 250W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 4...34
Case: TO247-3
Frequency: 13MHz
Collector current: 30A
Mounting: THT
товар відсутній
MJW18020GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.81 грн
30+ 345.88 грн
120+ 309.47 грн
MJW21191
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 329
MJW21191onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
товар відсутній
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 329
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
MJW21191GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
товар відсутній
MJW21192onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
товар відсутній
MJW21192
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW21192onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
MJW21192ONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 420
MJW21192GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
MJW21192GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
товар відсутній
MJW21193
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW21193onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
товар відсутній
MJW21193onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21193GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 250V
Mounting: THT
товар відсутній
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21193GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.59 грн
30+ 259.59 грн
120+ 222.51 грн
MJW21193GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+397.17 грн
10+ 283.91 грн
100+ 216.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21193GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 250V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MJW21193GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.76 грн
10+ 308.61 грн
30+ 253.08 грн
120+ 216.55 грн
210+ 204.59 грн
420+ 192.63 грн
1050+ 171.38 грн
MJW21194onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJW21194
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW21194onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
товар відсутній
MJW21194GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Current gain: 8...80
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 200W
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+431.9 грн
3+ 374.22 грн
4+ 276.5 грн
10+ 260.72 грн
MJW21194GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.53 грн
10+ 336.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJW21194GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
1+381.28 грн
10+ 337.64 грн
30+ 260.39 грн
120+ 240.46 грн
210+ 237.8 грн
420+ 198.61 грн
1050+ 171.38 грн
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21194GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.47 грн
30+ 262.04 грн
120+ 224.6 грн
510+ 187.36 грн
1020+ 160.43 грн
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21194GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Current gain: 8...80
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 200W
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+359.91 грн
3+ 300.3 грн
4+ 230.41 грн
10+ 217.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJW21195onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJW21195
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW21195onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
товар відсутній
MJW21195
Код товару: 46846		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MJW21195GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+324.71 грн
10+ 302.5 грн
30+ 220.53 грн
120+ 189.31 грн
420+ 145.47 грн
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
товар відсутній
MJW21195GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 16A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товар відсутній
MJW21195GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+293.17 грн
30+ 223.61 грн
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21195MJW21196
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW21196
Код товару: 46841		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MJW21196
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW21196onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJW21196onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
товар відсутній
MJW21196GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+293.17 грн
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21196GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 16A
товар відсутній
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21196GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+324.71 грн
10+ 268.89 грн
30+ 215.88 грн
120+ 189.31 грн
420+ 164.07 грн
1050+ 158.76 грн
2520+ 145.47 грн
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW3281A
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJW3281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
товар відсутній
MJW3281AonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW3281AGonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.14 грн
30+ 202.55 грн
120+ 173.61 грн
510+ 144.82 грн
1020+ 124.01 грн
2010+ 116.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MJW3281AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.29 грн
10+ 258.96 грн
30+ 180.01 грн
120+ 167.39 грн
300+ 148.79 грн
600+ 132.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJW3281AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW3281AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.83 грн
10+ 231 грн
30+ 213.86 грн
120+ 182.67 грн
Мінімальне замовлення: 3