Продукція > MSJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MSJ-CN1A0109+
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJ-CN1A01(1AB03117AEAA)ALCATEL
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJAC11N50BMicro Commercial ComponentsMSJAC11N50B
товар відсутній
MSJAC11N50B-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJAC11N50B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJAC11N65BMicro Commercial ComponentsMSJAC11N65B
товар відсутній
MSJAC11N65B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJAC11N65B-TPMicro Commercial ComponentsMSJAC11N65B-TP
товар відсутній
MSJAC11N65B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJAC11N65Y-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
MSJAC11N65Y-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 11A 33A 78W
товар відсутній
MSJAC11N65Y-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній
MSJAC11N65Y-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DFN5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній
MSJB06N80AMicro Commercial ComponentsMSJB06N80A
товар відсутній
MSJB06N80A-TPMicro Commercial ComponentsMSJB06N80A-TP
товар відсутній
MSJB06N80A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
товар відсутній
MSJB06N80A-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 349 pF @ 100 V
товар відсутній
MSJB11N80A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.38 грн
10+ 455.28 грн
25+ 359.36 грн
100+ 330.14 грн
250+ 310.87 грн
500+ 291.61 грн
800+ 261.05 грн
MSJB11N80A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+312.62 грн
1600+ 270.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
MSJB11N80A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.52 грн
10+ 409.42 грн
100+ 341.19 грн
MSJB14N65A-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 300 V
товар відсутній
MSJB14N65A-TPMicro Commercial ComponentsN-CHANNEL Super-JunctionPower MOSFET
товар відсутній
MSJB14N65A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJB17N80Micro Commercial ComponentsMSJB17N80
товар відсутній
MSJB17N80-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
MSJB17N80-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJB17N80-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
товар відсутній
MSJB17N80-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+288.14 грн
10+ 233.04 грн
100+ 188.49 грн
MSJCN1A01ALCATEL
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJD016P
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJL11N65-TPMicro Commercial ComponentsN-CHANNELSuper-JunctionPowerMOSFET DFN8080
товар відсутній
MSJL20N60A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJL20N60A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,DFN8080A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 219mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 196W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN8080A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJL20N60A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,DFN8080A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 219mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 196W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN8080A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJP06N80AMicro Commercial ComponentsMSJP06N80A
товар відсутній
MSJP06N80A-BPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 349 pF @ 100 V
товар відсутній
MSJP06N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJP07N80A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJP07N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJP08N90AMicro Commercial ComponentsN-Channel Super-Junction Power MOSFET
товар відсутній
MSJP08N90A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.62Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 25 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.13 грн
10+ 173.05 грн
100+ 140.04 грн
500+ 116.82 грн
1000+ 100.03 грн
2000+ 94.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP08N90A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJP09N65A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.75 грн
10+ 81.23 грн
100+ 63.14 грн
500+ 50.22 грн
1000+ 40.91 грн
2000+ 38.51 грн
5000+ 36.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJP09N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET 650Vds 30Vgs N-Ch Super Junction FET
товар відсутній
MSJP11N65-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 11A 33A 78W
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.84 грн
10+ 202.43 грн
100+ 144.14 грн
500+ 122.89 грн
1000+ 98.97 грн
5000+ 94.99 грн
10000+ 92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP11N65-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.76 грн
50+ 152.54 грн
100+ 130.75 грн
500+ 109.07 грн
1000+ 93.39 грн
2000+ 87.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP11N65AMicro Commercial ComponentsMSJP11N65A
товар відсутній
MSJP11N65A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.46 грн
50+ 97.98 грн
100+ 80.62 грн
500+ 64.01 грн
1000+ 54.31 грн
2000+ 51.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJP11N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJP11N80A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 918 pF @ 400 V
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.59 грн
10+ 196.72 грн
100+ 159.14 грн
500+ 132.75 грн
1000+ 113.67 грн
2000+ 107.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP11N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.26 грн
10+ 218.47 грн
25+ 180.01 грн
100+ 154.77 грн
250+ 145.47 грн
500+ 136.84 грн
1000+ 117.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP14N65AMicro Commercial ComponentsMSJP14N65A
товар відсутній
MSJP14N65A-BPMicro Commercial ComponentsN-Channel Super-Junction Power MOSFET
товар відсутній
MSJP14N65A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 30 V
товар відсутній
MSJP14N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJP20N65-BPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB(H) Tube
товар відсутній
MSJP20N65-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1724 pF @ 100 V
товар відсутній
MSJP20N65-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 20A 60A 151W
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.86 грн
10+ 360.56 грн
100+ 256.4 грн
500+ 218.54 грн
1000+ 172.04 грн
5000+ 171.38 грн
MSJP20N65AMicro Commercial ComponentsMSJP20N65A
товар відсутній
MSJP20N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJP20N65A-BPMicro Commercial ComponentsMSJP20N65A-BP
товар відсутній
MSJP20N65A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
на замовлення 30017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.62 грн
50+ 171.77 грн
100+ 147.22 грн
500+ 122.81 грн
1000+ 105.16 грн
2000+ 99.02 грн
5000+ 93.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF06N80AMicro Commercial ComponentsMSJPF06N80A
товар відсутній
MSJPF06N80A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 349 pF @ 100 V
товар відсутній
MSJPF06N80A-BPMicro Commercial ComponentsMSJPF06N80A-BP
товар відсутній
MSJPF06N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJPF07N80A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJPF07N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJPF08N90AMicro Commercial ComponentsN-Channel Super-Junction Power MOSFET
товар відсутній
MSJPF08N90A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 25 V
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.13 грн
10+ 173.05 грн
100+ 140.04 грн
500+ 116.82 грн
1000+ 100.03 грн
2000+ 94.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF08N90A-BPMicro Commercial ComponentsN-Channel Super-Junction Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MSJPF08N90A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJPF11N65Micro Commercial ComponentsMSJPF11N65
товар відсутній
MSJPF11N65-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
на замовлення 9941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.22 грн
50+ 157.33 грн
100+ 134.86 грн
500+ 112.5 грн
1000+ 96.33 грн
2000+ 90.7 грн
5000+ 85.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N65-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 11A 33A 31.3W
товар відсутній
MSJPF11N65-BPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
MSJPF11N65AMicro Commercial ComponentsMSJPF11N65A
товар відсутній
MSJPF11N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJPF11N65A-BPMicro Commercial ComponentsN-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJPF11N65A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.87 грн
50+ 113.02 грн
100+ 93 грн
500+ 73.84 грн
1000+ 62.66 грн
2000+ 59.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N80A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.77 грн
10+ 203.08 грн
100+ 164.25 грн
500+ 137.01 грн
1000+ 117.32 грн
2000+ 110.47 грн
5000+ 104.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N80A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 800V Super Junction Power FET
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.79 грн
10+ 226.11 грн
25+ 185.33 грн
100+ 159.42 грн
250+ 150.12 грн
500+ 141.49 грн
1000+ 120.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N80A-BPMicro Commercial ComponentsMSJPF11N80A-BP
товар відсутній
MSJPF20N65-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній
MSJPF20N65-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 20A 33A 31.3W
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.31 грн
10+ 359.03 грн
100+ 255.08 грн
500+ 217.88 грн
1000+ 174.04 грн
5000+ 170.71 грн
10000+ 167.39 грн
MSJPF20N65AMicro Commercial ComponentsMSJPF20N65A
товар відсутній
MSJPF20N65A-BPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1807 pF @ 25 V
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.03 грн
10+ 179.49 грн
100+ 145.2 грн
500+ 121.12 грн
1000+ 103.71 грн
2000+ 97.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF20N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJPF20N65A-BPMicro Commercial ComponentsMSJPF20N65A-BP
товар відсутній
MSJR101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR102
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR103
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR104
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR105
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR111
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR112
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR113
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR114
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJR115
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MSJT1035SAmphenolCONNECTOR
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2779.82 грн
5+ 2319.28 грн
10+ 2261.62 грн
MSJT1035SAmphenolCONNECTOR
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+2993.65 грн
5+ 2497.68 грн
10+ 2435.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
MSJU04N80AMicro Commercial ComponentsMSJU04N80A
товар відсутній
MSJU04N80A-TPMicro Commercial ComponentsMSJU04N80A-TP
товар відсутній
MSJU04N80A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MSJU04N80A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 100 V
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.19 грн
10+ 83.45 грн
100+ 66.44 грн
500+ 52.75 грн
1000+ 44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJU05N90A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJU05N90A-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJU05N90A-TPMicro Commercial ComponentsMSJU05N90A-TP
товар відсутній
MSJU06N80A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
MSJU07N65-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJU07N65AMicro Commercial ComponentsMSJU07N65A
товар відсутній
MSJU07N65A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.03 грн
10+ 80.47 грн
100+ 62.59 грн
500+ 49.78 грн
1000+ 40.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJU07N65A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJU07N65A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJU07N65A-TPMicro Commercial ComponentsN-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJU11N65-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 11A 33A 78W
товар відсутній
MSJU11N65-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній
MSJU11N65-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MSJU11N65-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 901 pF @ 50 V
товар відсутній
MSJU11N65AMicro Commercial ComponentsMSJU11N65A
товар відсутній
MSJU11N65A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.81 грн
10+ 90.09 грн
100+ 71.73 грн
500+ 56.96 грн
1000+ 48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
MSJU11N65A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MSJU11N65A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
MSJU11N65A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
товар відсутній
MSJW20N65-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH TO247
товар відсутній
MSJW20N65-BPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
MSJW20N65-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 650Vds 30Vgs 20A 60A 151W
товар відсутній
MSJW20N65AMicro Commercial ComponentsMSJW20N65A
товар відсутній
MSJW20N65A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 100 V
на замовлення 5395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.53 грн
10+ 267.09 грн
100+ 216.06 грн
500+ 180.23 грн
1000+ 154.32 грн
2000+ 145.31 грн
MSJW20N65A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-247
товар відсутній
MSJW47N60A-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 300 V
товар відсутній
MSJW47N60A-BPMicro Commercial ComponentsMSJW47N60A-BP
товар відсутній
MSJW47N60A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній