MJW21196G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 293.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJW21196G onsemi
Description: TRANS NPN 250V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції MJW21196G за ціною від 145.84 грн до 325.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJW21196G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN |
на замовлення 3451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJW21196G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJW21196G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200W euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 16A |
товар відсутній |